<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><?xml-stylesheet title="XSL_formatting" type="text/xsl" href="https://news.samsung.com/tw/wp-content/plugins/btr_rss/btr_rss.xsl"?><rss version="2.0"
     xmlns:content="http://purl.org/rss/1.0/modules/content/"
     xmlns:wfw="http://wellformedweb.org/CommentAPI/"
     xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/"
     xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom"
     xmlns:sy="http://purl.org/rss/1.0/modules/syndication/"
     xmlns:slash="http://purl.org/rss/1.0/modules/slash/"
	>
	<channel>
		<title>記憶體 &#8211; Samsung Newsroom 台灣</title>
		<atom:link href="https://news.samsung.com/tw/tag/%e8%a8%98%e6%86%b6%e9%ab%94/feed" rel="self" type="application/rss+xml" />
		<link>https://news.samsung.com/tw</link>
        <image>
            <url>https://img.global.news.samsung.com/image/newlogo/logo_samsung-newsroom_tw.png</url>
            <title>記憶體 &#8211; Samsung Newsroom 台灣</title>
            <link>https://news.samsung.com/tw</link>
        </image>
        <currentYear>2019</currentYear>
        <cssFile>https://news.samsung.com/tw/wp-content/plugins/btr_rss/btr_rss_xsl.css</cssFile>
		<description>What's New on Samsung Newsroom</description>
		<lastBuildDate>Fri, 10 Apr 2026 12:29:52 +0000</lastBuildDate>
		<language>en-US</language>
		<sy:updatePeriod>hourly</sy:updatePeriod>
		<sy:updateFrequency>1</sy:updateFrequency>
					<item>
				<title>三星電子推出PM1733 SSD和高密度DIMM 支援AMD EPYC™ 7002系列處理器</title>
				<link>https://news.samsung.com/tw/%e4%b8%89%e6%98%9f%e9%9b%bb%e5%ad%90%e6%8e%a8%e5%87%bapm1733-ssd%e5%92%8c%e9%ab%98%e5%af%86%e5%ba%a6dimm-%e6%94%af%e6%8f%b4amd-epyc-7002%e7%b3%bb%e5%88%97%e8%99%95%e7%90%86%e5%99%a8?utm_source=rss&amp;utm_medium=direct</link>
				<pubDate>Mon, 26 Aug 2019 11:00:11 +0000</pubDate>
						<category><![CDATA[半導體]]></category>
		<category><![CDATA[新聞稿]]></category>
		<category><![CDATA[科技]]></category>
		<category><![CDATA[AMD EPYC 7002 Series]]></category>
		<category><![CDATA[DRAM]]></category>
		<category><![CDATA[LRDIMM]]></category>
		<category><![CDATA[RDIMM]]></category>
		<category><![CDATA[Samsung PM1733 PCIe Gen 4]]></category>
		<category><![CDATA[動態隨機存取記憶體]]></category>
		<category><![CDATA[固態硬碟]]></category>
		<category><![CDATA[記憶體]]></category>
                <guid isPermaLink="false">http://bit.ly/2NuWZbl</guid>
									<description><![CDATA[三星電子宣布推出Samsung PM1733 PCIe第四代固態硬碟(SSD)，以及高密度RDIMM(註一)和LRDIMM(註二)動態隨機存取記憶體(DRAM)，支援最新發佈的AMD EPYC™ 7002系列處理器，進一步鞏固其在記憶體市場的龍頭地位。AMD於舊金山推出第二代AMD EPYC™處理器。 &#160;]]></description>
																<content:encoded><![CDATA[<p>三星電子宣布推出Samsung PM1733 PCIe第四代固態硬碟(SSD)，以及高密度RDIMM<sup>(註一)</sup>和LRDIMM<sup>(註二)</sup>動態隨機存取記憶體(DRAM)，支援最新發佈的AMD EPYC<img src="https://s.w.org/images/core/emoji/11/72x72/2122.png" alt="™" class="wp-smiley" style="height: 1em; max-height: 1em;" /> 7002系列處理器，進一步鞏固其在記憶體市場的龍頭地位。AMD於舊金山推出第二代AMD EPYC<img src="https://s.w.org/images/core/emoji/11/72x72/2122.png" alt="™" class="wp-smiley" style="height: 1em; max-height: 1em;" />處理器。