全球先進半導體技術領導品牌三星電子，宣布完成所有製程技術開發，並展開其革命性製程節點7LPP（7奈米Low Power Plus）的晶圓生產，採用極紫外線（EUV）微影技術。7LPP的導入完整展現三星晶圓代工(Samsung Foundry)發展策略的演進，同時為客戶提供以3nm為目標的清晰前景。

最新製程節點7LPP的商業化，讓客戶得以打造一系列挑戰應用極限的產品，例如5G、人工智慧、企業級和超大規模資料中心、物聯網、汽車和網路。

三星電子晶圓代工業務行銷執行副總Charlie Bae表示：「從EUV製程節點投入生產開始，三星已在半導體產業掀起一場寧靜革命。這項晶圓生產基本層面的創新，讓客戶有機會大幅縮短產品上市時間並達成高產量、降低光罩層數並提升良率。我們相信7LPP不僅將成為行動裝置和HPC的最佳選擇，更適用豐富多元的尖端應用。」

EUV特性及優勢

EUV採用13.5nm波長光源進行矽晶圓曝光，取代僅能達到193nm波長，且需要多重曝光光罩層模組的傳統氬氟（ArF）浸潤式昂貴曝光技術。EUV只需單一光罩來產生矽晶圓層，但ArF最多需要4個光罩才能產生一層。因此，與非EUV製程相比，三星的7LPP製程能降低總光罩層數達約20%，可為客戶節省時間和成本。

EUV微影技術的改良也提供更高的效能、更低的功耗和更小的面積，同時透過降低多重曝光製程複雜性來提升設計生產力。與先前的10nm FinFET技術相比，三星的7LPP不僅以更低的層數和更高的良率來降低製程複雜性，更可提升40%的面積效率，搭配提升20%的效能或最多降低50%的功耗。

EUV技術之路

自三星在2000年代啟動的EUV研發活動開始，品牌透過與業界頂尖工具供應商合作而大有斬獲，成功設計並於生產設施安裝全新設備，以確保晶圓的穩定性。首波生產已在三星位於韓國華城市的S3廠區展開。

三星預期在2020年透過EUV新產線取得更高產能，為需要量產新一代晶片的客戶服務。身為EUV技術先驅，三星亦開發出各種周邊專利技術，例如進行早期EUV光罩缺陷檢測的獨特光罩檢驗工具，於製程初期即可排除缺陷。

ASML企業行銷副總Peter Jenkins表示：「EUV技術的商業化是半導體產業的革命性發展，並且將對我們的日常生活帶來深遠影響。我們很榮幸與三星及其他晶片製造領導廠商合作，一同為半導體製程帶來重大革新。」

7nm LPP EUV生態系統

三星先進晶圓代工生態系統(Samsung Advanced Foundry Ecosystem)也已為EUV 7LPP的導入做好準備。業界的生態系統合作夥伴將提供基礎及進階IP、進階封裝及服務，充分協助三星的客戶在此新平台上開發自家產品。從高效能高密度標準單元到HBM2/2e記憶體介面和112G SerDes介面，SAFE已蓄勢待發，協助客戶在7LPP實現其設計。

半導體的高效能低功耗特性取決於插入晶片上有限空間的電路寬度。為此，EUV能實現比現行氬氟（ArF）波長更精細的半導體電路曝光，並降低多重曝光製程的複雜性，同時達成高效能及高生產力。

三星EUV

技術預期可加速各類革命性產品的成長，例如5G、人工智慧和物聯網。請參考資訊圖表，深入瞭解EUV及預期此技術將如何推動半導體科技。