Технологический процесс 28FD-SOI предусматривает более эффективное управление транзисторами и минимизацию токов утечки за счет управления напряжением смещения относительно корпуса (body-bias control). Благодаря этому представленное Samsung решение eMRAM обеспечивает преимущества для различных сфер применения микроконтроллеров, устройств Интернета вещей и технологий искусственного интеллекта.

Поскольку технология eFlash столкнулась с проблемами масштабируемости, обусловленными тем, что она опирается на принцип накопления заряда, наиболее многообещающим преемником для нее стала технология eMRAM. Магниторезистивный эффект, лежащий в ее основе, предполагает высокую масштабируемость и обеспечивает превосходные технические характеристики, в том числе энергонезависимость, возможность произвольного доступа и высокую износостойкость.

Представленное Samsung решение eMRAM на базе 28FDS обеспечивает преимущества с точки зрения энергопотребления и скорости при меньшей стоимости. Скорость записи у этой технологии примерно в тысячу раз выше, чем у eFlash, так как eMRAM не требует цикла стирания перед записью данных. Кроме того, память eMRAM использует более низкие уровни напряжения, чем eFlash, и не потребляет энергию в выключенном режиме, за счет чего достигается более высокая энергоэффективность.

Поскольку модуль eMRAM можно с легкостью интегрировать в конце технологического процесса (back-end of the process) с добавлением минимального числа слоев, он в меньшей степени зависит от первых стадий (front-end), что предполагает простую интеграцию с уже существующими технологиями изготовления логики. Благодаря «встраиваемой» (plug-in) модульной концепции заказчики получают возможность использования уже существующей инфраструктуры проектирования, даже с новой технологией eMRAM, что ведёт к снижению издержек.

«Мы очень гордимся нашими достижениями в области технологий встроенной энергонезависимой памяти (eNVM) и рады, что сумели преодолеть сложности, обусловленные использованием новых материалов, – говорит Райан Ли (Ryan Lee), вице-президент по маркетингу полупроводниковых решений Samsung Electronics. – Интегрируя eMRAM с существующими технологиями изготовления логики, Samsung продолжает расширять портфель процессов eNVM, предлагая новые решения для удовлетворения потребностей клиентов и рынка».

В течение ближайшего года Samsung намерена расширить портфолио решений eNVM высокой плотности, в частности, передать в производство тестовый чип eMRAM емкостью 1ГБ.

«Samsung начала опытную работу с техпроцессом 28FDS в прошлом году, и она продвигалась быстрее, чем мы ожидали, – отметил Райан Ли, вице-президент и руководитель отдела по маркетингу форума Foundry в Samsung Electronics. – На сегодняшний день мы готовим к выпуску более 40 продуктов, основанных на FD-SOI, для разных заказчиков. После того, как мы начнем использовать чипы RF и eMRAM на технологиях 28 FDS и 18 FDS, мы ожидаем, что проектов станет еще больше».

Samsung eMRAM – последнее пополнение в «семействе» встроенных энергонезависимых устройств памяти. Оно обладает беспрецедентными преимуществами по скорости, мощности и износостойкости.

«Внеся только три дополнительных слоя в back-end процесс, мы можем легко интегрировать новые блоки памяти eMRAM уже существующий базовый процесс FD-SOI, – заявил Гитае Жеон, старший вице-президент подразделения Advanced Technology Samsung Electronics. – Благодаря экспертизе Samsung в сфере запоминающих устройств и развитой технологии FD-SOI, мы, наконец, научились успешно внедрять eMRAM в различные коммерческие решения».

«Samsung вместе с NXP работает над созданием прикладных процессоров со встроенной памятью eMRAM, – прокомментировал Рон Мартино, вице-президент и генеральный менеджер линейки продуктов iMX Applications Processor компании NXP. – Тестовый чип уже годов, и мы увидим результаты в четвертом квартале 2017 года. Эта работа позволит реализовать интеграцию различных компонентов однокристальных систем (SOC) на одном SOC экономически эффективным образом».

Samsung подготовила все решения для экосистемы 28FDS с различными партнерами, включая Cadence и Synopsys. Клиенты могут получить доступ к сертифицированным ссылочным видам движения 28FDS от Cadence и Synopsys, наряду с IP-предложениями конкретных приложений.

«Благодаря сотрудничеству с Samsung наши общие клиенты могут получить доступ к сертифицированным 28FDS ссылочным видам движения  Cadence RTL-to-GDS, – подчеркнул Кей Ти Мур, вице-президент по менеджменту продуктов Digital & Signoff Group компании Cadence. – Инструменты Cadence интегрируют  функции оптимизации обратного смещения и многобитовых триггеров, включенные в технологию процесса Samsung 28FDS, что позволяет дизайнерам быстро и легко создавать высококачественные однокристальные системы, обладающие оптимальной мощностью и производительностью».

«Каждое сотрудничество над комплектами для разработчиков важно для развития отношений Samsung и Synopsys, – прокомментировал Майкл Джексон, корпоративный вице-президент по маркетингу и развитию бизнеса подразделения Design Group Synopsys. – С техпроцессами 28FDS наши клиенты могут уверенно заниматься разработкой, зная, что процессы полностью сертифицированы для Synopsys’ Design Platform и Design Ware® IP».

Подробности о новейших технологиях на форума Samsung Foundry, в том числе дорожная карта технологии FD-SOI и информация о ее готовности были представлены 26 сентября на форуме Shanghai FD-SOI Forum в Шанхае И Эс Юнгом, исполнительным вице-президентом и генеральным менеджером подразделения Foundry Business Samsung Electronics.