<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><?xml-stylesheet title="XSL_formatting" type="text/xsl" href="https://news.samsung.com/ru/wp-content/plugins/btr_rss/btr_rss.xsl"?><rss version="2.0"
     xmlns:content="http://purl.org/rss/1.0/modules/content/"
     xmlns:wfw="http://wellformedweb.org/CommentAPI/"
     xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/"
     xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom"
     xmlns:sy="http://purl.org/rss/1.0/modules/syndication/"
     xmlns:slash="http://purl.org/rss/1.0/modules/slash/"
	>
	<channel>
		<title>LPDDR5 &#8211; Samsung Newsroom Россия</title>
		<atom:link href="https://news.samsung.com/ru/tag/lpddr5/feed" rel="self" type="application/rss+xml" />
		<link>https://news.samsung.com/ru</link>
        <image>
            <url>https://img.global.news.samsung.com/image/newlogo/logo_samsung-newsroom_ru.png</url>
            <title>LPDDR5 &#8211; Samsung Newsroom Россия</title>
            <link>https://news.samsung.com/ru</link>
        </image>
        <currentYear>2021</currentYear>
        <cssFile>https://news.samsung.com/ru/wp-content/plugins/btr_rss/btr_rss_xsl.css</cssFile>
		<description>What's New on Samsung Newsroom</description>
		<lastBuildDate>Wed, 08 Apr 2026 13:27:28 +0000</lastBuildDate>
		<language>en-US</language>
		<sy:updatePeriod>hourly</sy:updatePeriod>
		<sy:updateFrequency>1</sy:updateFrequency>
					<item>
				<title>Функции флагманских смартфонов появятся на недорогих устройствах благодаря модулям LPDDR5 uMCP от Samsung</title>
				<link>https://news.samsung.com/ru/features-of-flagship-smartphones-will-appear-on-samsung-low-cost-devices-thanks-to-lpddr5-umcp-modules?utm_source=rss&amp;utm_medium=direct</link>
				<pubDate>Wed, 16 Jun 2021 18:03:03 +0000</pubDate>
						<category><![CDATA[Мобильные устройства]]></category>
		<category><![CDATA[Полупроводники]]></category>
		<category><![CDATA[5G]]></category>
		<category><![CDATA[DRAM]]></category>
		<category><![CDATA[LPDDR5]]></category>
		<category><![CDATA[UFS 3.1 NAND]]></category>
                <guid isPermaLink="false">https://bit.ly/3wywzZQ</guid>
									<description><![CDATA[Новейшие модули, которые объединяют оперативную и флеш-память в одном корпусе, начнут]]></description>
																<content:encoded><![CDATA[<p><em>Новейшие модули, которые объединяют оперативную и флеш-память в одном корпусе, начнут устанавливать в смартфоны средней ценовой категории, а также на флагманские модели уже в этом месяце. Благодаря им технология 5</em><em>G</em><em> <span>станет доступна широкому кругу пользователей.</span></em></p>
<p>&nbsp;</p>
<p>Компания Samsung Electronics запустила массовое производство новейшего решения в сфере памяти для смартфонов – модулей LPDDR5 uMCP (UFS-based multichip package). Новые модули объединяют самую быструю оперативную память LPDDR5 и флэш-память UFS 3.1 NAND в одном корпусе. Благодаря решению Samsung <span>станет возможен выпуск доступных смартфонов с производительностью устройств флагманского уровня.</span></p>
<p><img class="alignnone size-large wp-image-17427" src="https://img.global.news.samsung.com/ru/wp-content/uploads/2021/06/edit-2-1024x637.jpg" alt="" width="1024" height="637" srcset="https://img.global.news.samsung.com/ru/wp-content/uploads/2021/06/edit-2-1024x637.jpg 1024w, https://img.global.news.samsung.com/ru/wp-content/uploads/2021/06/edit-2-905x563.jpg 905w, https://img.global.news.samsung.com/ru/wp-content/uploads/2021/06/edit-2-768x478.jpg 768w" sizes="(max-width: 1024px) 100vw, 1024px" /></p>
<p>Построенный на базе новейших мобильных интерфейсов DRAM и NAND, uMCP от Samsung обеспечивает высокую скорость работы и большой объем памяти при очень низком энергопотреблении. Благодаря этому сочетанию широкий круг пользователей  получит доступ к функциям, которые ранее были доступны только на смартфонах премиум-класса: 5G, непрерывная потоковая передача, передовые технологии фотосъемки, игры с современной графикой и дополненная реальность (AR).</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>Это стало возможно, поскольку производительность оперативной памяти LPDDR5 выросла почти на 50% по сравнению с предыдущим поколением LPDDR4X – с 17 гигабайт в секунду (ГБ/с) до 25 ГБ/с, а производительность флэш-памяти NAND удвоилась – с 1,5 ГБ/с до 3 ГБ/с.</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>Новый uMCP также позволяет максимально эффективно использовать пространство внутри смартфона за счет интеграции памяти DRAM и NAND в едином компактном корпусе размером всего 11,5 x 13 мм, поэтому для других компонентов остается больше места. Благодаря объему DRAM от 6 ГБ до 12 ГБ и емкости встроенной памяти от 128 ГБ до 512 ГБ Samsung uMCP подходит для широкого ряда 5G-смартфонов в среднем и высоком ценовых сегментах.</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>Samsung успешно завершила тестирование совместимости LPDDR5 uMCP с рядом мировых производителей смартфонов. Компания ожидает, что производство устройств с новым чипом начнется уже в этом месяце.</p>
]]></content:encoded>
																				</item>
					<item>
				<title>Samsung увеличила объем модулей памяти LPDDR5 DRAM до 16 Гбайт</title>
				<link>https://news.samsung.com/ru/samsung_16gb_lpddr5_dram?utm_source=rss&amp;utm_medium=direct</link>
				<pubDate>Tue, 25 Feb 2020 15:51:54 +0000</pubDate>
						<category><![CDATA[Полупроводники]]></category>
		<category><![CDATA[16Гб LPDDR5]]></category>
		<category><![CDATA[5G]]></category>
		<category><![CDATA[AI]]></category>
		<category><![CDATA[LPDDR5]]></category>
		<category><![CDATA[Samsung 16Гб LPDDR5 DRAM]]></category>
                <guid isPermaLink="false">http://bit.ly/2T0X3Cd</guid>
									<description><![CDATA[Samsung Electronics объявляет о массовом производстве первого в отрасли 16-гигабайтного]]></description>
																<content:encoded><![CDATA[<p>Samsung Electronics объявляет о массовом производстве первого в отрасли 16-гигабайтного мобильного пакета LPDDR5 DRAM для смартфонов премиум-класса следующего поколения. Новая версия модуля получила расширенные функции 5G и AI и за счет добавленной емкости память больше подходит для графически требовательного гейминга и «умной» фотографии. Выпуск предыдущей модели памяти, LPDDR5 объемом 12 Гбайт, Samsung начала в июле 2019 года.</p>
<p>&nbsp;</p>
<p><img class="alignnone size-full wp-image-10340" src="https://img.global.news.samsung.com/ru/wp-content/uploads/2020/02/LPDDR5_16GB_A.jpg" alt="" width="2000" height="1415" srcset="https://img.global.news.samsung.com/ru/wp-content/uploads/2020/02/LPDDR5_16GB_A.jpg 2000w, https://img.global.news.samsung.com/ru/wp-content/uploads/2020/02/LPDDR5_16GB_A-577x408.jpg 577w, https://img.global.news.samsung.com/ru/wp-content/uploads/2020/02/LPDDR5_16GB_A-768x543.jpg 768w, https://img.global.news.samsung.com/ru/wp-content/uploads/2020/02/LPDDR5_16GB_A-1024x724.jpg 1024w" sizes="(max-width: 2000px) 100vw, 2000px" /></p>
<p>&nbsp;</p>
<p>Скорость передачи данных у модуля LPDDR5 объемом 16 Гбайт составляет 5500 Мбит/с, что примерно в 1,3 раза выше показателя мобильной памяти предыдущего поколения LPDDR4X (4266 Мбит/с). По сравнению с 8-гигабайтным пакетом LPDDR4X новая мобильная DRAM обеспечивает свыше 20% экономии энергии при увеличенной в 2 раза емкости. Кроме того, 16-гигабайтный LPDDR5-пакет для мобильных ПК состоит из восьми 12-гигабитных и четырех 8-гигабитных чипов, благодаря чему премиальные смартфоны обладают вдвое большей емкостью DRAM, чем многие ноутбуки и игровые компьютеры.</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>Во второй половине 2020 года компания также планирует начать массовый выпуск 16-гигабитных модулей LPDDR5. Они будут основаны на технологии 10-нм (1z) третьего поколения в соответствии с разработкой чипсета 6400 Мбит/с. Непрерывно развивая подобные инновации, Samsung намерена укрепить свои конкурентные преимущества на рынках премиальных мобильных устройств, высококлассных ПК и «умных» авто.</p>
<p>&nbsp;</p>
<p><strong>Хронология производства мобильной </strong><strong>DRAM</strong><strong> от </strong><strong>Samsung</strong></p>
<p><strong> </strong></p>
<table width="0">
<tbody>
<tr>
<td width="104"><strong>Дата</strong></td>
<td width="104"><strong>Объем памяти</strong></td>
<td width="350"><strong>Mobile DRAM</strong></td>
</tr>
<tr>
<td width="104">Декабрь 2019</td>
<td width="104">16GB</td>
<td width="350">10nm-class 12Gb+8Gb LPDDR5, 5500Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td width="104">Сентябрь 2019</td>
<td width="104">12GB</p>
<p>(uMCP)</td>
<td width="350">10nm-class 24Gb LPDDR4X, 4266Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td width="104">Июль 2019</td>
<td width="104">12GB</td>
<td width="350">10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td width="104">Июнь 2019</td>
<td width="104">6GB</td>
<td width="350">10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td width="104">Февраль 2019</td>
<td width="104">12GB</td>
<td width="350">10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td width="104">Июль 2018</td>
<td width="104">8GB</td>
<td width="350">10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td width="104">Апрель 2018</td>
<td width="104">8GB (разработка)</td>
<td width="350">10nm-class 8Gb LPDDR5, 6400Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td width="104">Сентябрь 2016</td>
<td width="104">8GB</td>
<td width="350">10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td width="104">Август 2015</td>
<td width="104">6GB</td>
<td width="350">20nm 12Gb LPDDR4, 4266Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td width="104">Декабрь 2014</td>
<td width="104">4GB</td>
<td width="350">20nm 8Gb LPDDR4, 3200Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td width="104">Сентябрь 2014</td>
<td width="104">3GB</td>
<td width="350">20nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td width="104">Ноябрь 2013</td>
<td width="104">3GB</td>
<td width="350">20nm-class 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td width="104">Июль 2013</td>
<td width="104">3GB</td>
<td width="350">20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td width="104">Апрель 2013</td>
<td width="104">2GB</td>
<td width="350">20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td width="104">Август 2012</td>
<td width="104">2GB</td>
<td width="350">30nm-class 4Gb LPDDR3, 1600Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td width="104">2011</td>
<td width="104">1/2GB</td>
<td width="350">30nm-class 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td width="104">2010</td>
