Скорость последовательной записи Samsung eUFS 3.1 объемом 512ГБ превышает 1200 МБ/с, что более чем вдвое превосходит скорость ПК на базе SATA (540 МБ/c) и более чем в 10 раз – скорость microSD-карты UHS-I (90 МБ/c). Это означает, что доступ к очень большим файлам, таким как видео 8K или фотографии высокого разрешения, осуществляется с той же скоростью, что и на ультратонком ноутбуке, и без необходимости использования буфера. Для переноса данных со старого смартфона на новое устройство также потребуется намного меньше времени: гаджету с памятью eUFC 3.1 потребуется только 1,5 минуты на копирование 100ГБ данных, тогда как телефону на базе UFC 3.0 — более четырех минут.

Производительность случайного чтения и записи eUFS 3.1 512ГБ на 60% выше, чем у широко распространенных накопителей UFS 3.0, и составляет 100 000 операций ввода-вывода в секунду (IOPS) для чтения и 70 000 IOPS для записи.

В марте Samsung начала массовое производство V-NAND пятого поколения, чтобы полностью удовлетворить спрос на этот тип компонентов на рынке флагманских смартфонов. Вскоре компания планирует также перевести производство V-NAND с пятого поколения на шестое для соответствия растущим потребностям производителей.

Линейка встроенной памяти Samsung

Carbon Trust – всемирно признанный некоммерческий орган по сертификации, созданный британским правительством для ускорения перехода к устойчивой низкоуглеродной экономике. Сертфикация Carbon Trust присуждается только после тщательной оценки воздействия выбросов углерода и водопотребления на окружающую среду до и во время производственного цикла, опираясь на международные стандарты^[1].

«Мы очень рады, что наши передовые решения в области технологий памяти не только позволяют решать сложные задачи, но и обладают признанной экологической устойчивостью, – прокомментировал Пак Чхун Хун, исполнительный вице-президент и глава комплекса Giheung Hwaseong Pyeongtaek Complex компании Samsung Electronics. – Samsung продолжит создавать технологии памяти, сочетающие крайне малые размеры с высочайшим уровнем скорости, емкости и энергоэффективности для конечных пользователей во всем мире».

Инновационные полупроводниковые решения Samsung обеспечивают устойчивое производство:

Основанные на V-NAND пятого поколения (90+ слоев) накопители Samsung eUFS 3.0 емкостью 512 ГБ обладают оптимальной скоростью, энергоэффективностью и производительностью, гарантируя вдвое большую емкость и в 2,1 раза большую последовательную скорость четвертого поколения (64 слоя) V-NAND на основе 256 ГБ eUFS 2.1, требуя при этом на 30% меньше рабочего напряжения. Кроме того, V-NAND пятого поколения Samsung использует уникальную технологию литографии, которая пробивает более 90 слоев за один точный шаг. В связи с этим чип получает в 1,5 раза больше уложенных слоев, чем предыдущее поколение, а также размер чипа уменьшается на 25%. Такие инновации позволяют минимизировать общее увеличение углеродных выбросов и водопотребления при производстве каждого слоя модулей V-NAND.

На состоявшейся церемонии Министерство охраны окружающей среды Кореи также присвоило компании Samsung маркировки Экологической декларации продукции (EPD), отметив накопитель eUFS 2.1 емкостью 1 ТБ и V-NAND пятого поколения емкостью 512 ГБ.

Samsung намерена активно внедрять надежные, высокопроизводительные решения памяти во  многие флагманские смартфоны, а также продолжать укрепление отношений с глобальными партнерами для создания технологий памяти следующего поколения.

^[1] PAS 2050 для углеродного выброса и ISO 14046 для водопотребления

Экологический след Samsung eUFS 3.0 емкостью 512 ГБ (Carbon Trust):

* 13,4 кг CO₂ сравнимо с объемом углерода, поглощаемым двумя 30-летними соснами за год

 Полупроводниковые решения Samsung, получившие экологические сертификации:

Наличием режима «автопилота» в авто сегодня никого не удивишь, бортовые системы автомобилей становятся «умными», увеличиваются объемы данных, анализируемых и обрабатываемых внутренними устройствами машин и т. д. Все это позволяет повысить безопасность вождения автомобилем и сделать этот процесс комфортным для человека.

Samsung Electronics вносит свой вклад в формирование будущего безопасных систем автономного вождения, предлагая решения для высокоскоростной связи между машиной и водителем, обработки, хранения и доступа к информации.

Например, благодаря высокой скорости работы eUFS, автомобильные системы могут включаться всего за 2 секунды, обеспечивая мгновенный доступ к данным. Накопитель AutoSSD хранит картографические данные для автономного вождения. Модули памяти LPDDR5 DRAM используют высокоразвитую и оптимизированную по скорости схемную архитектуру с низким энергопотреблением для мгновенной передачи информации с автомобильных датчиков, а память GDDR6 DRAM со сверхвысокой пропускной способностью использует для хранения и обработки данных алгоритмы глубокого обучения и искусственного интеллекта.

На видео продемонстрированы новейшие разработки Samsung для автономного вождения, которые являются одним из стратегических направлений компании: искусственный интеллект, 5G, биофармацевтика и автомобильные компоненты для будущих беспилотных автомобилей.

«Встроенный модуль eUFC емкостью 1ТБ будет критически важным для обеспечения опыта использования мобильных устройств следующего поколения как на ноутбуке», – прокомментировал Чеол Чой (Cheol Choi), исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу подразделения памяти в Samsung Electronics. – «Samsung стремится обеспечить наиболее надежную цепочку поставок и достаточные объемы производства для будущих флагманских смартфонов с целью ускорения роста мирового рынка мобильных устройств».

eUFS емкостью 1 ТБ также обладает исключительной скоростью, что позволяет передавать большие объемы мультимедийного контента в кратчайшее время. Новый накопитель обеспечивает скорость до 1000 Мб/с – вдвое больше, чем стандартный 2,5-дюймовый твердотельный накопитель SATA (SSD). Это означает, что видео в формате Full HD размером 5 ГБ можно переписать на NVMe SSD всего за пять секунд, что в 10 раз быстрее, чем позволяет обычная карта microSD. Скорость случайного чтения по сравнению с версией 512 ГБ увеличилась на 38% и достигла 58 000 IOPS. Произвольная запись выполняется в 500 раз быстрее, чем позволяют высокопроизводительные карты microSD (100 IOPS), – ее скорость может достигать 50 000 IOPS. Это позволяет осуществлять высокоскоростную непрерывную съемку со скоростью 960 кадров в секунду, благодаря чему владельцы флагманских устройств смогут в полной мере использовать все возможности многокамерной съемки.

Samsung намерена расширять производство своих V-NAND пятого поколения емкостью 512 ГБ на заводе в городе Пхёнтэк, Корея, в первой половине 2019 года, чтобы полностью удовлетворить ожидаемый высокий спрос на eUFS емкостью 1 ТБ со стороны производителей мобильных устройств по всему миру.

* Справка: Сравнение производительности памяти смартфонов: