三星AI Factory將半導體製造的各個環節－從設計、製程到設備、營運與品質控管，全面整合為單一智慧網路，透過AI持續進行即時分析、預測並優化生產環境。

三星 AI Factory 超越傳統自動化範疇，化身為智慧製造平台，可串聯並解讀源自晶片設計、生產、設備運作的大量數據。

延續逾25年的合作關係，共組堅實的AI晶片聯盟

從早期NVIDIA顯卡搭載三星DRAM起，至近年於晶圓代工領域的合作，雙方已攜手走過25年的夥伴歷程。

除現有多項合作計畫外，三星與NVIDIA亦聯手開發HBM4。憑藉卓越的高頻寬與能源效率，三星先進的HBM解決方案可望加速AI應用的未來發展，並為該等技術驅動的製造基礎設施奠定基石。

三星HBM4採用自家第六代10奈米DRAM與4奈米邏輯基礎晶片，處理速度可達每秒11Gbps，大幅領先JEDEC標準的8Gbps。

三星將持續提供涵蓋HBM、GDDR與SOCAMM等新世代記憶體方案及晶圓代工服務，推動全球AI價值鏈的創新與規模擴展。

加速朝智慧製造轉型

未來數年，三星計劃導入NVIDIA加速運算技術，進一步擴展AI Factory規模，並透過NVIDIA Omniverse函式庫加速數位孿生製造，應用於橫跨記憶體、邏輯晶片、晶圓代工及先進封裝等全球最完善的晶片製造基礎設施。

三星運用NVIDIA cuLitho與CUDA-X函式庫，來強化其光學鄰近修正（OPC）製程，使計算光刻效能大幅提升20倍。作為精準晶圓圖案化的關鍵步驟，強化後的OPC技術使AI能以更上層樓的速度與精準度，預測並修正電路圖形誤差，進而縮短開發週期。

在電子設計自動化（EDA）領域，三星與 NVIDIA正與EDA夥伴聯手出擊，共同開發以新世代GPU加速的EDA工具與設計技術。

三星透過NVIDIA Omniverse函式庫，積極打造能虛擬化整座晶圓廠運作的數位孿生。這些虛擬環境可在實際變更前，預先偵測異常、執行預測性維護並優化生產流程。

三星計劃將其AI Factory基礎設施擴展至全球製造中樞，包括美國泰勒廠，為其全球半導體營運帶來更強大的智慧化與靈活性。

打造涵蓋生成式AI與機器人之AI生態圈

三星持續開發自有AI模型，支援旗下4億多部裝置的運作。該等模型亦被整合至內部製造系統，推動整體生產流程的智慧化與創新。

奠基於NVIDIA加速運算、Megatron架構的三星AI模型，展現更強大的推理能力，能在即時翻譯、多國語言對話、智慧摘要等應用上，實現卓越的效能。

在智慧機器人領域，三星運用NVIDIA RTX PRO 6000 Blackwell伺服器平台，推動製造自動化與人形機器人的發展，同時加速新世代實體AI應用的普及、提升自主化能力。

三星亦與眾多NVIDIA AI平台合作，串聯虛擬模擬與真實世界的機器人數據，使機器人能夠理解環境、作出決策，並在現實場景中展現智慧運作能力。透過NVIDIA Jetson Thor模組，三星提升智慧機器人的即時AI推理、任務執行、安全操控能力。

三星計劃將這些技術的應用觸角，延伸至旗下AI Factory基礎設施及更廣泛的業務領域，打造結合AI與機器人的智慧製造生態圈。

以AI串聯消費端與產業端

三星亦與NVIDIA、韓國電信業者、學術界和研究機構合作，匯聚多方力量推動AI-RAN技術的研發。

AI-RAN為新世代通訊的關鍵技術之一，將AI運算能力整合至行動網路架構中。透過此技術使智慧體和實體AI－例如機器人、無人機、工業自動化設備等，得以在更靠近實體AI連網端的邊緣節點，進行即時且智慧的運作、感知、資料處理與推理。這個由人工智慧驅動的行動網路，可發揮神經網路的關鍵作用，為實體AI的普及化注入強勁動力。

去年，結合三星的軟體網路和NVIDIA GPU，雙方圓滿完成AI-RAN概念驗證，這項新計畫也標誌著雙方合作關係的持續深化。展望未來，雙方將持續在AI-RAN領域深化合作。

全新9100 PRO固態硬碟為筆記型電腦與桌上型電腦使用者的高效解決方案，特別是需要高速存取、平行運算的工作需求，例如從事AI內容創作的專業工作者。此外，9100 PRO的卓越效能與可擴充的儲存空間，亦能為追求極致遊戲體驗的玩家，帶來更流暢、身歷其境的遊戲享受。

