<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><?xml-stylesheet title="XSL_formatting" type="text/xsl" href="https://news.samsung.com/ru/wp-content/plugins/btr_rss/btr_rss.xsl"?><rss version="2.0"
     xmlns:content="http://purl.org/rss/1.0/modules/content/"
     xmlns:wfw="http://wellformedweb.org/CommentAPI/"
     xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/"
     xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom"
     xmlns:sy="http://purl.org/rss/1.0/modules/syndication/"
     xmlns:slash="http://purl.org/rss/1.0/modules/slash/"
	>
	<channel>
		<title>Samsung Advanced Foundry Ecosystem &#8211; Samsung Newsroom Россия</title>
		<atom:link href="https://news.samsung.com/ru/tag/samsung-advanced-foundry-ecosystem/feed" rel="self" type="application/rss+xml" />
		<link>https://news.samsung.com/ru</link>
        <image>
            <url>https://img.global.news.samsung.com/image/newlogo/logo_samsung-newsroom_ru.png</url>
            <title>Samsung Advanced Foundry Ecosystem &#8211; Samsung Newsroom Россия</title>
            <link>https://news.samsung.com/ru</link>
        </image>
        <currentYear>2022</currentYear>
        <cssFile>https://news.samsung.com/ru/wp-content/plugins/btr_rss/btr_rss_xsl.css</cssFile>
		<description>What's New on Samsung Newsroom</description>
		<lastBuildDate>Wed, 08 Apr 2026 13:27:28 +0000</lastBuildDate>
		<language>en-US</language>
		<sy:updatePeriod>hourly</sy:updatePeriod>
		<sy:updateFrequency>1</sy:updateFrequency>
					<item>
				<title>Samsung начала производство чипов с использованием 3-нм техпроцесса с архитектурой GAA</title>
				<link>https://news.samsung.com/ru/samsung-has-started-manufacturing-chips-using-a-3-nm-process-technology-with-uaa-architecture?utm_source=rss&amp;utm_medium=direct</link>
				<pubDate>Thu, 30 Jun 2022 18:00:54 +0000</pubDate>
						<category><![CDATA[Материалы для СМИ]]></category>
		<category><![CDATA[Полупроводники]]></category>
		<category><![CDATA[3nm Gate-All-Around]]></category>
		<category><![CDATA[FinFET]]></category>
		<category><![CDATA[Gate-All-Around]]></category>
		<category><![CDATA[High-K Metal Gate Process Technology]]></category>
		<category><![CDATA[Multi-Bridge Channel Field Effect Transistor]]></category>
		<category><![CDATA[Samsung Advanced Foundry Ecosystem]]></category>
                <guid isPermaLink="false">https://bit.ly/3aJfrLm</guid>
									<description><![CDATA[Оптимизированный 3-нм техпроцесс обеспечивает снижение энергопотребления на 45%,]]></description>
																<content:encoded><![CDATA[<h3 style="text-align: center;"><em>Оптимизированный 3-нм техпроцесс обеспечивает снижение энергопотребления на 45%, повышение производительности на 23% и уменьшение площади на 16% по сравнению с 5-нм техпроцессом</em></h3>
<p>&nbsp;</p>
<div id="attachment_21845" style="width: 1010px" class="wp-caption alignnone"><img class="wp-image-21845 size-full" src="https://img.global.news.samsung.com/ru/wp-content/uploads/2022/07/3nm_Chip_Production_main1.jpg" alt="" width="1000" height="666" srcset="https://img.global.news.samsung.com/ru/wp-content/uploads/2022/07/3nm_Chip_Production_main1.jpg 1000w, https://img.global.news.samsung.com/ru/wp-content/uploads/2022/07/3nm_Chip_Production_main1-845x563.jpg 845w, https://img.global.news.samsung.com/ru/wp-content/uploads/2022/07/3nm_Chip_Production_main1-768x511.jpg 768w" sizes="(max-width: 1000px) 100vw, 1000px" /><p class="wp-caption-text">▲ Руководители Samsung Foundry Business и Исследовательского центра полупроводников поднимают три пальца в знак 3-нм техпроцесса, отмечая запуск первого в истории компании производства полупроводников по 3-нм техпроцессу с архитектурой GAA.</p></div>
