全球先進記憶體技術領導品牌三星電子宣布，已成功開發業界首款採用12奈米製程技術打造的16 GB DDR5 DRAM，並攜手AMD完成產品的相容性評估。

三星電子DRAM產品與技術執行副總裁Jooyoung Lee表示：「三星12奈米級DRAM將成為提升DDR5 DRAM市場普及率的關鍵動力。新款DRAM具備卓越的性能與能效，可望為新世代運算、數據中心、AI驅動系統等領域的永續營運奠定基石。」

AMD資深副總裁兼任企業研究員暨客戶、運算與繪圖技術長Joe Macri表示：「創新有賴於同業夥伴的密切合作，攜手推動技術發展。我們很高興與三星再次合作，尤其是推出在『Zen』平台上經過優化與驗證的DDR5記憶體產品。」

此項技術進展的成功關鍵，在於採用可提升電池電容量的新型高介電（high-k）材料，以及可改善關鍵電路特性的專有設計技術。新款DRAM整合先進、多層極紫外光（EUV）微影製程，並具備業界最高的裸晶密度，可使晶圓生產率提升20%。

採用最新DDR5標準的優勢下，三星12奈米級DRAM可提供高達7.2 Gbps的傳輸速度。經換算，相當於能在1秒內處理兩部30 GB檔案大小的UHD電影。

新型DRAM的驚人處理速度，與更上層樓的能效表現相得益彰。相較於上一代DRAM產品，12奈米級DRAM可減少高達23%的功耗，是積極朝永續經營的全球IT企業的首選解決方案。

隨著2023年進入量產階段，三星將持續與同業夥伴攜手前行，擴大以此先進12奈米製程技術打造的DRAM產品陣容，並將產品線進一步延伸至其它市場，以因應新世代運算的快速發展。

今年盛會吸引逾800位客戶與合作夥伴共襄盛舉，三星記憶體與系統半導體（System LSI）事業部負責人輪番發表演講，包括總裁暨記憶體事業部負責人Jung-bae Lee、總裁暨系統半導體事業部負責人Yong-In Park，以及三星執行副總裁暨裝置解決方案（DS）事業群美洲分部負責人Jaeheon Jeong，揭示三星最新技術進展與未來願景。

系統半導體事業部重要進展

上半場議程中，系統半導體事業部強調將妥善組合獨特且類型廣泛的產品陣容，創造最大綜效，朝「整體解決方案無晶圓廠」（total solution fabless）目標邁進。系統半導體事業部為三星電子旗下的無晶圓IC設計廠，供應約900項產品，涵蓋SoC（系統單晶片）、影像感光元件、數據機、面板驅動IC（DDI）、電源管理IC（PMIC）和安全解決方案。

系統半導體事業部除生產業界領先的單項產品，亦提供整合多種邏輯IC的整體解決方案，完整滿足客戶需求。

三星電子總裁暨系統半導體事業部負責人Yong-In Park表示：「身處機器需具備學習與思考能力的時代，扮演機器大腦、心臟、神經系統和雙眼的邏輯晶片，其重要性不可同日而語。三星將集結並整合嵌入在各種產品的技術，如SoC、感應器、DDI和數據機，以整體解決方案供應商之姿，引領第四次工業革命。」

▲三星電子總裁暨系統半導體事業部負責人Yong-In Park於Samsung Tech Day 2022發表主題演講。

晶片終極願景：媲美人腦

第四次工業革命是系統半導體事業部在Tech Day的報告重點。三星生產之邏輯晶片，是促成第四次工業革命的三大特徵－超智慧（Hyper-Intelligence）、超連結（Hyper-Connectivity）與超巨量資料（Hyper-Data）的物理基礎。三星電子致力提升邏輯晶片效能，以達媲美人類執行工作的相同水準。

為實現此願景，系統半導體事業部從NPU（神經處理單元）、數據機等核心IP著手升級，並攜手全球領導廠商，研發新世代CPU（中央處理器）與GPU（繪圖處理單元）。

與此同時，事業部持續投入研發超高解析度影像感光元件，使晶片能和人眼一樣捕捉影像，亦規劃打造五感兼具的感應器。

揭曉新世代邏輯晶片

三星電子於Tech Day首次曝光多款先進邏輯晶片，包括5G Exynos Modem 5300、Exynos Auto V920和QD OLED DDI等，為手機、家電與汽車等各產業的關鍵零組件。

大會亦展示多款今年新推出或發表的晶片產品，如旗艦行動處理器Exynos 2200，以及業界最小0.56微米200MP ISOCELL HP3影像感光元件。Exynos 2200採用最先進4奈米EUV（極紫外光）製程，結合頂尖的行動、GPU與NPU技術打造而成，提供智慧型手機用戶最極致的體驗。ISOCELL HP3單位畫素尺寸較前一代（0.64微米）縮小12%，使相機模組表面積得以縮減約20%，以利手機客戶打造纖薄的旗艦裝置。

在介紹ISOCELL HP3時，三星同步向觀眾展示具備200 MP感光元件相機所拍出的絕美影像。另秀出專為生物辨識信用卡設計的指紋安全IC，其由指紋辨識器、安全元件（SE）和安全處理器組合而成，讓信用卡多一層身分驗證與安全機制保護。

