Новая линия позволит компании Samsung укрепить лидерские позиции в области нанометровых технологий и удовлетворить потребности современного рынка в микроэлектронных компонентах для производства мобильных устройств, серверов, сетевых систем и высокопроизводительных вычислительных комплексов, которым важны высокая производительность и экономичность.

Как ожидается, завершение монтажа линии намечено на вторую половину 2019 года, а промышленное производство – на 2020 год. Первоначальные инвестиции в новую EUV линию к 2020 году, по прогнозам, составят 6 млрд. долл., а дополнительные инвестиции будут определяться потребностями рынка.

«С появлением новой EUV линии г. Хвасон станет центром полупроводникового кластера Samsung, охватывающего корейские города Джихьюнг, Хвасон и Пьенгтек, – заявил Ки-Нам Ким, президент и исполнительный директор департамента Device Solutions компании Samsung Electronics. – «Эта линия позволит компании Samsung сохранить свое лидерство среди конкурентов накануне приближающейся Четвертой промышленной революции».

Компания Samsung решила использовать инновационную технологию EUV литографии для производства микроэлектронных компонент по 7-нанометровому (нм) LPP (Low Power Plus) процессу. Новая линия будет оснащена оборудованием для EUV литографии в глубоком ультрафиолете, которое позволит преодолеть ограничения современных нано-технологий. Samsung продолжает инвестировать в НИР и НИОКР в области EUV, чтобы поддерживать своих глобальных клиентов, создающих микросхемы следующего поколения, базирующиеся на этой передовой технологии.