▲ Руководители Samsung Foundry Business и Исследовательского центра полупроводников поднимают три пальца в знак 3-нм техпроцесса, отмечая запуск первого в истории компании производства полупроводников по 3-нм техпроцессу с архитектурой GAA.

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области полупроводниковых технологий, объявила о запуске 3-нанометрового (нм) технологического производственного узла с применением архитектуры транзисторов Gate-All-Around (GAA).

Впервые реализованная Samsung технология GAA, Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET), преодолевает ограничение производительности FinFET-транзисторов, повышая эффективность энергопотребления за счет снижения уровня напряжения питания, а также увеличивая производительность за счет увеличения пропускной способности.

Samsung начнет использовать нанолистовые транзисторы с полупроводниковыми чипами для высокопроизводительных вычислений с низким энергопотреблением, а затем внедрит технологию в мобильные процессоры.

«Компания Samsung быстро растет, мы продолжаем лидировать в применении производственных технологий следующего поколения, таких как технология производства полупроводников High-k, FinFET-транзисторы, а также EUV (экстремальная ультрафиолетовая литография). Мы стремимся сохранить это лидерство благодаря первому в мире 3-нанометровому техпроцессу с MBCFET», — отметил доктор Сиенг Чой, президент и руководитель литейного производства Samsung Electronics. «Мы продолжим создавать конкурентоспособные технологии и разрабатывать процессы, которые помогут им быстрее достигать стадии зрелости».

▲ (Слева направо) Майкл Джонг, корпоративный вице-президент; Джа-Хум Ку, корпоративный исполнительный вице-президент; и Санг Бом Кан, корпоративный вице-президент Samsung Foundry Business, держат 3-нм пластины на производственной линии Samsung Electronics Hwaseong Campus.

Оптимизация дизайна и технологий для улучшения производительности, энергопотребления и площади

В запатентованной технологии Samsung используются нанолисты с более широкими каналами, что обеспечивает повышение производительности и энергоэффективности по сравнению с технологией Gate-All-Around (GAA), использующей нанопроволоки с более узкими каналами. Благодаря 3-нм технологии GAA, Samsung сможет регулировать ширину канала нанолиста, чтобы оптимизировать энергопотребление и производительность для удовлетворения разных потребностей пользователей.

Кроме того, гибкость конструкции GAA открывает широкие возможности для Совместной оптимизации технологий проектирования (DTCO)¹, что позволяет улучшить показатели PPA: производительности, энергопотребления и площади. По сравнению с 5-нм техпроцессом, 3-нм техпроцесс первого поколения позволит снизить энергопотребление на 45%, повысить производительность на 23% и уменьшить площадь на 16%, в то время как 3-нм техпроцесс второго поколения снизит энергопотребление на 50%, повысит производительность на 30% и уменьшит площадь на 35%.

3-нм проектная инфраструктура и сервисы с партнерами SAFE

По мере того как технологические узлы становятся меньше, а потребности в производительности чипов растут, разработчики интегральных схем сталкиваются с проблемами обработки огромных объемов данных для проверки сложных продуктов с большим количеством функций и комплексным масштабированием. Чтобы удовлетворить такие запросы, Samsung стремится предоставить стабильную среду проектирования, которая сократит время разработки, проверки и утверждения интегральных схем, а также повысит надежность продуктов.

С третьего квартала 2021 года Samsung предоставляет проверенную инфраструктуру для проектирования в партнерстве с участниками экосистемы SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem), которая включает компании Ansys, Cadence, Siemens и Synopsys, помогая клиентам совершенствовать свои продукты в более короткие сроки.

Цитаты партнеров SAFE

• Ansys, [Джон Ли, вице-президент и генеральный директор подразделения электроники, полупроводников и оптики в Ansys]

«Вместе Ansys и Samsung продолжают создавать передовые технологии для самых прогрессивных проектов — теперь на 3-нанометровом техпроцессе с технологией GAA. Надежность платформы мультифизического моделирования Ansys является ярким подтверждением нашего тесного сотрудничества партнерства с Samsung Foundry. Компания Ansys делает все, чтобы предоставить лучшие возможности проектирования для наших общих клиентов».

• Cadence, [Том Бекли, старший вице-президент и генеральный директор группы нестандартных микросхем и печатных плат в Cadence]

«Мы поздравляем Samsung с выпуском 3-нанометровой технологии GAA. Cadence тесно сотрудничала с Samsung Foundry, чтобы добиться оптимального энергопотребления, производительности и площади этого технологического узла с использованием наших цифровых решений и технологии Cadence Cerebrus на основе искусственного интеллекта. Сотрудничая с Samsung, мы задействовали производственный процесс AMS для повышения эффективности на всех этапах, от проектирования схем до автоматизации компоновки. Мы с нетерпением ждем продолжения нашего сотрудничества, чтобы добиться новых вершин!»

• Siemens EDA, [Джо Савики, исполнительный вице-президент сегмента IC–EDA Siemens Digital Industries Software]

«Siemens EDA рада сотрудничеству с Samsung, которое гарантирует, что наши существующие программные платформы поддерживают новый 3-нанометровый технологический узел Samsung. Наше давнее партнерство с Samsung в рамках программы SAFE представляет значительную ценность для наших клиентов благодаря сертификации ведущих в отрасли инструментов автоматизации проектирования электроники (EDA) Siemens на 3-нанометровом техпроцессе».

• Synopsys, [Шанкар Кришнамурти, генеральный директор и корпоративный персонал группы по реализации кремния в Synopsys]

«Благодаря давнему партнерству с Samsung Foundry мы обеспечиваем нашим решениям поддержку передовых технологий Samsung, помогая клиентам ускорять циклы проектирования. Наша поддержка 3-нм техпроцесса Samsung с архитектурой GAA продолжает расширяться, а совместное использование технологии с продуктами Synopsys Digital Design, Analog Design и IP позволяет предоставлять клиентам разнообразные SoC-системы для высокопроизводительных вычислений».

[1] Узнайте больше о Совместной оптимизации технологий проектирования (DTCO), посетив ссылки ниже:
В поисках оптимального для лучшего. Часть 1
В поисках оптимального для лучшего. Часть 2