Скорость последовательной записи Samsung eUFS 3.1 объемом 512ГБ превышает 1200 МБ/с, что более чем вдвое превосходит скорость ПК на базе SATA (540 МБ/c) и более чем в 10 раз – скорость microSD-карты UHS-I (90 МБ/c). Это означает, что доступ к очень большим файлам, таким как видео 8K или фотографии высокого разрешения, осуществляется с той же скоростью, что и на ультратонком ноутбуке, и без необходимости использования буфера. Для переноса данных со старого смартфона на новое устройство также потребуется намного меньше времени: гаджету с памятью eUFC 3.1 потребуется только 1,5 минуты на копирование 100ГБ данных, тогда как телефону на базе UFC 3.0 — более четырех минут.

Производительность случайного чтения и записи eUFS 3.1 512ГБ на 60% выше, чем у широко распространенных накопителей UFS 3.0, и составляет 100 000 операций ввода-вывода в секунду (IOPS) для чтения и 70 000 IOPS для записи.

В марте Samsung начала массовое производство V-NAND пятого поколения, чтобы полностью удовлетворить спрос на этот тип компонентов на рынке флагманских смартфонов. Вскоре компания планирует также перевести производство V-NAND с пятого поколения на шестое для соответствия растущим потребностям производителей.

Линейка встроенной памяти Samsung