<td width="104">512MB</td>
<td width="350">40nm-class 2Gb MDDR, 400Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td width="104">2009</td>
<td width="104">256MB</td>
<td width="350">50nm-class 1Gb MDDR, 400Mb/s</td>
</tr>
</tbody>
</table>
]]></content:encoded>
																				</item>
					<item>
				<title>Samsung запускает массовое производство первых в отрасли модулей памяти 12Гбит LPDDR5 DRAM для флагманских смартфонов</title>
				<link>https://news.samsung.com/ru/samsung-zapuskaet-massovoe-proizvodstvo-pervykh-v-otrasli-moduley-pamyati-12gbit-lpddr5-dram?utm_source=rss&amp;utm_medium=direct</link>
				<pubDate>Fri, 19 Jul 2019 10:39:13 +0000</pubDate>
						<category><![CDATA[Полупроводники]]></category>
		<category><![CDATA[5G]]></category>
		<category><![CDATA[DRAM]]></category>
		<category><![CDATA[LPDDR4X]]></category>
		<category><![CDATA[LPDDR5]]></category>
		<category><![CDATA[ИИ]]></category>
                <guid isPermaLink="false">http://bit.ly/2O7rLZK</guid>
									<description><![CDATA[Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о]]></description>
																<content:encoded><![CDATA[<p><img class="alignnone size-full wp-image-7475" src="https://img.global.news.samsung.com/ru/wp-content/uploads/2019/07/Samsung-12Gb-LPDDR5_3.jpg" alt="" width="2000" height="1415" srcset="https://img.global.news.samsung.com/ru/wp-content/uploads/2019/07/Samsung-12Gb-LPDDR5_3.jpg 2000w, https://img.global.news.samsung.com/ru/wp-content/uploads/2019/07/Samsung-12Gb-LPDDR5_3-577x408.jpg 577w, https://img.global.news.samsung.com/ru/wp-content/uploads/2019/07/Samsung-12Gb-LPDDR5_3-768x543.jpg 768w, https://img.global.news.samsung.com/ru/wp-content/uploads/2019/07/Samsung-12Gb-LPDDR5_3-1024x724.jpg 1024w" sizes="(max-width: 2000px) 100vw, 2000px" /></p>
<p>Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о начале массового производства первой в отрасли 12-гигабитной мобильной DRAM-памяти LPDDR5, которая была оптимизирована для эффективной работы функций с применением 5G и ИИ на будущих смартфонах. Выпуск новых модулей начался всего через пять месяцев после старта производства 12 Гбит LPDDR4X &#8211; модулей предыдущего поколения, что доказывает лидерство Samsung на рынке памяти класса премиум.</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>Учитывая растущий спрос на компоненты с более высокой производительностью для смартфонов со стороны производителей премиальных мобильных устройств, в конце июля Samsung также намерена начать массовое производство 12-гигабитных планок памяти LPDDR5, каждая из которых будет объединять 8 чипов.</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>«Запуская массовое производство модулей 12 Гбит LPDDR5 второго поколения Samsung, выполненных по 10-нм техпроцессу, мы рады способствовать скорейшему запуску флагманских смартфонов с поддержкой 5G для наших клиентов во всем мире. Samsung по-прежнему стремится быстро внедрять технологии мобильной памяти нового поколения с более высокими емкостью и производительностью, продолжая активно стимулировать рост рынка памяти премиум-класса», &#8211; прокомментировал исполнительный директор и вице-президент Samsung Electronics по продуктам и технологиям DRAM Джун-Бай Ли (Jung-bae Lee).</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>Благодаря лучшим в отрасли скорости и энергоэффективности, новая мобильная DRAM от Samsung позволит флагманским смартфонам следующего поколения использовать весь потенциал функций 5G и ИИ, таких как запись видео сверхвысокого разрешения и машинное обучение, значительно при этом увеличивая время автономной работы устройств.</p>