9100 PRO將推出1TB、2TB及4TB三種容量版本，建議售價分別為NT$6,369、NT$9,559以及NT$17,509；另有含散熱片版本，1TB、2TB及4TB版本建議售價分別為NT$7,029、NT$10,219以及NT$18,169。預計4月上旬起於三星商城、PChome 24h購物、momo購物網、Yahoo奇摩購物中心、蝦皮三星儲存旗艦店等全台指定通路陸續上市^（註一）。

強化效能並提高能源效率

• 支援PCIe 5.0介面，速度相較於上一代PCIe 4.0介面提升一倍。
• 連續讀取速度高達14,800 MB/s，連續寫入速度高達13,400 MB/s，相較於前代990 PRO，性能提升高達99%。
• 9100 PRO 4TB的連續讀取速度為14,800 MB/s，990 PRO 4TB的連續讀取速度為7,450 MB/s。
• 隨機讀取速度提升至2,200K IOPS，隨機寫入速度提升至2,600K IOPS。
• 採用強化散熱管理解決方案，相較於上一代產品，能源效率提升49%。
• 9100 PRO 2TB的連續讀取能源效率為每瓦1,822 MB/s，連續寫入能源效率為每瓦1,703 MB/s；990 PRO 4TB的連續讀取能源效率為每瓦1,221 MB/s，連續寫入能源效率為每瓦1,255 MB/s。

過熱防護、擴充儲存容量及廣泛相容性

• 9100 PRO可安裝於筆記型電腦、桌上型電腦及遊戲主機等多種裝置，能無縫實現效能與容量升級。
• 9100 PRO（含散熱片）採用超薄8mm M.2外型設計，能有效控制溫度、防止過熱，同時符合PCI-SIG® D8標準^（註二）。
• 9100 PRO（含散熱片）預計下半年推出上8TB型號^（註三），其厚度僅25mm，為三星消費級NVMe SSD系列首度推出8TB容量款式，其充足的儲存空間可望為多樣化的遊戲體驗、下一代遊戲開發和內容創作帶來更多可能性。

支援Samsung Magician Software

• 提供全面最佳化工具套件，強化9100 PRO及所有三星SSD的功能。
• 簡化SSD升級的資料轉移流程。
• 資料保護、硬碟健康狀態監控，並提供即時韌體更新通知。

【Samsung NVMe SSD 9100 PRO系列產品規格】

產品類別		Samsung SSD 9100 PRO
型號		MZ-VAP1T0BW	MZ-VAP2T0BW	MZ-VAP4T0BW
產品 特色	建議售價	NT$6,369	NT$9,559	NT$17,509
	容量	1TB	2TB	4TB
	DRAM	1GB LPDDR4X	2GB LPDDR4X	4GB LPDDR4X
	總寫入位元組	600TB	1200TB	2400TB
	應用	個人電腦、遊戲主機
	介面	PCIe® 5.0×4, NVMe 2.0
	類型	M.2（2280）
	儲存記憶體	Samsung V-NAND TLC
	控制晶片	三星內部控制器
	資料加密	AES 256-bit全硬碟加密，TCG/Opal V2.0， 加密驅動器（IEEE1667）
效能	連續讀取速度	最高可達14,700 MB/s	最高可達14,700 MB/s	最高可達14,800 MB/s
	連續寫入速度	最高可達13,300 MB/s	最高可達13,400 MB/s	最高可達13,400 MB/s
	隨機讀取速度 （QD32）	最高可達1,850K IOPS	最高可達1,850K IOPS	最高可達2,200K IOPS
	隨機寫入速度 （QD32）	最高可達2,600K IOPS	最高可達2,600K IOPS	最高可達2,600K IOPS
保固		五年有限保固

【Samsung NVMe SSD 9100 PRO（含散熱片）系列產品規格】

註一：產品實際販售通路、到貨時間，依各通路業者公告為準。
註二：PCI-SIG D8 標準是8.8mm以下散熱器的高度規範。
註三：實際時間以官方公告為準。

作為先進科研機構，NRD-K自2022年動工，預計將成為三星在記憶體、系統半導體和晶圓半導體研發領域的重要研究基地。憑藉其先進的基礎架構，NRD-K將能實現研發與產品驗證的同廠作業。三星計劃在2030年前投入約20兆韓元，於器興園區內興建佔地約109,000平方公尺（m²）的NRD-K研發中心。該中心亦設有研發專用生產線，擬於2025年中旬正式啟用。

