該先進晶圓代工技術支援多通道及多天線晶片設計，可望實現5G通訊的「單一晶片解決方案」。三星擴展8奈米射頻平台規模，涵蓋sub-6GHz至mmWave頻段的應用領域；進一步穩固5G半導體市場的領先地位。

三星8奈米射頻製程技術，為堅強的射頻解決方案陣營再添生力軍，包括28奈米與14奈米。自2017年起，三星搭載於高階智慧型手機的行動射頻晶片出貨量，累計已突破５億大關，；奠定三星於射頻市場屹立不搖的領導地位。

三星電子晶圓技術開發團隊負責人Hyung Jin Lee表示：「三星透過卓越的創新實力與製程技術，強化新世代無線通訊產品陣容。隨著5G mmWave頻段的擴展，對渴望延長小體積行動裝置電池續航力、實現卓越訊號品質的客戶而言，三星8奈米射頻技術為絕佳的解決方案。」

三星嶄新的RFeFET架構
隨著先進製程節點持續微縮，數位積體電路的效能、功耗與面積（PPA）皆已獲顯著改善。然而，受限於寄生效應影響（例如線寬狹窄造成電阻增加），使得類比／射頻區塊的發展，仍較難與數位積體電路相提並論。多數通訊晶片因此具射頻衰減特性，例如接收頻率訊號衰減、功耗增加等。

為了克服類比／射頻面臨的製程微縮挑戰，三星專為8奈米射頻開發獨特架構－RFextremeFET（RFeFET），可顯著優化射頻特性並降低功耗。相較於14奈米射頻，RFeFET架構可強化數位效能與晶片面積微縮，同時恢復類比／射頻製程微縮的進展速度，實現高效能的5G平台製程。

三星的製程優化，不僅可最大化通道移動率（Channel Mobility），同時可降低寄生效應。隨著RFeFET效能的大幅提升，射頻晶片的電晶體總數以及類比／射頻區塊面積將可減少。

得益於RFeFET的架構創新，三星8奈米射頻製程技術與14奈米射頻相比，能效可提升35%且縮減35%邏輯區塊面積。