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>三星電子記憶體產品規劃資深副總裁Jinman Han談到：「在開發第二代AMD EPYC處理器的過程中，我們聆聽客戶的需求並與三星電子密切合作，以整合我們最先進的記憶儲存產品。透過全新的數據中心處理器，AMD為現代數據中心的客戶，帶來樹立全新標竿的處理器。」</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>AMD資料中心解決方案群企業副總裁暨總經理Scott Aylor 表示：「三星電子大力支援第二代AMD EPYC處理器的推出，能擁有這樣的合作夥伴，我們感到既興奮又感激。透過兩倍核心、突破性的效能表現和嵌入式安全性能，並在領先架構的全面優化下，客戶可以隨著業務的成長速度，為數據中心的營運帶來轉型。」</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>AMD EPYC<img src="https://s.w.org/images/core/emoji/11/72x72/2122.png" alt="™" class="wp-smiley" style="height: 1em; max-height: 1em;" /> 7002系列處理器每個插槽的性能預計將比前一代成長二倍<sup>(註三)</sup>，峰值FLOPS將高出四倍<sup>(註四)</sup>。新款處理器能為8-64核心「Zen 2」架構，帶來一致與全面性的I / O、記憶體與安全性能。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>相較於目前的第三代SSD，三星電子新推出的PCIe第四代PM1733 SSD具有二倍的存取速度，在性能表現上領先現今市場上的任何固態硬碟。循序讀取速度達到每秒8.0GB，隨機讀取速度則達到1500K IOPS，提供 U.2(Gen 4 x4)和HHHL(Gen 4 x8)兩種不同規格，最大硬碟容量分別為 30.72 TB與15.36 TB。該硬碟以第五代512 Gb TLC V-NAND技術生產。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>三星電子將於本季向業界推出PM1733硬碟，包含U.2和HHHL兩種規格，並將向下相容於PCIe第三代架構，為現有和未來的伺服器應用帶來卓越的靈活性。該硬碟也具備支援儲存和伺服器應用的雙埠功能。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>除了PM1733 SSD外，三星電子也針對AMD EPYC 7002系列處理器，推出全系列的RDIMM和LRDIMM DRAM產品。在8Gb 和16Gb DDR4組件架構的應用下，三星電子能提供8GB到256GB的DIMM容量。借助三星電子的高密度DIMM，用戶可建立每CPU高達4TB的大容量儲存環境。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p><sup><em>註一：暫存器雙列直插式記憶體模組</em></sup></p>
<p><sup><em>註二：低負載雙列直插式記憶體模組</em></sup></p>
<p><sup><em>註三：截至</em><em>2019</em><em>年</em><em>7</em><em>月</em><em>3</em><em>日對</em><em>AMD EPYC</em><em>處理器提出的預估推測，採用內部電腦模擬的試產部件和</em><em>SPECrate®2017_int_base</em><em>測試結果，測試結果依量產之晶片組而異。截至</em><em>2019</em><em>年</em><em>6</em><em>月的</em><em>EPYC 7601</em><em>結果</em><em>: </em><span><a href="http://spec.org/cpu2017/results/res2019q2/cpu2017-20190411-11817.pdf"><em>http://spec.org/cpu2017/results/res2019q2/cpu2017-20190411-11817.pdf</em></a></span> <em>。</em><em>SPEC®</em><em>、</em><em>SPECrate®</em><em>和</em><em>SPEC CPU®</em><em>是</em><em>Standard Performance Evaluation Corporation</em><em>的註冊商標。詳情請造訪該公司官網</em> <span><a href="http://www.spec.org"><em>www.spec.org</em></a></span> <em>。</em><em>      </em></sup></p>
<p><sup><em>註四：基於「</em><em>Zen2</em><em>」的處理器估計每插槽的浮點數</em><em>(FLOPS)</em><em>，相比「</em><em>Zen1</em><em>」的處理器高</em><em>4</em><em>倍。</em></sup></p>
]]></content:encoded>
																				</item>
					<item>
				<title>業界首款! 三星電子推出專為高階智慧型手機設計的 12Gb LPDDR5 Mobile DRAM 正式量產</title>
				<link>https://news.samsung.com/tw/%e6%a5%ad%e7%95%8c%e9%a6%96%e6%ac%be-%e4%b8%89%e6%98%9f%e9%9b%bb%e5%ad%90%e6%8e%a8%e5%87%ba%e5%b0%88%e7%82%ba%e9%ab%98%e9%9a%8e%e6%99%ba%e6%85%a7%e5%9e%8b%e6%89%8b%e6%a9%9f%e8%a8%ad%e8%a8%88%e7%9a%84?utm_source=rss&amp;utm_medium=direct</link>
				<pubDate>Tue, 30 Jul 2019 10:00:57 +0000</pubDate>
						<category><![CDATA[半導體]]></category>
		<category><![CDATA[12Gb LPDDR5]]></category>
		<category><![CDATA[5G]]></category>
		<category><![CDATA[DRAM]]></category>
		<category><![CDATA[LPDDR5 DRAM]]></category>