▲ 三星電子副會長暨裝置解決方案（DS）事業群負責人全永鉉於韓國器興新半導體研發中心（NRD-K）的移機典禮上發表演說。

三星電子副會長暨裝置解決方案（DS）事業群負責人全永鉉表示：「NRD-K將全力推動研發，助力三星打造良性循環，加速新世代技術的基礎研究與量產製程。器興是三星電子50年半導體歷史的起點，我們將在此奠定未來發展的堅實基礎，創造下一個百年輝煌榮景。」

韓國應用材料（Applied Materials）公司負責人Park Gwang-Sun指出：「現階段，建立雙贏的合作關係比過往任何時候都更加重要。我們正致力於加速創新步伐，透過與三星電子密切合作，攜手推動半導體產業的新一波成長。」

▲ 三星電子副會長全永鉉（中）於器興園區的移機典禮與高階主管合影留念。*（左起）人才團隊負責人Wanwoo Choi、資安長Taeyang Yoon、NRD-K P/J小組負責人Jiwoon Im、晶圓代工事業部負責人Siyoung Choi、DRAM製程開發團隊BongHyun Kim、記憶體事業部負責人Jung-Bae Lee、副會長暨裝置解決方案（DS）事業群負責人全永鉉、系統半導體事業部負責人Yong In Park、快閃記憶體製程發展團隊Yujin Lee、企業總裁暨半導體晶圓廠（FAB）工程與運作負責人Seok Woo Nam、裝置解決方案技術長Jaihyuk Song、企業辦公室負責人HongGyeong Kim。

三星器興園區座落於首爾南部。1992年，世界首款64 MB DRAM於此誕生，確立了三星日後躍升為半導體龍頭的基礎。新研發機構的落成將延續園區的卓越底蘊，專注於製程技術與製造工具的最新進展，持續引領創新潮流。

▲ 三星電子高階主管於器興園區的移機典禮上合影留念。

NRD-K將配備高數值孔徑極紫外光微影技術和新型材料沉積設備，致力於加速新世代半導體記憶體的發展，如3D DRAM和超過1,000層的V-NAND。此外，創新的晶圓對晶圓鍵合技術也計劃用於晶圓鍵合基礎架構之中。

三星今年於第三季投入8.87兆韓元的研發資金，創下歷史新高，並持續突破技術極限，力求在未來科技領域保持競爭優勢，如高頻寬記憶體（HBM）製程的先進封裝技術。

隨著人們在社群上分享影像和串流影片的需求增加，日常所需的數據量亦不斷攀升。全球先進記憶體技術領導品牌三星電子看準消費者需求，今（16）日宣布在台推出990 EVO Plus固態硬碟，為旗下卓越的固態硬碟陣容再添生力軍。990 EVO Plus符合PCIe 4.0技術規範且搭載最新的NAND技術，專為遊戲、商務與創意工作量身打造，為渴望強化PC能源效率、追求性能提升的消費者，提供了理想的解決方案。

Samsung 990 EVO Plus固態硬碟共推出1TB、2TB、4TB三種容量規格，建議售價分別為NT$3,879、NT$6,979以及NT$12,959，10月下旬起於PChome 24h購物、MOMO購物網、Yahoo奇摩購物中心、蝦皮三星儲存旗艦店等全台指定通路陸續上市^（註一）。

同步提升性能與電源效率

990 EVO Plus以三星領先數十年的一流半導體技術為基石，可靠性備受肯定。其連續讀取速度高達每秒7,250MB，連續寫入速度達到每秒6,300MB，較前一代990 EVO顯著提升50%。得益於三星最新的第八代V-NAND技術和5奈米控制器，性能表現大大升級，而創新的鍍鎳塗層散熱片，可最大幅減少過熱問題，效能較前代產品提升73%。其中，4TB型號更具備領先業界的隨機讀寫速度，分別高達1,050K IOPS和1,400K IOPS，即使無DRAM快取設計，990 EVO Plus的卓越性能仍可媲美配備DRAM的固態硬碟產品，成為遊戲與AI任務所需的最佳選擇。

儲存容量大躍進

在大型檔案管理、高畫質影片編輯、新世代遊戲的推波助瀾下，大容量儲存裝置的市場需求日益升溫。為滿足現今不斷成長的儲存需求，990 EVO Plus推出超大容量4TB規格，超越990 EVO上限的容量。990 EVO Plus搭載三星的Intelligent TurboWrite 2.0技術，以精益求精的技術實現極致性能，提供快速的檔案傳輸速率並降低延遲。

支援Samsung Magician Software

Samsung Magician軟體提供一套優化工具，用以強化990 EVO Plus在內的所有三星固態硬碟產品，用戶可透過輕鬆且安全的方式，簡化固態硬碟升級時數據的轉移過程。此外，Samsung Magician亦能保護珍貴數據、監控硬碟的運行狀態，並提供客製的性能優化。

