Используя новые модули памяти, производители смогут разработать более производительные игровые ноутбуки с батареей повышенной емкости и увеличенным объемом памяти при сохранении существующих размеров. Как отметил старший вице-президент по маркетингу систем памяти компании Samsung Electronics, г-н Севон Чон, 32GB DDR4 DRAM модули памяти Samsung обеспечат более полное погружение в игровой процесс на ноутбуках: «Мы продолжим наполнять наши новые портфолио DRAM-модулей памяти более быстрыми и ёмкими образцами для всех основных сегментов рынка, включая премиальные ноутбуки и настольные ПК».

По сравнению с 16ГБ SODIMM модулями памяти на основе 8-гигабитных (Гб) DDR4 микросхем с 20-нм технологией 2014 года, новый 32ГБ модуль обладает удвоенной емкостью, он на 11% быстрее и потребляет на 39% меньше энергии в активном режиме. С 16-ю новейшими 16-гигабитными (Гб) чипами (по восемь чипов на каждой стороне модуля) 32ГБ SODIMM модуль позволяет увеличить частоту передачи данных до 2666 мегабит в секунду (Mбит/c). Ноутбук с 64 ГБ ОЗУ (два 32-ГБ DDR4 модуля) потребляет менее 4,6 Вт в активном режиме и менее 1,4 Вт в режиме ожидания. В этом режиме новые модули памяти на 25% энергоэффективнее существующих 16ГБ решений.

Samsung приступил к активному развитию новой линейки DRAM модулей памяти на основе технологии 10-нм класса (16Gb LPDDR4, 16Gb GDDR5 и 16Gb DDR4), которая откроет новую эру 16-гигабитных DRAM модулей памяти в мобильных устройствах, графических подсистемах, ПК и серверных сегментах, и продолжит это движение на другие рынки, включая суперкомпьютеры и автомобильную электронику

*Примечание редактора: 10-нм класс – это технологический процесс с масштабом между 10 и 19 нанометрами