<p>&nbsp;</p>
<p>Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области полупроводниковых технологий, объявила о запуске 3-нанометрового (нм) технологического производственного узла с применением архитектуры транзисторов Gate-All-Around (GAA).</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>Впервые реализованная Samsung технология GAA, Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET<img src="https://s.w.org/images/core/emoji/11/72x72/2122.png" alt="™" class="wp-smiley" style="height: 1em; max-height: 1em;" />), преодолевает ограничение производительности FinFET-транзисторов, повышая эффективность энергопотребления за счет снижения уровня напряжения питания, а также увеличивая производительность за счет увеличения пропускной способности.</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>Samsung начнет использовать нанолистовые транзисторы с полупроводниковыми чипами для высокопроизводительных вычислений с низким энергопотреблением, а затем внедрит технологию в мобильные процессоры.</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>«Компания Samsung быстро растет, мы продолжаем лидировать в применении производственных технологий следующего поколения, таких как технология производства полупроводников High-k, FinFET-транзисторы, а также EUV (экстремальная ультрафиолетовая литография). Мы стремимся сохранить это лидерство благодаря первому в мире 3-нанометровому техпроцессу с MBCFET<img src="https://s.w.org/images/core/emoji/11/72x72/2122.png" alt="™" class="wp-smiley" style="height: 1em; max-height: 1em;" />», — отметил доктор Сиенг Чой, президент и руководитель литейного производства Samsung Electronics. «Мы продолжим создавать конкурентоспособные технологии и разрабатывать процессы, которые помогут им быстрее достигать стадии зрелости».</p>
<p>&nbsp;</p>
<div id="attachment_21846" style="width: 1010px" class="wp-caption alignnone"><img class="wp-image-21846 size-full" src="https://img.global.news.samsung.com/ru/wp-content/uploads/2022/07/3nm_Chip_Production_main3.jpg" alt="" width="1000" height="666" srcset="https://img.global.news.samsung.com/ru/wp-content/uploads/2022/07/3nm_Chip_Production_main3.jpg 1000w, https://img.global.news.samsung.com/ru/wp-content/uploads/2022/07/3nm_Chip_Production_main3-845x563.jpg 845w, https://img.global.news.samsung.com/ru/wp-content/uploads/2022/07/3nm_Chip_Production_main3-768x511.jpg 768w" sizes="(max-width: 1000px) 100vw, 1000px" /><p class="wp-caption-text">▲ (Слева направо) Майкл Джонг, корпоративный вице-президент; Джа-Хум Ку, корпоративный исполнительный вице-президент; и Санг Бом Кан, корпоративный вице-президент Samsung Foundry Business, держат 3-нм пластины на производственной линии Samsung Electronics Hwaseong Campus.</p></div>
<p>&nbsp;</p>
<h3>Оптимизация дизайна и технологий для улучшения производительности, энергопотребления и площади</h3>
<p>&nbsp;</p>
<p>В запатентованной технологии Samsung используются нанолисты с более широкими каналами, что обеспечивает повышение производительности и энергоэффективности по сравнению с технологией Gate-All-Around (GAA), использующей нанопроволоки с более узкими каналами. Благодаря 3-нм технологии GAA, Samsung сможет регулировать ширину канала нанолиста, чтобы оптимизировать энергопотребление и производительность для удовлетворения разных потребностей пользователей.</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>Кроме того, гибкость конструкции GAA открывает широкие возможности для Совместной оптимизации технологий проектирования (DTCO)<em><span style="font-size: small;"><span style="font-size: small;"><sup>1</sup></span></span></em>, что позволяет улучшить показатели PPA: производительности, энергопотребления и площади. По сравнению с 5-нм техпроцессом, 3-нм техпроцесс первого поколения позволит снизить энергопотребление на 45%, повысить производительность на 23% и уменьшить площадь на 16%, в то время как 3-нм техпроцесс второго поколения снизит энергопотребление на 50%, повысит производительность на 30% и уменьшит площадь на 35%.</p>
<p>&nbsp;</p>
<p><img class="alignnone size-full wp-image-21847" src="https://img.global.news.samsung.com/ru/wp-content/uploads/2022/07/3nm_Chip_Production_main5.jpg" alt="" width="1000" height="747" srcset="https://img.global.news.samsung.com/ru/wp-content/uploads/2022/07/3nm_Chip_Production_main5.jpg 1000w, https://img.global.news.samsung.com/ru/wp-content/uploads/2022/07/3nm_Chip_Production_main5-754x563.jpg 754w, https://img.global.news.samsung.com/ru/wp-content/uploads/2022/07/3nm_Chip_Production_main5-768x574.jpg 768w" sizes="(max-width: 1000px) 100vw, 1000px" /></p>
<p>&nbsp;</p>
<h3>3-нм проектная инфраструктура и сервисы с партнерами SAFE<img src="https://s.w.org/images/core/emoji/11/72x72/2122.png" alt="™" class="wp-smiley" style="height: 1em; max-height: 1em;" /></h3>
<h3></h3>
<p>По мере того как технологические узлы становятся меньше, а потребности в производительности чипов растут, разработчики интегральных схем сталкиваются с проблемами обработки огромных объемов данных для проверки сложных продуктов с большим количеством функций и комплексным масштабированием. Чтобы удовлетворить такие запросы, Samsung стремится предоставить стабильную среду проектирования, которая сократит время разработки, проверки и утверждения интегральных схем, а также повысит надежность продуктов.</p>
<p>С третьего квартала 2021 года Samsung предоставляет проверенную инфраструктуру для проектирования в партнерстве с участниками экосистемы SAFE<img src="https://s.w.org/images/core/emoji/11/72x72/2122.png" alt="™" class="wp-smiley" style="height: 1em; max-height: 1em;" /> (Samsung Advanced Foundry Ecosystem), которая включает компании Ansys, Cadence, Siemens и Synopsys, помогая клиентам совершенствовать свои продукты в более короткие сроки.</p>
<p>&nbsp;</p>
<h3>Цитаты партнеров SAFE<img src="https://s.w.org/images/core/emoji/11/72x72/2122.png" alt="™" class="wp-smiley" style="height: 1em; max-height: 1em;" /></h3>
<p>&nbsp;</p>
<ul>
<li><em>Ansys</em><em>, [Джон Ли, вице-президент и генеральный директор подразделения электроники, полупроводников и оптики в </em><em>Ansys</em><em>]</em></li>
</ul>
<p>«Вместе Ansys и Samsung продолжают создавать передовые технологии для самых прогрессивных проектов — теперь на 3-нанометровом техпроцессе с технологией GAA. Надежность платформы мультифизического моделирования Ansys является ярким подтверждением нашего тесного сотрудничества партнерства с Samsung Foundry. Компания Ansys делает все, чтобы предоставить лучшие возможности проектирования для наших общих клиентов».</p>
<p>&nbsp;</p>
<ul>
<li><em>Cadence</em><em>, [Том Бекли, старший вице-президент и генеральный директор группы нестандартных микросхем и печатных плат в </em><em>Cadence</em><em>]</em></li>
</ul>
<p>«Мы поздравляем Samsung с выпуском 3-нанометровой технологии GAA. Cadence тесно сотрудничала с Samsung Foundry, чтобы добиться оптимального энергопотребления, производительности и площади этого технологического узла с использованием наших цифровых решений и технологии Cadence Cerebrus на основе искусственного интеллекта. Сотрудничая с Samsung, мы задействовали производственный процесс AMS для повышения эффективности на всех этапах, от проектирования схем до автоматизации компоновки. Мы с нетерпением ждем продолжения нашего сотрудничества, чтобы добиться новых вершин!»</p>
<p>&nbsp;</p>
<ul>
<li><em>Siemens</em> <em>EDA</em><em>, [Джо Савики, исполнительный вице-президент сегмента </em><em>IC</em><em>&#8211;</em><em>EDA</em> <em>Siemens</em> <em>Digital</em> <em>Industries</em> <em>Software</em><em>]</em></li>
</ul>
<p>«Siemens EDA рада сотрудничеству с Samsung, которое гарантирует, что наши существующие программные платформы поддерживают новый 3-нанометровый технологический узел Samsung. Наше давнее партнерство с Samsung в рамках программы SAFE<img src="https://s.w.org/images/core/emoji/11/72x72/2122.png" alt="™" class="wp-smiley" style="height: 1em; max-height: 1em;" /> представляет значительную ценность для наших клиентов благодаря сертификации ведущих в отрасли инструментов автоматизации проектирования электроники (EDA) Siemens на 3-нанометровом техпроцессе».</p>
<p>&nbsp;</p>
<ul>
<li><em>Synopsys</em><em>, [Шанкар Кришнамурти, генеральный директор и корпоративный персонал группы по реализации кремния в </em><em>Synopsys</em><em>]</em></li>
</ul>
<p>«Благодаря давнему партнерству с Samsung Foundry мы обеспечиваем нашим решениям поддержку передовых технологий Samsung, помогая клиентам ускорять циклы проектирования. Наша поддержка 3-нм техпроцесса Samsung с архитектурой GAA продолжает расширяться, а совместное использование технологии с продуктами Synopsys Digital Design, Analog Design и IP позволяет предоставлять клиентам разнообразные SoC-системы для высокопроизводительных вычислений».</p>
<p>&nbsp;</p>
<p><a href="#_ftnref1" name="_ftn1"></a><span></span></p>
<p>&nbsp;</p>
<p><em><span style="font-size: small;">[1] Узнайте больше о Совместной оптимизации технологий проектирования (DTCO), посетив ссылки ниже:<br />
<a href="https://semiconductor.samsung.com/us/newsroom/tech-blog/gaa-dtco-for-ppa/">В поисках оптимального для лучшего. Часть 1</a><br />
<a href="https://semiconductor.samsung.com/us/newsroom/tech-blog/gaa-dtco-for-ppa-part-2/">В поисках оптимального для лучшего. Часть 2 </a></span></em></p>
]]></content:encoded>
																				</item>
					<item>
				<title>Samsung укрепляет сервис клиентской поддержки с помощью новой программы SAFE</title>
				<link>https://news.samsung.com/ru/samsung-%d1%83%d0%ba%d1%80%d0%b5%d0%bf%d0%bb%d1%8f%d0%b5%d1%82-%d1%81%d0%b5%d1%80%d0%b2%d0%b8%d1%81-%d0%ba%d0%bb%d0%b8%d0%b5%d0%bd%d1%82%d1%81%d0%ba%d0%be%d0%b9-%d0%bf%d0%be%d0%b4%d0%b4%d0%b5%d1%80?utm_source=rss&amp;utm_medium=direct</link>
				<pubDate>Thu, 25 Jan 2018 09:51:02 +0000</pubDate>
						<category><![CDATA[Новости компании]]></category>
		<category><![CDATA[ASIC]]></category>
		<category><![CDATA[DM]]></category>
		<category><![CDATA[IP]]></category>
		<category><![CDATA[PDK]]></category>
		<category><![CDATA[SAFE]]></category>
		<category><![CDATA[Samsung Advanced Foundry Ecosystem]]></category>
		<category><![CDATA[Samsung Foundry]]></category>
		<category><![CDATA[SoC]]></category>
                <guid isPermaLink="false">http://bit.ly/2rVIofY</guid>
									<description><![CDATA[Samsung Electronics &#8211; мировой лидер в области передовых полупроводниковых технологий,]]></description>
																<content:encoded><![CDATA[<p>Samsung Electronics &#8211; мировой лидер в области передовых полупроводниковых технологий, объявляет о сохранении курса на закрепление и развитие успеха в области разработок чипов для сферы микроэлектронного производства и запускает программу Samsung Advanced Foundry Ecosystem (SAFE<sup>TM</sup>).</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>Программа SAFE<sup>TM</sup> разработана в тесном сотрудничестве между Samsung Foundry, партнерами по экосистеме и пользователями, с целью создания конкурентоспособных и надежных систем System on Chip (SoC), основанных на сертифицированных ключевых компонентах разработки, в том числе Process Design Kit (PDK), эталонных потоков с использованием Design Methodologies (DM), Intellectual Property (IP) и поддержки ASIC.