【附件一】990 EVO Plus固態硬碟規格

類別	990 EVO Plus固態硬碟
圖片
介面	PCIe® Gen 4.0 x4／5.0 x2 NVMe 2.0（註二）
類型	M.2（2280）
儲存記憶體	Samsung V-NAND 3-bit TLC
控制晶片	三星內部控制器
容量（註三）	1TB	2TB	4TB
售價	NT$3,879	NT$6,979	NT$12,959
連續讀／寫速度（註四）	最高達7,250 MB／秒；最高達6,300 MB／秒
隨機讀／寫速度（QD32）（註四）	最高達850K IOPS； 最高達1,350K IOPS	最高達1,000K IOPS； 最高達1,350K IOPS	最高達1,050K IOPS； 最高達1,400K IOPS
管理軟體	Samsung Magician Software
資料加密	AES 256位元全碟加密，TCG/Opal v2.0， 加密驅動器（IEEE1667）
總寫入位元組	600TB	1200TB	2400TB
保固（註五）	五年有限保固（註六）

註一：本文產品、容量及上市時間依各銷售通路公告為主。

註二：NVM Express®為NVM Express, Inc.的註冊商標。

註三：按IDEMA定義，1GB=1,000,000,000位元組，系統檔案和維護使用，可能會佔用部分容量，因此實際容量可能與產品標籤上指示的容量有所不同。

註四：連續與隨機效能的測量，是以IOmeter1.1.0為基礎。因固態硬碟韌體版本、系統硬體和配置的不同，效能可能會有所差異。測試系統配置：AMD Ryzen9 7950x 16-Core Processor CPU@4.5GHz, DDR5 4800MHz 16GBx2), OS-Windows 11 Pro 64bit, Chipset – ASRock X670E Taichi。

註五：三星電子不對任何損失承擔責任，包括但不限於三星產品所存資料或其他資訊的遺失，以及使用者可能遭受的利潤損失或收入損失。有關保固的詳細資訊，參閱官網說明samsung.com/SSD或 semiconductor.samsung.com/internal-ssd/。

註六：五年有限保固或寫入總量（Total Bytes Written, TBW）有限保固，以先到期者為準。有關保固的更多資訊，請參考包裝上的保固聲明。

全球先進記憶體技術領導品牌三星電子宣佈已開始量產1Tb QLC（quad-level cell）第九代垂直NAND（V-NAND）。

繼今年4月領先業界投產TLC（triple-level cell）第九代V-NAND，三星再次獨步全球，量產QLC第九代V-NAND，鞏固其在高容量、高效能NAND快閃記憶體市場的領導地位。

三星電子執行副總裁暨快閃記憶體產品與技術負責人SungHoi Hur表示：「距離TLC版本投產僅四個月時間，QLC第九代V-NAND即順利啟動量產，三星以一應俱全的高階SSD解決方案，滿足AI時代的需求。隨著企業級SSD市場快速崛起，帶動AI應用需求強勁，我們將繼續透過QLC與TLC第九代V-NAND，鞏固三星在產業的領導地位。」

三星計劃擴大QLC第九代V-NAND的應用範疇，從旗下的消費性電子產品，延伸至行動通用快閃記憶體（UFS）、PC和伺服器SSD，造福雲端服務供應者在內的消費族群。

三星QLC第九代V-NAND技術登峰造極，集多項創新於一身：

• 採用三星傲視群倫的通道孔蝕刻技術（Channel Hole Etching），以雙堆疊架構實現業界最高層數。借助TLC第九代V-NAND累積的技術經驗，優化儲存單元面積與周邊電路，位元密度較前代QLC V-NAND提升近86%。
• 以預設模具（Designed Mold）技術調整控制儲存單元的字線（WL）間距，確保層內、層與層之間的特性一致與最佳化。隨著V-NAND層數增加，該等特性愈發重要。相較於前代版本，該技術可提升近20%的資料保存效能，進一步強化產品的可靠性。
• 借助預測程式（Predictive Program）技術預測、控制儲存單元的狀態變化，最小化不必要的操作。得益於該技術的大躍進，三星QLC第九代V-NAND寫入效能提升一倍，數據輸入／輸出速度提升60%^（註一）。
• 得益於低功耗設計（Low-Power Design），數據的讀取與寫入功耗，分別降低了約30%和50%^（註二）。其透過僅感應必要位線（BL）的運作原理，減少驅動NAND儲存單元所需電壓，實現功耗最小化。