記憶體事業部重要進展

在三星引領DRAM與NAND Flash市場分別邁入30年與20年之際，記憶體事業部於本次大會揭曉第五代10奈米級（1b）DRAM，及第八代和第九代V-NAND，並誓言於未來十年中，持續提供首屈一指的記憶體產品組合。

三星亦強調將加強合作，以更高韌性應對產業新挑戰。

三星電子總裁暨記憶體事業部負責人Jung-bae Lee表示：「三星投入記憶體40餘年，至今已生產一兆GB的記憶體晶片，其中約半數集中於過去三年，可見數位轉型的速度相當驚人。隨著記憶體頻寬、容量與能源效率續增，新平台應運而生，並催生更多半導體創新，三星將加強整合，朝數位共演化（coevolution）目標邁進。」

▲三星電子總裁暨記憶體事業部負責人Jung-bae Lee於Samsung Tech Day 2022發表主題演講。

DRAM解決方案助攻資料智慧化

三星現今著手研發的1b DRAM計劃於2023年量產。為突破10奈米技術關卡，三星積極導入顛覆性的圖案化（patterning）製程、材料與架構，在High-K新材料的進展亦相當順利。

接著介紹即將推出的32Gb DDR5 DRAM、8.5Gbps LPDDR5X DRAM和36Gbps GDDR7 DRAM等解決方案，將為資料中心、高效能運算（HPC）、行動、遊戲與車用科技市場解鎖新應用。

除了一般DRAM晶片，三星亦看準HBM-PIM、AXDIMM和CXL等客製化解決方案將驅動系統層級的創新，可更有效應對全球資料的爆炸式成長。

2030年內推出1000+層V-NAND

自十年前問世，三星V-NAND技術已演進至第八代，層數是第一代的10倍，位元來到15倍。最新512Gb第八代V-NAND的位元密度提高42%，為迄今512Gb三層儲存單元（TLC）產品之最。目前計劃2022年底出貨業界最高容量1Tb TLC V-NAND。

三星並提及已在研發第九代V-NAND，目標2024年量產。並將於2030年研發1000層以上產品，以支援未來資料密集的技術應用。

隨著AI和大數據應用發展，客戶對記憶體速度與容量的要求也更高，三星將加速轉進四層單元（QLC），衝高位元密度，同時持續優化能源效率，協助全球客戶擴大落實永續經營。

藉由深化合作擴增解決方案量能

三星儲存解決方案涵蓋資料中心、企業級伺服器、行動、客戶端、消費級與車用等領域，產品組合無所不包。事業部強調，其高效能、低功耗的AI最佳化運算型儲存產品，將協助客戶跟上綠色運算趨勢。三星亦展示全新PM9C1a無DRAM固態硬碟（SSD），同時支援PCIe 4.0和5.0。

三星隨後分享其智慧移動藍圖，充分展現引領產業發展的企圖心。其車用記憶體品項完備，滿足現今汽車的多樣化功能，例如車載資訊娛樂系統（In-vehicle Infotainment，IVI）、自動駕駛（Autonomous Driving，AD）、先進駕駛輔助系統（Advanced Driver Assisted Systems，ADAS）、儀表板、閘道器和車載資通訊系統。自2015年跨入車用記憶體以來，三星的市占率快速上升，目標2025年成為全球最大車用記憶體廠商。

最後，三星重申，其首要目標是為客戶創造更高價值，以客戶導向為研發哲學，並強調將致力拓展生態圈合作的企圖心。為了擴大開放創新的規模與影響力，三星揭示強化與客戶合作的關鍵發展方針－設立三星記憶體研究中心（Samsung Memory Research Center，SMRC），客戶與合作夥伴可在此以多樣化的伺服器情境，測試與驗證三星記憶體和軟體解決方案。該中心將在2022年第四季於韓國率先啟用，未來計劃與Red Hat和Google Cloud等生態圈夥伴合作，於美國和其他市場設立據點

為實現資料驅動創新，推出未來性記憶體解決方案

以改變全球動態隨機存取記憶體（DRAM）市場趨勢而聞名的三星電子，隨著DDR5解決方案的發展，將再掀起新一波IT產業轉型浪潮。此外，繼今年初發表支援DDR5的CPU產品後，運算領域將圍繞於遊戲和主流PC，並引起巨大變革。

相較於2013年推出的DDR4，新一代DDR5 DRAM具有二倍快的速度以及四倍大的容量，規格分別達到4800Mpbs和512GB^（註一）。此款新世代的高效記憶體，使網路得以處理雲端運算、人工智慧、自動駕駛系統所產生的巨量數據。不同於DDR4，新一代DDR5將電源管理積體電路（PMIC）整合至雙列直插式記憶體模組（DIMM），使模組層級效能提升30%，供電亦更穩定。

數據中心是DDR5主要的應用場景，當執行操作與維持伺服器冷卻時，會耗用大量的電力。為了充分發揮潛能，數據中心需仰賴低功耗、高效能的記憶體。自今年第三季起，現有的伺服器DRAM將逐步被DDR5取代，此轉變將有助於數據中心維持成本效益，並促進綠色永續發展。

DDR5超越現有DRAM的效能極限，於速度、容量和環保等引領數據驅動創新上，扮演著至關重要的角色。欲深入了解由DDR5建構的新世界，請觀賞以下影片。

註一：該等數據涉及伺服器模組。