三星開始量產業界最快的旗艦級智慧型手機儲存晶片

Mon, 06 Apr 2020 10:30:27 +0000

全球先進記憶體技術領導品牌三星電子，宣布開始量產業界首款用於旗艦級智慧手機512 GB 嵌入式通用快閃記憶體（embedded Universal Flash Storage）eUFS3.1，其寫入速度較上一代512GB eUFS 3.0行動儲存晶片快三倍，突破智慧型手機儲存晶片1GB/s的性能極限。
三星電子記憶體業務暨行銷執行副總裁Cheol Choi 表示：「隨著三星推出最快速的行動記憶體，智慧型手機使用者將可擺脫傳統記憶卡的容量瓶頸。今年全球智慧型手機產業，對高速儲存的需求快速成長，全新eUFS 3.1的問世，展現三星致力支援產業需求的承諾。」

三星512GB eUFS 3.1的循序寫入速度超過1,200MB/s，較SATA桌上型電腦（540MB/s）快兩倍以上，更較UHS-I microSD卡（90MB/s）快十倍以上。這表示當消費者將大量的檔案，例如8K影片或數百張的大尺寸照片，存入智慧型手機時，能享受媲美超薄筆電的儲存速度而不需緩衝。此外，將舊手機內容傳輸至新裝置時，傳輸時間亦大幅縮減。搭載最新eUFS 3.1的手機，只需1.5分鐘，即可移動100GB的數據；而搭載UFS 3.0的手機，則至少需要4分鐘以上。

在隨機讀取方面，512GB eUFS 3.1的處理速度，較目前廣泛使用的UFS 3.0版本提升60％，每秒讀取速度最高可達100,000 IOPS，寫入速度則可達到70,000 IOPS。

除了512GB容量，三星亦將為旗艦級智慧型手機推出256GB和128GB容量版本。

自3月開始，三星已投入第五代V-NAND的量產，以充份滿足旗艦級和高階智慧型手機市場的記憶體需求。三星計劃在不久的未來，將韓國平澤生產線的第五代V-NAND量產遷移至第六代，為日益成長的需求帶來更佳的解決方案。

三星嵌入式儲存記憶體陣容

記憶體	循序讀取速度（Sequential Read）	循序寫入速度（Sequential Write）	隨機讀取速度（Random Read）	隨機寫入速度（Random Write）
512GB eUFS 3.1	2100MB/s	1200MB/s	100,000 IOPS	70,000 IOPS
（2020年3月）		（提升3倍）	（提升1.6倍）	（提升1.03倍）
512GB eUFS 3.0	2100MB/s	410MB/s	63,000 IOPS	68,000 IOPS
（2019年2月）
1TB eUFS 2.1	1000MB/s	260MB/s	58,000 IOPS	50,000 IOPS
（2019年1月）
512GB eUFS 2.1	860MB/s	255MB/s	42,000 IOPS	40,000 IOPS
（2017年11月）
Automotive UFS 2.1	850MB/s	150MB/s	45,000 IOPS	32,000 IOPS
（2017年9月）
256GB UFS Card	530MB/s	170MB/s	40,000 IOPS	35,000 IOPS
（2016年7月）
256GB eUFS 2.0	850MB/s	260MB/s	45,000 IOPS	40,000 IOPS
（2016年2月）
128GB eUFS 2.0	350MB/s	150MB/s	19,000 IOPS	14,000 IOPS
（2015年1月）
eMMC 5.1	250MB/s	125MB/s	11,000 IOPS	13,000 IOPS
eMMC 5.0	250MB/s	90MB/s	7,000 IOPS	13,000 IOPS
eMMC 4.5	140MB/s	50MB/s	7,000 IOPS	2,000 IOPS

5th Generation V-NAND – Samsung Newsroom 台灣

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