註一：相較於前一代QLC V-NAND。

註二：相較於前一代QLC V-NAND。

Preferred Networks冀望透過此次合作，借助三星的領先晶圓代工技術、先進封裝產品，開發強大AI加速器，以因應迅速攀升的生成式AI運算需求。

三星領先業界腳步，率先量產採用GAA電晶體技術的3奈米製程節點，以進一步升級的效能與能效，成功獲得GAA 2奈米製程訂單，鞏固其在GAA電晶體技術領域的領導地位^（註一）。

三星與Preferred Networks強強聯手，是日本企業在大尺寸異質整合封裝技術領域的首項成就，三星計畫以先鋒者之姿，加速擴大全球先進封裝市場版圖。

該一站式解決方案中的2.5D先進封裝I-Cube S技術，是一項異質整合封裝技術，能將不同晶片，整合至單一封裝中，加快內部傳輸速度，並縮減封裝尺寸。該技術所採用的矽中介層（Si-interposer），是達成超薄再分配層（RDL）以及穩定功率完整性，實現最佳半導體效能的重要關鍵。該晶片由專業系統半導體開發公司GAONCHIPS設計。

Preferred Networks副總裁暨運算架構技術長Junichiro Makino表示：「借助三星GAA 2奈米製程技術，我們將引領AI晶片發展，對此我們感到無比雀躍。Preferred Networks致力打造高度節能、效能強大的運算硬體，以因應生成式AI技術驅動急遽上升的運算需求，尤其是大型語言模型，此半導體解決方案將使Preferred Networks如虎添翼。」

三星電子副總裁暨晶圓代工事業部開發團隊負責人Taejoong Song表示：「該筆訂單至關重要，因為它證明三星2奈米GAA製程技術與先進封裝技術，是新世代AI加速器的理想解決方案。我們將與客戶密切合作，確保產品兼具高效能與低功耗的特性。」

Preferred Networks總部位於東京，透過貫穿AI價值鏈的垂直整合－從晶片、超級電腦到生成式AI基礎模型，開發先進軟硬體技術。該公司為各行各業提供解決方案和產品，遍及製造、運輸、醫療保健、娛樂、教育等產業。該公司是全球AI市場的領導廠商之一，過去五年來三次榮登Green500^（註二）超級電腦風雲榜榜首。

三星與Preferred Networks將透過此次合作，為新世代數據中心及生成式AI運算市場，推出突破性AI小晶片解決方案^（註三）。

註一：異質整合封裝技術將不同類型的晶片，例如記憶體、邏輯晶片和感應器，整合至單一封裝之中。
註二：Green500：全球TOP500超級電腦排行榜，以每瓦能效作為評比標準。
註三：小晶片解決方案：透過封裝技術將功能互異的多個晶片，整合於單一封裝之中。

全球先進半導體技術領導品牌三星電子，日前發表專為智慧型手機主副相機而設計的三款新型感光元件：ISOCELL HP9、ISOCELL GNJ和ISOCELL JN5。

隨著用戶對智慧型手機鏡頭畫質與效能的期望日益提升，三星新型感光元件能從各個角度展現絕美的成像效果，為行動攝影再立新標竿。

三星電子執行副總裁暨系統半導體（System LSI）感光元件業務團隊技術長Jesuk Lee表示：「未來產業的方向在於提高感光元件效能、縮小主副相機的規格差異，進而在各個角度提供一致的卓越攝影體驗。三星將持續樹立產業標準，並整合最新技術的行動感光元件生力軍，突破科技極限。」

ISOCELL HP9：業界首款用於智慧型手機的200MP長焦感光元件

ISOCELL HP9以1/1.4吋的光學格式，內建2億個0.56微米（μm）畫素。

HP9獨有的高折射率微透鏡採用新型材料，將更多光線精準導向對應的RGB濾色片，大幅提升聚光能力。與前代產品相比，HP9感光度提升12%（基於信噪比10），對比度自動對焦效能提升10%，實現更生動的色彩還原與強化的對焦效能。

值得注意的是，HP9在低光源下表現尤為出色，解決傳統長焦相機的共同難題。其所搭載的Tetra²pixel 技術，能將16個畫素（4×4）合而為一，轉換為較大的12MP 2.24μm感光元件，即使在黑暗之中，也能拍出更清晰的人像照片，並營造唯美的散景^（註一）效果，為照片增添戲劇色彩。

隨著高階智慧型手機搭載的主相機尺寸擴大，長焦相機所需的空間亦隨之增加。HP9的超大光學格式，使其成為長焦模組的理想選擇，在畫質表現、自動對焦、高動態範圍（HDR）、每秒幀數（fps）方面，展現媲美主相機的卓越效能。

