Samsung отгрузила миллион первых в отрасли чипов EUV DRAM

Wed, 25 Mar 2020 10:53:17 +0000

Samsung Electronics объявляет о производстве и отгрузке 1 млн модулей первой на рынке памяти (D1x) DDR4 (Double Date Rate 4) DRAM, произведенных с использованием технологии EUV (литографии в глубоком ультрафиолете). Модули прошли валидирование крупнейших международных производителей электроники, и теперь компания с их помощью сможет создавать инновационные функциональные узлы с использованием EUV для применения в премиальных ПК, мобильных устройствах, корпоративных серверах и центрах обработки данных.

Samsung первой применила технологию EUV в производстве DRAM-модулей, чтобы преодолеть ограничения по масштабированию этого типа чипов. Литография в глубоком ультрафиолете сокращает количество повторяющихся шагов при создании нескольких шаблонов и повышает точность их формирования. Это обеспечивает повышенную производительность и более высокий выход, а также сокращенное время разработки.

Технология EUV будет полностью развернута в будущих DRAM от Samsung, начиная с четвертого поколения 10-нм класса (D1a) или продвинутого 14-нм класса DRAM. Компания намерена начать серийное производство DDR5 и LPDDR5 на базе D1a в следующем году, что удвоит производительность 12-дюймовых пластин D1x.

В связи с расширением рынка DDR5 / LPDDR5 в 2021 году Samsung продолжит укреплять сотрудничество с ведущими IT-клиентами и поставщиками полупроводников с целью оптимизации стандартных спецификаций, поскольку это ускорит переход к DDR5 / LPDDR5 на всем рынке памяти.

Хронология производства DRAM от Samsung

Дата	Samsung DRAM
2021 (TBD)	4th-gen 10nm-class (1a) EUV-based 16Gb DDR5/LPDDR5 – массовое производство
Март 2020	4th-gen 10nm-class (1a) EUV-based DRAM – разработка
Сентябрь 2019	3rd-gen 10nm-class (1z) 8Gb DDR4 – массовое производство
Июнь 2019	2nd-gen 10nm-class (1y) 12Gb LPDDR5 – массовое производство
Март 2019	3rd-gen 10nm-class (1z) 8Gb DDR4 – разработка
Ноябрь 2017	2nd-gen 10nm-class (1y) 8Gb DDR4 – массовое производство
Сентябрь 2016	1st-gen 10nm-class (1x) 16Gb LPDDR4/4X – массовое производство
Февраль 2016	1st-gen 10nm-class (1x) 8Gb DDR4 – массовое производство
Октябрь 2015	20nm (2z) 12Gb LPDDR4 – массовое производство
Декабрь 2014	20nm (2z) 8Gb GDDR5 – массовое производство
Декабрь 2014	20nm (2z) 8Gb LPDDR4 – массовое производство
Октябрь 2014	20nm (2z) 8Gb DDR4 – массовое производство
Февраль 2014	20nm (2z) 4Gb DDR3 – массовое производство
Февраль 2014	20nm-class (2y) 8Gb LPDDR4 – массовое производство
Ноябрь 2013	20nm-class (2y) 6Gb LPDDR3 – массовое производство
Ноябрь 2012	20nm-class (2y) 4Gb DDR3 – массовое производство
Сентябрь 2011	20nm-class (2x) 2Gb DDR3 – массовое производство
Июль 2010	30nm-class 2Gb DDR3 – массовое производство
Февраль 2010	40nm-class 4Gb DDR3 – массовое производство
Июль 2009	40nm-class 2Gb DDR3 – массовое производство

технология EUV – Samsung Newsroom Россия

Samsung отгрузила миллион первых в отрасли чипов EUV DRAM