</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>«Мы очень рады предоставить нашим пользователям всеобъемлющую, качественно и совместно разработанную техническую экосистему Samsung Advanced Foundry Ecology. Мы стремимся обеспечить более быструю и надежную разработку дизайна SoC, &#8211; говорит исполнительный вице-президент по технологиям Foundry Technology Development в Samsung Electronics Ён Шик Юн (Jong Shik Yoon). – В сотрудничестве с нашими партнерами по SAFE<sup>TM</sup> Samsung Foundry предоставит утвержденные проектные решения как для уже существующих пользователей, так и для новых участников. Мы рады всем нашим старым и новым партнерам, готовым поддержать программу SAFE<sup>TM</sup>».</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>Программа SAFE<sup>TM</sup> основана на трех основных принципах:</p>
<p>&nbsp;</p>
<ul>
<li>EDA/DM: Предоставляет тщательно проверенные PDK и эталонные потоки (с использованием проектных методологий), утвержденные Samsung Foundry.</li>
</ul>
<p>&nbsp;</p>
<ul>
<li>IP: Обеспечивает полный спектр качественных специализированных IP-предложений, начиная с самого раннего этапа технологических разработок. Пользователи могут просмотреть полный список IP-решений, предлагаемых SAFE<sup>TM</sup>, на сайте B2B от Samsung Foundry, CONNECT (https://www.samsungfoundry.com).</li>
</ul>
<p>&nbsp;</p>
<ul>
<li>Услуги по разработке: Обеспечивает средние и малые компании разработками и поддержкой ASIC. Благодаря партнерам по сервисной поддержке SAFE<sup>TM</sup>, пользователи получат легкий доступ к технологическим процессам, конкурентным ценовым условиям и ресурсам, предоставленным для обеспечения успеха систем SoC.</li>
</ul>
<p>&nbsp;</p>
<p>Цитаты от компаний-партнеров SAFE<sup>TM</sup>:</p>
<p>&nbsp;</p>
<ul>
<li><strong><em>Arm</em></strong><strong><em>,</em></strong><em> Гус Юнг (</em><em>Gus</em> <em>Yeung</em><em>), вице-президент и генеральный директор</em> <em>Physical</em> <em>Design</em> <em>Group</em></li>
</ul>
<p>&nbsp;</p>
<p>«Экосистема Samsung Advanced Foundry создает прекрасные возможности для индустрии. Благодаря тесному сотрудничеству с Samsung Foundry, мы можем обеспечить для нашей экосистемы лидирующие позиции в том, что касается оптимизированных IP-решений для совершенствования разработок SoC следующего поколения».</p>
<p>&nbsp;</p>
<ul>
<li><strong> <em>AlphaHoldings</em></strong><em>, </em><em>Дунги</em> <em>Ким</em><em> (</em><em>Donggi Kim</em><em>), </em><em>CEO</em></li>
</ul>
<p>&nbsp;</p>
<p>«Для меня большая честь быть одним из первых участников программы SAFE. Как партнер по разработкам, мы готовы сотрудничать с пользователями ASIC от Samsung Foundry, основываясь на нашем долгом сотрудничестве с Samsung Foundry. В частности &#8211; в том, что касается передовых технологий, пользовательских IP, высококачественной рабочей силы, бесперебойных возможностей проектирования и т. д.»</p>
<p>&nbsp;</p>
<ul>
<li><strong><em>Cadence</em></strong> <em>КТ Мур (</em><em>KT Moore</em><em>), вице-президент по контролю за продукцией</em></li>
</ul>
<p>&nbsp;</p>
<p>«Мы много лет сотрудничаем с Samsung Foundry, стремясь к тому, чтобы наши совместные клиенты могли достичь своих целей в том, что касается новейших разработок. Мы считаем, что наша новая программа разработки SAFE предоставит инновационные решения и поможет пользователям еще быстрее выводить проекты на рынок. Наша поддержка технологий Samsung Foundry продолжает расширяться благодаря улучшенному набору IP-пакетов, а также полноценному внедрению средств EDA за счет комплексных эталонных потоков».</p>