在remosaic演算法的加持下，HP9提供2x或4x感光元件內變焦模式，與3x變焦長焦模組搭配使用時，可實現高達12倍的變焦，並維持清晰的畫質表現。

ISOCELL GNJ：整合先進、創新的畫素技術

ISOCELL GNJ是一款Dual Pixel感光元件，採用1/1.57吋的光學格式，內建5000萬個1.0μm畫素。

每個畫素皆嵌入兩個光電二極體，模擬人眼的運作模式，實現既快速又準確的自動對焦。該感光元件還能捕捉全彩訊息，在快速對焦的同時，仍維持出色的畫質。

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GNJ結合Dual Pixel技術與感光元件內變焦功能，在錄影模式下，可提供更清晰的畫面；而在拍照模式下，則可提供無偽影、或摩爾紋^（註二）的高解析度影像。

結合進化的高透光抗折射層（ARL），與三星專有的高折射率微透鏡，不僅提升透光率且減少不必要的反射，確保暗部區域不致過曝，以獲得更準確的成像，並妥善保留細節。

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此外， GNJ採用升級版深溝槽隔離（DTI）材料，將畫素隔離材料從多晶矽升級為二氧化矽，大幅減少相鄰畫素之間的干擾。使感光元件能夠捕捉更細緻、精確的影像。

三星在功耗更低的情況下，實現種種創新，在預覽模式下，功耗可降低29%，而在4K 60fps的錄影模式下，則降低了34%。

ISOCELL JN5：各個角度皆提供一致的卓越攝影體驗，具備廣泛色域與出色的自動對焦

ISOCELL JN5採用1/2.76吋的光學格式，內建5000萬個0.64μm畫素。

該感光元件採用Dual Vertical Transfer Gate（D-VTG）技術，可提升畫素內的電荷傳輸，大幅減少極低光源造成的噪點，使畫質更加清晰。

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JN5搭載Super Quad Phase Detection（Super QPD）技術，透過垂直和水平方向的相位差來調整對焦，能捕捉快速移動的主體，以纖毫畢現的細節呈現，將抖動降至最低。

此外，JN5亦導入dual slope gain（DSG）技術提升高動態範圍（HDR）。該技術能將進入畫素的類比光度訊息加大成兩個，並轉換為數位訊息，然後將其合併為單一數據，擴大感光元件的色彩生成範圍。

硬體remosaic演算法的應用，有助於提升相機的拍攝速度，在預覽和拍攝模式下，實現零延遲的即時變焦。

JN5採用的纖薄光學格式，為其帶來高度的通用性，主次相機皆宜，包括廣角、超廣角、前置與長焦相機，以確保各個角度皆提供一致的卓越攝影體驗。

註一：散景是指照片背景中的失焦區域，營造一種矇矓之美。
註二：摩爾紋效應是拍攝重複性的細節時（通常是線條），所產生的一種不良視覺現象。

全球先進半導體技術領導品牌三星電子，在其位於美國加州聖荷西的裝置解決方案（Device Solutions）總部舉行的年度「三星晶圓代工論壇」（SFF）上，揭曉最新的晶圓代工創新方案，並概述其對AI紀元的未來願景。

三星以「賦能AI革命」（Empowering the AI Revolution）為題，在本屆論壇發表強化版製程技術路線圖，包括SF2Z和SF4U兩個創新節點，以及結合晶圓代工、記憶體和先進封裝（AVP）事業獨特優勢的Samsung AI 解決方案整合式平台。

三星電子總裁暨晶圓代工事業部負責人Siyoung Choi博士表示：「在眾多技術圍繞AI持續發展之際，兼具高效能與低功耗的半導體成為技術應用面的重要關鍵。除了專為AI晶片優化且通過驗證的GAA製程，我們亦計劃推出用於高速、低功耗數據處理的整合式共封裝光學（CPO）技術，藉由一站式AI解決方案，助力客戶在變革時代中成長茁壯。」

Arm執行長Rene Haas、Groq執行長Jonathan Ross等多位傑出的產業思想領袖，於本屆論壇輪番上台發表演說，強調他們為迎接全新AI挑戰之際與三星建立的強大盟友關係。約有30家夥伴廠商共同參展，進一步彰顯全美晶圓代工生態圈的熱絡合作。

以先進的製程技術路線圖，為客戶AI方案注入動力

三星發表SF2Z和SF4U兩項全新的製程節點，強化其領先的製程技術路線圖。

最新的2奈米製程SF2Z採用優化的晶背供電網路（BSPDN）技術，將電軌建置於晶圓背面，有效解決電源與訊號線的資源排擠問題。與第一代2奈米節點的SF2相比，將BSPDN技術導入SF2Z不僅能改善功耗、效能和面積（PPA），還能顯著減少電壓下降（IR drop）、強化高效能運算（HPC）設計效能。SF2Z預計於2027年量產。

