«Новая технология трехмерной интеграции от Samsung обеспечивает надежные TSV-межсоединения даже при использовании самых современных технологических процессов на базе EUV-литографии, – говорит Мунсу Канг (Moonsoo Kang), старший вице-президент по стратегии полупроводникового рынка в Samsung Electronics. – Мы стремимся внедрять самые современные инновации в области объемного корпусирования, чтобы раздвигать границы возможного в сфере полупроводниковых технологий».

С X-Cube от Samsung разработчики микросхем получают дополнительную гибкость при создании индивидуальных решений, наилучшим образом отвечающих их уникальным требованиям. В тестовом чипе X-Cube, построенном на базе 7-нм техпроцесса, используется технология TSV для размещения SRAM-памяти поверх логического кристалла, что позволяет высвободить место и размещать больше памяти при меньшей площади микросхемы. Благодаря трехмерной интеграции ультратонкая конструкция корпуса обеспечивает значительно более короткие пути прохождения сигнала между кристаллами для максимальной скорости передачи данных и энергоэффективности. Заказчики также могут масштабировать пропускную способность и плотность памяти в соответствии с заданными спецификациями.

Проверенная на кремнии методология и процессы проектирования Samsung X-Cube уже сегодня могут использоваться с современными техпроцессами, в том числе 7нм и 5нм узлами. Развивая свой исходный дизайн, Samsung планирует продолжить сотрудничество с глобальными заказчиками, не имеющими собственных производственных мощностей, по внедрению решений объемной интеграции в новых высокопроизводительных приложениях следующих поколений.

Более подробная информация о технологии Samsung X-Cube будет представлена на ежегодной конференции по высокопроизводительным вычислениям Hot Chips, трансляция которой будет осуществляться в режиме реального времени 16-18 августа 2020 года.