		<category><![CDATA[Semiconductors Leadership]]></category>
		<category><![CDATA[新型行動記憶體產品]]></category>
		<category><![CDATA[記憶體]]></category>
		<category><![CDATA[記憶體技術]]></category>
                <guid isPermaLink="false">http://bit.ly/2Mof8XR</guid>
									<description><![CDATA[基於最新的Mobile DRAM標準，新型Samsung 12Gb LPDDR5。 優化未來旗艦產品的5G和AI功能 &#160; 三星電子身為全球尖端記憶體技術的領導者，今日宣佈已進行量產業界首款12-gigabit (Gb) LPDDR5Mobile]]></description>
																<content:encoded><![CDATA[<h3 style="text-align: center;"><span style="color: #3366ff;"><em>基於最新的</em><em>Mobile DRAM</em><em>標準，新型</em><em>Samsung 12Gb LPDDR5</em><em>。</em></span></h3>
<h3 style="text-align: center;"><span style="color: #3366ff;"><em>優化未來旗艦產品的</em><em>5G</em><em>和</em><em>AI</em><em>功能</em></span></h3>
<p><img class="alignleft size-full wp-image-11381" src="https://img.global.news.samsung.com/tw/wp-content/uploads/2019/07/Samsung-12Gb-LPDDR5_1.jpg" alt="" width="1000" height="475" srcset="https://img.global.news.samsung.com/tw/wp-content/uploads/2019/07/Samsung-12Gb-LPDDR5_1.jpg 1000w, https://img.global.news.samsung.com/tw/wp-content/uploads/2019/07/Samsung-12Gb-LPDDR5_1-704x334.jpg 704w, https://img.global.news.samsung.com/tw/wp-content/uploads/2019/07/Samsung-12Gb-LPDDR5_1-859x408.jpg 859w, https://img.global.news.samsung.com/tw/wp-content/uploads/2019/07/Samsung-12Gb-LPDDR5_1-768x365.jpg 768w" sizes="(max-width: 1000px) 100vw, 1000px" /></p>
<p>&nbsp;</p>
<p>三星電子身為全球尖端記憶體技術的領導者，今日宣佈已進行量產業界首款12-gigabit (Gb) LPDDR5Mobile DRAM，該產品已針對未來智慧型手機的5G與AI功能優化。三星電子自宣布量產12GB LPDDR4X後，不到5個月的時間，即推出新型行動記憶體產品，進一步強化高階記憶體的產品陣容。三星電子也計畫於本月稍晚時間，投入12-gigabyte (GB) LPDDR5封裝的量產，每個封裝含有8個12Gb晶片，滿足高階智慧型手機製造商對性能和容量的更高需求。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>三星電子DRAM產品與技術執行副總裁Jung-bae Lee表示：「透過量產三星電子第二代10奈米(nm)製程的12Gb LPDDR5，支援全球客戶推出5G旗艦智慧型手機，我們對此感到興奮不已。三星電子將再接再厲，致力於新一代行動記憶體技術的推陳出新，帶來更卓越的性能和更高的容量，積極推動高階記憶體市場的成長。」</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>奠基於領先業界的速度與效能優勢，三星電子最新的Mobile DRAM可協助新一代智慧型旗艦手機將5G與AI功能發揮得淋漓盡致，例如超高解析度的錄影畫質及機器學習，同時大幅延長電池續航力。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>12Gb LPDDR5的數據傳輸速度達每秒5,500 megabits，較現今高端智慧型手機搭載的前一代行動記憶體(LPDDR4X；傳輸速度每秒4,266Mb)快1.3倍；製成 12GB封裝時，LPDDR5能在一秒鐘內傳輸44GB的資料，相當於12部full-HD (3.7GB大小)影片。結合新型電路設計、改良的時脈、訓練與低功耗等特性，新型DRAM功耗較前一代大幅降低30%，即使在高速傳輸速率下，也能確保性能的長期穩定。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>為了能更靈活管理產能，回應全球廣大客戶需求，三星電子目前考慮將12Gb LPDDR5生產線遷往韓國平澤市廠區；同時，繼推出12Gb LPDDR5Mobile DRAM後，三星電子也計畫在明年開發16Gb LPDDR5Mobile DRAM，鞏固其在全球記憶體市場的龍頭地位。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>[參考資料] 三星電子Mobile DRAM大事紀：生產/量產</p>
<p>&nbsp;</p>
<table width="100%">
<tbody>
<tr>
<td style="text-align: center;" width="200">日期</td>
<td style="text-align: center;" width="200">容量</td>
<td style="text-align: center;" width="400">Mobile DRAM</td>
</tr>
<tr>
<td style="text-align: center;" width="83">2019年7月</td>
<td style="text-align: center;" width="83">12GB</td>
<td style="text-align: center;" width="280">10nm-級別 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td style="text-align: center;" width="83">2019年6月</td>