<p>&nbsp;</p>
<ul>
<li><strong><em> eSilicon, </em></strong><em>Хью Дурдан (</em><em>Hugh Durdan</em><em>), вице-президент, стратегия и продукция</em></li>
</ul>
<p>&nbsp;</p>
<p>«Благодаря первому этапу нашей работы по ASIC с Samsung Foundry, мы достаточно хорошо понимаем передовые технологические процессы Samsung Foundry. Это позволяет нам предлагать дифференцированные IP, предназначенные для высокоскоростных сетей, высокопроизводительных вычислений, искусственного интеллекта (AI) и рынков 5G».</p>
<p>&nbsp;</p>
<ul>
<li><strong><em>Faraday,</em></strong> <em>Стив Ван (</em><em>Steve</em> <em>Wang</em><em>), президент</em></li>
</ul>
<p>&nbsp;</p>
<p>«Samsung Foundry предоставляет самую конкурентоспособную грандиозную экосистему для передовых технологий. С момента основания в 1993 году Faraday успешно выполнил более 2200 проектов по массовому производству ASIC. Таким образом, мы уверены в нашей способности привести программу SAFE к успеху, ориентируясь на приложения следующего и дальнейших поколений».</p>
<p>&nbsp;</p>
<ul>
<li><strong><em>Mentor</em></strong> <em>Джо Савицки (</em><em>Joe</em> <em>Sawicki</em><em>), вице-президент по кремниевым разработкам</em></li>
</ul>
<p>&nbsp;</p>
<p>«Mentor гордится тем, что нам удалось стать главным решением для проектов Samsung за последние два десятилетия, а также для Samsung Foundry с момента запуска проекта в 2005 году. Мы рады и дальше поддерживать тесное партнерство с Samsung, еще больше расширять экосистему с помощью инициативы SAFE».</p>
<p>&nbsp;</p>
<ul>
<li><strong><em>Rambus</em></strong>, <em>Люк Серафин (</em><em>Luc</em> <em>Seraphin</em><em>), старший вице-президент и генеральный менеджер подразделения «Память и интерфейсы»</em></li>
</ul>
<p>&nbsp;</p>
<p>«Поскольку проекты ASIC и SoC становятся все более сложными, высокоскоростные интерфейсы становятся неотъемлемой частью успешных разработок. Прочное партнерство Rambus и Samsung в нескольких проектах говорит о том, мы готовы предложить пользователям широкий ассортимент высококачественных решений. Мы рады сотрудничать с Samsung Foundry &#8211; это поможет предоставить разработчикам ведущие высокоскоростные SerDes и память PHY IP для легкой интеграции в дальнейшую разработку чипов».</p>
<p>&nbsp;</p>
<ul>
<li><strong><em>Synopsys</em></strong>, <em>Дэирдре Ханфорд (</em><em>Deirdre</em> <em>Hanford</em><em>), генеральный соуправляющий, Design Group</em></li>
</ul>
<p>&nbsp;</p>
<p>«С 2005 года наше сотрудничество с Samsung Foundry обеспечивает возможность предлагать самые современные решения по широкому спектру технологических процессов Samsung. Программа SAFE поможет ускорить внедрение высококачественных IP-продуктов Synopsys, ведущих средств, и комплексных услуг по разработке, поддерживающих Samsung Foundry и дальнейшее развитие дифференцированных систем SoC».</p>
<p>&nbsp;</p>
<ul>
<li><strong><em>VeriSilicon</em></strong>, <em>Уэйн Дай (</em><em>Wayne</em> <em>Dai</em><em>), президент и </em><em>CEO</em></li>
</ul>
<p>&nbsp;</p>
<p>«Наш опыт в поставке высокопроизводительных систем SoC с использованием технологии FinFET 14-нм и 10-нм, а также процесса FD-SOI 28-нм демонстрирует, что Samsung Foundry обладает отличным потенциалом на китайском рынке. Теперь, будучи членом-основателем программы SAFE, мы стремимся вывести наше партнерство на новый уровень, предоставить еще более выгодные условия для поддержки наших взаимных пользователей».</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>Дополнительною информацию о Samsung Foundry вы можете найти на сайте <a href="https://www.samsungfoundry.com">https://www.samsungfoundry.com</a></p>
]]></content:encoded>
																				</item>
			</channel>
</rss>