<p>Обеспечивая скорость передачи данных 5500 Мбит/c, 12-гигабитная LPDDR5 работает примерно в 1,3 раза быстрее, чем мобильная память предыдущего поколения (LPDDR4X, 4266 Мбит/с), используемая в современных флагманских смартфонах. В 12-гигабитной планке модуль LPDDR5 способен всего за секунду передать 44 ГБ данных, что по объему равно около 12 фильмам в формате Full HD размером 3,7 ГБ каждый. Новый чип также потребляет на 30 процентов меньше энергии, чем его предшественник, благодаря интеграции новой конструкции схемы с улучшенными функциями тактирования, обучения и малым энергопотреблением, что обеспечивает стабильную производительность даже при работе смартфона на высокой скорости.</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>Для оптимизации производственных мощностей Samsung намерена перенести производство своих 12 Гбит LPDDR5 чипов на завод в Пхёнтхэке (Корея), начиная со следующего года, в зависимости от спроса со стороны клиентов. Кроме того, в следующем году компания планирует укрепить лидерские позиции на мировом рынке, начав разработку 16-гигабитной LPDDR5 памяти.</p>
<p>&nbsp;</p>
<table width="0">
<tbody>
<tr>
<td width="123"><strong>Дата</strong></td>
<td width="113"><strong>Объем памяти</strong></td>
<td width="321"><strong>Mobile DRAM</strong></td>
</tr>
<tr>
<td width="123"><strong>Июль 2019</strong></td>
<td width="113">12ГБ</td>
<td width="321">10-нм 12ГБ LPDDR5, 5500 Мбит/с</td>
</tr>
<tr>
<td width="123"><strong>Июнь 2019</strong></td>
<td width="113">6ГБ</td>
<td width="321">10-нм 12ГБ LPDDR5, 5500 Мбит/с</td>
</tr>
<tr>
<td width="123"><strong>Февраль. 2019</strong></td>
<td width="113">12ГБ</td>
<td width="321">10-нм 16ГБ LPDDR4X, 4266 Мбит/с</td>
</tr>
<tr>
<td width="123"><strong>Апрель 2018</strong></td>
<td width="113">8ГБ (в разработке)</td>
<td width="321">10-нм 8ГБ LPDDR5, 6400 Мбит/с</td>
</tr>
<tr>
<td width="123"><strong>Сентябрь. 2016</strong></td>
<td width="113">8ГБ</td>
<td width="321">10-нм 16ГБ LPDDR4X, 4266 Мбит/с</td>
</tr>
<tr>
<td width="123"><strong>Август 2015</strong></td>
<td width="113">6ГБ</td>
<td width="321">20-нм 12ГБ LPDDR4, 4266 Мбит/с</td>
</tr>
<tr>
<td width="123"><strong>Декабрь. 2014</strong></td>
<td width="113">4ГБ</td>
<td width="321">20-нм 8ГБ LPDDR4, 3200 Мбит/с</td>
</tr>
<tr>
<td width="123"><strong>Сентябрь. 2014</strong></td>
<td width="113">3ГБ</td>
<td width="321">20-нм 6ГБ LPDDR3, 2133 Мбит/с</td>
</tr>
<tr>
<td width="123"><strong>Ноябрь 2013</strong></td>
<td width="113">3ГБ</td>
<td width="321">20-нм 6ГБ LPDDR3, 2133 Мбит/с</td>
</tr>
<tr>
<td width="123"><strong>Июль 2013</strong></td>
<td width="113">3ГБ</td>
<td width="321">20-нм 4ГБ LPDDR3, 2133 Мбит/с</td>
</tr>
<tr>
<td width="123"><strong>Апрель 2013</strong></td>
<td width="113">2ГБ</td>
<td width="321">20-нм 4ГБ LPDDR3, 2133 Мбит/с</td>
</tr>
<tr>
<td width="123"><strong>Август 2012</strong></td>
<td width="113">2ГБ</td>
<td width="321">30-нм4ГБ LPDDR3, 1600 Мбит/с</td>
</tr>
<tr>
<td width="123"><strong>2011</strong></td>
<td width="113">1/2ГБ</td>
<td width="321">30-нм 4ГБ LPDDR2, 1066 Мбит/с</td>
</tr>
<tr>
<td width="123"><strong>2010</strong></td>
<td width="113">512МБ</td>
<td width="321">40-нм 2ГБ MDDR, 400 Мбит/с</td>
</tr>
<tr>
<td width="123"><strong>2009</strong></td>
<td width="113">256МБ</td>
<td width="321">50-нм 1ГБ MDDR, 400 Мбит/с</td>
</tr>
</tbody>
</table>
]]></content:encoded>
																				</item>
			</channel>
</rss>