<td style="text-align: center;" width="83">6GB</td>
<td style="text-align: center;" width="280">10nm-級別 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td style="text-align: center;" width="83">2019年2月</td>
<td style="text-align: center;" width="83">12GB</td>
<td style="text-align: center;" width="280">10nm-級別 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td style="text-align: center;" width="83">2018年4月</td>
<td style="text-align: center;" width="83">8GB (開發)</td>
<td style="text-align: center;" width="280">10nm-級別 8Gb LPDDR5, 6400Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td style="text-align: center;" width="83">2016年9月</td>
<td style="text-align: center;" width="83">8GB</td>
<td style="text-align: center;" width="280">10nm-級別 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td style="text-align: center;" width="83">2015年8月</td>
<td style="text-align: center;" width="83">6GB</td>
<td style="text-align: center;" width="280">20nm 12Gb LPDDR4, 4266Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td style="text-align: center;" width="83">2014年12月</td>
<td style="text-align: center;" width="83">4GB</td>
<td style="text-align: center;" width="280">20nm 8Gb LPDDR4, 3200Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td style="text-align: center;" width="83">2014年9月</td>
<td style="text-align: center;" width="83">3GB</td>
<td style="text-align: center;" width="280">20nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td style="text-align: center;" width="83">2013年11月</td>
<td style="text-align: center;" width="83">3GB</td>
<td style="text-align: center;" width="280">20nm-級別 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td style="text-align: center;" width="83">2013年7月</td>
<td style="text-align: center;" width="83">3GB</td>
<td style="text-align: center;" width="280">20nm-級別 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td style="text-align: center;" width="83">2013年4月</td>
<td style="text-align: center;" width="83">2GB</td>
<td style="text-align: center;" width="280">20nm-級別 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td style="text-align: center;" width="83">2012年8月</td>
<td style="text-align: center;" width="83">2GB</td>
<td style="text-align: center;" width="280">30nm-級別 4Gb LPDDR3, 1600Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td style="text-align: center;" width="83">2011年</td>
<td style="text-align: center;" width="83">1/2GB</td>
<td style="text-align: center;" width="280">30nm-級別 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td style="text-align: center;" width="83">2010年</td>
<td style="text-align: center;" width="83">512MB</td>
<td style="text-align: center;" width="280">40nm-級別 2Gb MDDR, 400Mb/s</td>
</tr>
<tr>
<td style="text-align: center;" width="83">2009年</td>
<td style="text-align: center;" width="83">256MB</td>
<td style="text-align: center;" width="280">50nm-級別 1Gb MDDR, 400Mb/s</td>
</tr>
</tbody>
</table>
]]></content:encoded>
																				</item>
			</channel>
</rss>