而SF4U則是高價值的4奈米更新版，其藉由光學收縮改良PPA，預定於2025年量產。

三星強調其SF1.4（1.4奈米）的籌備工作進展順利，將如期實現性能表現和良率目標，預計將於2027年進入量產階段；同時強調其對超越摩爾定律的堅定承諾，並正透過材料與結構上的創新，積極形塑1.4奈米以下的未來製程技術。

持續提升GAA成熟度

隨著AI新紀元來臨，諸如環繞式閘極（GAA）的架構性改良，已成為滿足功耗和效能需求的要素。在本屆SFF論壇上，三星強調自家GAA技術的成熟度，視其為AI的關鍵驅動技術。

三星GAA製程已邁入量產的第三年，在良率和效能方面持續提升成熟度。奠基於深厚的GAA生產經驗，三星計畫於今年下半年量產第二代3奈米製程（SF3），並將GAA應用於未來的2奈米製程。

自2022年以來，三星GAA產量持續穩步成長，有望在未來幾年大幅擴展。

一站式Samsung AI 解決方案強調企業跨域合作

一站式AI平台Samsung AI 解決方案是本屆論壇的另一亮點，其為三星晶圓代工、記憶體和AVP等事業部的合作結晶。

三星整合各事業部的獨特優勢，提供高效能、低功耗和高頻寬的解決方案，並能根據客戶的特定AI需求量身訂製。

企業跨域合作亦能簡化供應鏈管理（SCM）並縮短上市時程，進而將總周轉時間（TAT）顯著縮短20%。

三星計劃在2027年推出全方位、CPO整合式AI解決方案，旨在為客戶提供一站式AI解決方案。

以涵蓋AI與主流技術的均衡方案組合，實現客戶和應用的多元化發展

三星在拓展多元化客群和應用領域方面取得長足的進展。

得益於三星過去一年來與客戶的密切合作，旗下晶圓代工事業部AI銷售額大幅成長80%，反映三星為滿足快速變遷的市場需求，努力不懈的堅毅決心。

除了先進的製程節點，三星亦提供專業級和8吋晶圓衍生產品，不僅在PPA上持續改良，並具備強大的成本競爭優勢。憑藉均衡的技術方案組合，三星展現全方位的實力，因應汽車、醫療、穿戴式裝置、IoT應用等領域的客戶需求。

融合AI和技術，推動晶圓代工生態圈的共生共榮

三星延續SFF盛事的話題熱度，於6月13日舉辦年度Samsung Advanced Foundry Ecosystem（SAFE）論壇。該論壇以「AI：探索可能性和未來」（AI: Exploring Possibilities and Future）為題，作為生態圈夥伴討論客製技術與方案的交流平台。

在本屆論壇上，西門子執行長Mike Ellow、AMD副總裁Bill En、Celestial AI執行長David Lazovsky等業界領袖，針對晶片和系統設計技術的未來，提出個人獨到的見解。

繼去年成立MDI聯盟（Multi-Die Integration Alliance）後，本屆論壇亦舉辦首場MDI聯盟研討會。三星與聯盟夥伴就共同發展機會、具體合作計畫展開廣泛討論，並聚焦2.5D和3D IC設計以開發全方位的解決方案。上述活動皆進一步深化盟友關係，持續朝共同願景邁進。

全球先進記憶體技術領導品牌三星電子宣佈已啟動測試256GB^（註一） SD Express^（註二） microSD卡，其連續讀取速度高達每秒800 MB，而1TB^（註三） UHS-1 microSD卡亦進入量產。隨著新一代microSD卡陣容亮相，三星展現為未來行動運算與智慧終端AI應用所需記憶體提供最佳解決方案的企圖心。

三星電子記憶體品牌產品業務團隊副總裁Hangu Sohn表示：「三星以兩款全新microSD卡，為行動運算和智慧終端AI與日俱增的記憶體需求，打造有效率的解決方案。儘管尺寸極小，新款記憶卡強大效能與超大容量近似SSD固態硬碟，幫助用戶最大化現今與未來行動裝置的運作效能。」

業界首款SD Express microSD卡，最高讀取速度可達800 MB/s

三星在SD Express介面上導入全新高效能的microSD卡，該項業界創舉源自三星與客戶合作開發客製產品的成功經驗。

三星SD Express microSD卡採用低功耗設計並優化韌體技術，具備絕佳的性能與溫度管理，尺寸雖小，卻擁有與固態硬碟相當的效能表現。採用UHS-1介面的傳統microSD卡讀取速度最高僅104 MB/s，SD Express則可將速度提升到985 MB/s；然而，將此項技術導入microSD的商業化運用直到現今才出現。

