全球先進記憶體技術領導品牌三星電子，宣布成功開發業界首款512GB CXL（Compute Express Link）DRAM，為CXL商轉邁出重要步伐，實現未來IT系統的超高記憶體容量和低延遲表現。

三星自2021年5月推出業界首款配備現場可程式化邏輯閘陣列（Field Programmable Gate Array, FPGA）的CXL DRAM原型機以來，長期與數據中心、企業伺服器、晶片組供應大廠密切合作，埋首開發改良的客製化CXL裝置。

新型CXL DRAM以特殊應用積體電路（ASIC）CXL控制器建構，並首次封裝512GB DDR5 DRAM，其記憶體容量為前一代Samsung CXL產品的四倍，系統延遲則降至五分之一。

三星電子記憶體全球業務行銷副總裁、身兼CXL聯盟總監的Cheolmin Park表示：「隨著三星積極擴大CXL DRAM於新世代記憶體架構中的應用，包括軟體定義儲存（SDM）；以及人工智慧（AI）、大數據服務的大躍進，都將助力CXL DRAM成為未來運算架構的關鍵轉捩點。三星將持續密切攜手業界，共同開發和標準化CXL記憶體解決方案，促進生態系的健全發展。」

Lenovo 基礎架構解決方案事業群技術長Greg Huff表示：「身為CXL聯盟的活躍成員，Lenovo致力開發此項重要標準，協力打造以新型CXL互聯技術為核心的生態系。而身為三星CXL開發計劃的一員，我感到十分榮幸，並將於未來Lenovo系統中的CXL創新產品內，注入成長與應用的動力」。

Montage 科技策略技術副總裁Christopher Cox談到：「CXL為一項關鍵技術，其能藉由更創新的方式管理記憶體擴充和池化，於新世代伺服器平台中扮演十分重要的角色。Montage非常高興持續與三星合作，推動CXL生態系的迅速擴展。」

近年來，隨著元宇宙、人工智慧和大數據的蓬勃發展，產生數據量呈現爆炸性成長。然而，受限於傳統的DDR設計架構，記憶體的容量擴充難以達到10TB等級，因此需要如CXL全新記憶體的介面技術。

CXL和主記憶體共用的龐大記憶體池，使伺服器得以擴充記憶體容量至10TB等級，同時將頻寬增加至每秒數TB。

三星推出的512GB CXL DRAM為首款支援PCIe 5.0介面的記憶體裝置，並將採用EDSFF（E3.S）尺寸規格，特別適合新世代高容量企業伺服器和數據中心。

本月下旬，三星將公佈其開源可擴展記憶體開發套件（Scalable Memory Development Kit，SMDK）的更新版本。該全方位軟體套件，能使CXL記憶體擴展器於異構記憶體系統中順暢運作，因此系統開發人員可輕鬆將CXL記憶體導入AI、大數據和雲端應用程式等各式IT系統，無須修改現有的應用環境。

今年第三季起，三星將開始提供客戶和合作夥伴512GB CXL DRAM樣品，聯合進行評估和測試，並隨著新一代伺服器平台的推出，為記憶體的商轉化做好準備。身為CXL聯盟的理事會成員，三星將於開發新世代介面技術上，與眾多的全球數據中心、伺服器和晶片組供應大廠展開開放式合作，為IT產業創造實質助益。