GAA蓄勢待發－3奈米將於2022年投入量產；2奈米訂於2025年

三星GAA專利技術－多橋通道場效電晶體FET（MBCFET），具備升級的功效和靈活設計優勢，對未來製程技術遷移至關重要。相較於5奈米製程，三星首度採用MBCFET的3奈米GAA節點，使晶片面積縮減35%、性能提升30%且功耗降低50%。除了優化功耗、性能和面積（PPA）外，隨著製程技術成熟，3奈米邏輯技術良率已逐漸趨近於量產中的4奈米製程。
 
三星預計於2022年上半年，生產首批基於3奈米技術設計的晶片，而第二代的3奈米晶片，則預計於2023年投入生產。三星技術路線圖的最新部署項目，採用MBCFET技術的2奈米製程節點，目前處於早期開發階段，預計將於2025年投入量產。
 

CIS、DDI、MCU適用FinFET – 17奈米專業製程技術登場

三星晶圓代工持續精進FinFET製程技術，以支援具成本效益及應用競爭力的專業產品。三星17奈米FinFET製程節點，堪稱其中的最佳實例。除了FinFET的固有優勢，該製程節點亦得益於3D電晶體架構，具備卓越的性能與能效。因此，與28奈米製程相比，三星17奈米FinFET可縮減43%面積、提升39%性能及49%能效。
 
此外，三星正積極推進14奈米製程，以支援3.3V高壓或快閃型嵌入式MRAM（eMRAM），進而提升寫入速度與密度，成為微控制器單元（MCU）、IoT與穿戴裝置等應用的絕佳選擇。三星8奈米無線射頻（RF）平台，可望進一步擴大其在5G半導體市場的領導地位，涵蓋sub-6GHz至mmWave毫米波應用。
 
2021年11月，三星將攜手生態圈合作夥伴，以線上虛擬方式舉辦三星晶圓代工SAFE論壇。
 

該先進晶圓代工技術支援多通道及多天線晶片設計，可望實現5G通訊的「單一晶片解決方案」。三星擴展8奈米射頻平台規模，涵蓋sub-6GHz至mmWave頻段的應用領域；進一步穩固5G半導體市場的領先地位。

三星8奈米射頻製程技術，為堅強的射頻解決方案陣營再添生力軍，包括28奈米與14奈米。自2017年起，三星搭載於高階智慧型手機的行動射頻晶片出貨量，累計已突破５億大關，；奠定三星於射頻市場屹立不搖的領導地位。

三星電子晶圓技術開發團隊負責人Hyung Jin Lee表示：「三星透過卓越的創新實力與製程技術，強化新世代無線通訊產品陣容。隨著5G mmWave頻段的擴展，對渴望延長小體積行動裝置電池續航力、實現卓越訊號品質的客戶而言，三星8奈米射頻技術為絕佳的解決方案。」

三星嶄新的RFeFET架構
隨著先進製程節點持續微縮，數位積體電路的效能、功耗與面積（PPA）皆已獲顯著改善。然而，受限於寄生效應影響（例如線寬狹窄造成電阻增加），使得類比／射頻區塊的發展，仍較難與數位積體電路相提並論。多數通訊晶片因此具射頻衰減特性，例如接收頻率訊號衰減、功耗增加等。

為了克服類比／射頻面臨的製程微縮挑戰，三星專為8奈米射頻開發獨特架構－RFextremeFET（RFeFET），可顯著優化射頻特性並降低功耗。相較於14奈米射頻，RFeFET架構可強化數位效能與晶片面積微縮，同時恢復類比／射頻製程微縮的進展速度，實現高效能的5G平台製程。

三星的製程優化，不僅可最大化通道移動率（Channel Mobility），同時可降低寄生效應。隨著RFeFET效能的大幅提升，射頻晶片的電晶體總數以及類比／射頻區塊面積將可減少。

得益於RFeFET的架構創新，三星8奈米射頻製程技術與14奈米射頻相比，能效可提升35%且縮減35%邏輯區塊面積。