GAA蓄勢待發－3奈米將於2022年投入量產；2奈米訂於2025年

三星GAA專利技術－多橋通道場效電晶體FET（MBCFET），具備升級的功效和靈活設計優勢，對未來製程技術遷移至關重要。相較於5奈米製程，三星首度採用MBCFET的3奈米GAA節點，使晶片面積縮減35%、性能提升30%且功耗降低50%。除了優化功耗、性能和面積（PPA）外，隨著製程技術成熟，3奈米邏輯技術良率已逐漸趨近於量產中的4奈米製程。
 
三星預計於2022年上半年，生產首批基於3奈米技術設計的晶片，而第二代的3奈米晶片，則預計於2023年投入生產。三星技術路線圖的最新部署項目，採用MBCFET技術的2奈米製程節點，目前處於早期開發階段，預計將於2025年投入量產。
 

CIS、DDI、MCU適用FinFET – 17奈米專業製程技術登場

三星晶圓代工持續精進FinFET製程技術，以支援具成本效益及應用競爭力的專業產品。三星17奈米FinFET製程節點，堪稱其中的最佳實例。除了FinFET的固有優勢，該製程節點亦得益於3D電晶體架構，具備卓越的性能與能效。因此，與28奈米製程相比，三星17奈米FinFET可縮減43%面積、提升39%性能及49%能效。
 
此外，三星正積極推進14奈米製程，以支援3.3V高壓或快閃型嵌入式MRAM（eMRAM），進而提升寫入速度與密度，成為微控制器單元（MCU）、IoT與穿戴裝置等應用的絕佳選擇。三星8奈米無線射頻（RF）平台，可望進一步擴大其在5G半導體市場的領導地位，涵蓋sub-6GHz至mmWave毫米波應用。
 
2021年11月，三星將攜手生態圈合作夥伴，以線上虛擬方式舉辦三星晶圓代工SAFE論壇。