Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых полупроводниковых технологий, представила расширенное портфолио инновационных микросхем для автомобильной промышленности Европы, Ближнего Востока и Африки.

Поскольку полупроводники в этом регионе востребованы в широком спектре отраслей, включая авто, потребительскую электронику, сетевые технологии и Интернет вещей (IoT), Samsung представила ряд специализированных технологий, таких как FD-SOI, радиочастота (RF) и встроенная память, а также полный набор узлов процесса. Для повышения доступности полупроводниковых решений компания продемонстрировала инновационные платформы, которые объединяют ключевые технические элементы для развертывания решений на базе 5G, IoT, высокопроизводительных вычислений (HPC) для создания «умных» авто.

«В связи с активным развитием европейской автомобильной промышленности, рынок полупроводниковых решений для этой отрасли привлекает значительное внимание и, как ожидается, будет стремительно развиваться, чтобы удовлетворить растущий спрос в области автономных авто и электромобилей», – отметил д-р И Эс Джанг (ES Jung), президент и глава направления производства полупроводников в компании Samsung Electronics.

В настоящее время Samsung производит несколько полупроводниковых продуктов для автомобилей, таких как помощник по вождению и информационно-развлекательные системы, в основном на базе 28-нанометровых (нм) FD-SOI и 14-нм техпроцессов. Для того, чтобы удовлетворить растущие запросы клиентов, Samsung планирует в ближайшем будущем представить решения на базе техпроцессов до 8 нм.

Samsung также уделяет особое внимание функциональной безопасности и надежности компонентов, что имеет решающее значение в автомобильной промышленности, поскольку любой сбой может привести аварии, травме или другим серьезным последствиям. Компания уже доказала свою способность разрабатывать решения, соответствующие стандартам автомобильной индустрии, и получила сертификат ISO 26262 компании TÜV Rheinland, а также требованиям надежности AEC-Q100 и системы управления качеством IATF 16969.

Технологический процесс 28FD-SOI предусматривает более эффективное управление транзисторами и минимизацию токов утечки за счет управления напряжением смещения относительно корпуса (body-bias control). Благодаря этому представленное Samsung решение eMRAM обеспечивает преимущества для различных сфер применения микроконтроллеров, устройств Интернета вещей и технологий искусственного интеллекта.

Поскольку технология eFlash столкнулась с проблемами масштабируемости, обусловленными тем, что она опирается на принцип накопления заряда, наиболее многообещающим преемником для нее стала технология eMRAM. Магниторезистивный эффект, лежащий в ее основе, предполагает высокую масштабируемость и обеспечивает превосходные технические характеристики, в том числе энергонезависимость, возможность произвольного доступа и высокую износостойкость.

Представленное Samsung решение eMRAM на базе 28FDS обеспечивает преимущества с точки зрения энергопотребления и скорости при меньшей стоимости. Скорость записи у этой технологии примерно в тысячу раз выше, чем у eFlash, так как eMRAM не требует цикла стирания перед записью данных. Кроме того, память eMRAM использует более низкие уровни напряжения, чем eFlash, и не потребляет энергию в выключенном режиме, за счет чего достигается более высокая энергоэффективность.

Поскольку модуль eMRAM можно с легкостью интегрировать в конце технологического процесса (back-end of the process) с добавлением минимального числа слоев, он в меньшей степени зависит от первых стадий (front-end), что предполагает простую интеграцию с уже существующими технологиями изготовления логики. Благодаря «встраиваемой» (plug-in) модульной концепции заказчики получают возможность использования уже существующей инфраструктуры проектирования, даже с новой технологией eMRAM, что ведёт к снижению издержек.

«Мы очень гордимся нашими достижениями в области технологий встроенной энергонезависимой памяти (eNVM) и рады, что сумели преодолеть сложности, обусловленные использованием новых материалов, – говорит Райан Ли (Ryan Lee), вице-президент по маркетингу полупроводниковых решений Samsung Electronics. – Интегрируя eMRAM с существующими технологиями изготовления логики, Samsung продолжает расширять портфель процессов eNVM, предлагая новые решения для удовлетворения потребностей клиентов и рынка».

В течение ближайшего года Samsung намерена расширить портфолио решений eNVM высокой плотности, в частности, передать в производство тестовый чип eMRAM емкостью 1ГБ.