三星 SD Express microSD卡的連續讀取速度高達800 MB/s－是SATA SSD固態硬碟（最高560 MB/s）的1.4倍，同時也較傳統 UHS-1記憶卡（最高200 MB/s）快四倍以上，能提升各種設備－如個人電腦和行動裝置的運算效能。為確保小尺寸規格的效能穩定性，其採用三星的動態散熱保護（DTG）技術，即使長時間運作，亦能將SD Express microSD卡維持在最佳溫度。

1TB UHS-1 microSD卡採用最新型1Tb V-NAND

三星新款1TB microSD卡，將八層三星第八代1Tb V-NAND堆疊在小尺寸microSD卡內，如此規模的大容量記憶體封裝，過去技術只能實現於固態硬碟中。三星新款1TB microSD卡通過業界最嚴謹的測試，具有防水、耐極端溫度、防摔設計、防磨損保護、防 X光和防磁功能^（註四），即便在嚴苛環境也能穩定使用。

產品上市資訊

256GB SD Express microSD卡將於本年度上市，1TB UHS-1 microSD卡預計在今年第三季推出。

註一：1吉位元組（GB）= 1,000,000,000位元組（10億位元組）。實際可用容量可能會有所不同。

註二：SD Express：新款採用PCIe Gen3x1介面（根據2019年2月公布的SD 7.1規範）的SD卡，傳輸速度理論值為985 MB/s。

註三：1兆位元組（TB）= 1,000,000,000,000 bytes（1萬億位元組）。實際可用容量可能會有所不同。

註四：對於任何因記憶卡救援而產生的數據損壞和資料遺失及其相關費用，三星不承擔法律責任。所聲稱的六種防護功能只適用於1TB UHS-1 microSD卡，不適用於256GB SD Express microSD卡。1公尺深度，鹽水，72小時。作業溫度-25℃至85℃（-13°F至185°F），非作業溫度-40℃至85℃（-40°F至185°F）。能承受標準機場X光機（最高100mGy）。磁場等同於高磁場磁振造影儀（最高15,000高斯）。可承受最高5公尺（16.4英呎）的掉落衝擊。最多10,000次摩擦。

此次合作為三星和Arm的一系列決策與創新藍圖奠定基礎。雙方制定積極計畫，重新精進2奈米（nm）GAA技術，導入下一代資料中心與基礎設施的特製晶片，並推出開創性的AI晶粒解決方案，可望徹底改寫生成式AI行動運算市場的未來。

三星電子執行副總裁暨晶圓代工設計平台發展負責人Jongwook Kye表示：「隨著生成式AI世代降臨，三星期盼深化與Arm夥伴關係，打造新世代Cortex-X CPU，使共同客戶能創造革新的產品。三星與Arm在多年的合作下確立堅實基礎，前所未有的深度設計技術整合優化已取得突破性進展，讓我們得以在先進GAA製程中使用最新Cortex-CPU。」

Arm資深副總裁暨終端產品事業部總經理Chris Bergey指出：「我們與三星的長期合作促成多代領先的創新科技。在最新的三星製程上優化Cortex X和Cortex-A處理器，彰顯了雙方願景，重新定義行動運算的可能性，而Arm非常期待持續突破極限，滿足AI世代對效能和效率的無盡需求。」

三星於2022年宣布首次生產以GAA技術為基礎的3奈米多橋通道場效電晶體FET（MBCFET）。GAA技術可突破「鰭式場效電晶體」（FinFET）世代限制，使裝置進一步微放，藉由減少供應電壓水平提高功率效率，並透過增加驅動電流能力提升效能。採用奈米片結構的GAA技術架構助力實現優異的設計靈活性和可擴展性。

Arm採用三星新一代GAA製程節點進行設計，研發出優化版的Cortex-X CPU，進一步提升效能與效率，將用戶體驗推升至嶄新境界。

面對準時交貨的持續壓力，首要任務為確保一次性成功生產出最具競爭力的晶片，擁有卓越的功耗、效能和面積（PPA）優勢，且設計與製造不得分開優化。從一開始，三星與Arm便採取設計技術整合優化（DTCO），對於極大化新世代Cortex-X CPU設計架構和GAA製程技術的PPA優勢而言至關重要。

生成式AI是推動新一波產品的關鍵成長動力，可提供卓越的用戶體驗。透過此次合作，三星和Arm正加速將三星最新的GAA製程技術應用於新型Cortex-X CPU的優化，進而以領先業界的效能激盪新世代產品創新。