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【影片】產業升級利器：改變遊戲規則的三星DDR5解決方案

Tue, 19 Apr 2022 09:53:33 +0000

DDR5時代已來臨，從5G和人工智慧（AI），到元宇宙與擴增實境（AR），高效能運算不斷突破伺服器極限，以超高速度處理大量數據。全球各地的科技巨頭正緊鑼密鼓地為數據中心配置大量伺服器，三星洞悉此趨勢，開發DDR5記憶體解決方案，於產業邁向未來巔峰的過程中，扮演重要推手。

為實現資料驅動創新，推出未來性記憶體解決方案

以改變全球動態隨機存取記憶體（DRAM）市場趨勢而聞名的三星電子，隨著DDR5解決方案的發展，將再掀起新一波IT產業轉型浪潮。此外，繼今年初發表支援DDR5的CPU產品後，運算領域將圍繞於遊戲和主流PC，並引起巨大變革。

相較於2013年推出的DDR4，新一代DDR5 DRAM具有二倍快的速度以及四倍大的容量，規格分別達到4800Mpbs和512GB^（註一）。此款新世代的高效記憶體，使網路得以處理雲端運算、人工智慧、自動駕駛系統所產生的巨量數據。不同於DDR4，新一代DDR5將電源管理積體電路（PMIC）整合至雙列直插式記憶體模組（DIMM），使模組層級效能提升30%，供電亦更穩定。

數據中心是DDR5主要的應用場景，當執行操作與維持伺服器冷卻時，會耗用大量的電力。為了充分發揮潛能，數據中心需仰賴低功耗、高效能的記憶體。自今年第三季起，現有的伺服器DRAM將逐步被DDR5取代，此轉變將有助於數據中心維持成本效益，並促進綠色永續發展。

DDR5超越現有DRAM的效能極限，於速度、容量和環保等引領數據驅動創新上，扮演著至關重要的角色。欲深入了解由DDR5建構的新世界，請觀賞以下影片。

註一：該等數據涉及伺服器模組。

三星開始量產業界最先進的14奈米EUV DDR5 DRAM

Fri, 22 Oct 2021 09:35:34 +0000

全球先進記憶體技術領導品牌三星電子，近期宣佈開始量產基於極紫外光（EUV）技術，且為目前業界尺寸最小的14奈米DRAM。繼去年三月完成業界首款EUV DRAM出貨後，三星將EUV層數提升至5層，為DDR5解決方案提供最精密先進的DRAM製程。

三星電子資深副總裁暨DRAM產品與技術負責人Jooyoung Lee表示：「近三十年來，三星持續引領關鍵顯影技術（Patterning Technology）的創新發展，穏居DRAM市場領導地位。如今透過可達14奈米極致微型化的多層EUV，締造科技發展的新里程碑，這也是傳統氟化氬（ArF）製程無法實現的目標。三星將以此為基石，針對仰賴大數據運算的5G、AI和元宇宙（Metaverse）等領域，解決其更高性能與容量的需求，並提供具差異化的記憶體解決方案。」

隨著DRAM持續縮小至10奈米級，為提升顯影精準度以增進效能與產量，EUV技術的重要性與日俱增。三星14奈米DRAM使用5層EUV，不僅實現最高的位元密度，亦將整體晶圓生產率提升至20%。此外，相較於上一代DRAM節點，14奈米製程可減少約20%功耗。

三星14奈米DRAM採用最新的DDR5標準，締造史上最快、每秒可達7.2GB（Gbps）的傳輸速度，與DDR4最高速度3.2Gbps相比快兩倍。

三星計劃進一步擴大14奈米DDR5產品陣容，以支援數據中心、超級電腦與企業伺服器等應用。此外，三星目標將14奈米DRAM晶片密度提升至24Gb，以滿足全球IT系統快速成長的資料需求。

三星推出DDR5模組全新電源解決方案

Wed, 02 Jun 2021 10:27:19 +0000

*此為全球發布中譯新聞稿，實際產品與其功能支援性依各市場公告版本為準*

全球先進半導體技術領導品牌三星電子，近日發表整合式電源管理晶片（PMIC）S2FPD01、S2FPD02與S2FPC01；為業界首款專為第五代雙倍資料率（DDR5）雙列直插式記憶體模組（DIMM）設計的晶片。

新一代DRAM解決方案的設計，不同於以往將PMIC放置於主機板上；而是將PMIC整合至記憶體模組。此技術突破可提高相容性與訊號完整性，並提供穩定的效能表現。

為提升性能效率與負載暫態響應（load-transient response）， DDR5 PMIC搭載高效率混合閘極驅動器（hybrid gate driver），以及非同步雙相降壓（dual-phase buck）技術基礎的專屬控制架構。

此架構可供DC電壓降壓時，針對輸出負載電流變動進行快速暫態調適；同時因應調整轉換，將輸出電壓調節至接近穩定狀態。控制架構更具有脈衝寬度調變與脈衝頻率調變功能，可避免模式切換時出現延遲或故障。

三星電子系統半導體（System LSI）行銷部副總Harry Cho表示：「全新PMIC解決方案－S2FPD01、S2FPD02和S2FPC01，不僅效能升級，更可透過低漣波輸出電壓，將DDR5的性能優勢完整發揮；供資料中心、企業級伺服器與PC等有效處理複雜且需要大量記憶體的工作。」

專為DDR5 DIMM設計的PMIC解決方案中，S2FPD01和S2FPD02可透過其優異性能，滿足現今資料中心與企業級伺服器的即時運算需求，包括執行大量分析、機器學習與各項運算工作。而FPD01與FPD02則分別適用於低密度模組與高密度模組應用。

此外，全新PMIC解決方案以高效率混合閘極驅動器取代線性穩壓器（linear regulator），實現高達91%的能源效率。

S2FPC01則專為桌上型電腦和筆記型電腦設計；採用90奈米製程，以更小的封裝規格提供更敏捷的表現。

S2FPD01、S2FPD02與S2FPC01三款電源管理晶片樣品，目前已供三星客戶使用。

三星發表業界首款支援最新CXL規範的記憶體模組

Tue, 18 May 2021 09:40:52 +0000

全球先進記憶體技術領導品牌三星電子日前發表業界首款支援最新Compute Express Link（CXL）規範的DDR5記憶體模組。憑藉整合三星Double Data Rate 5（DDR5）技術，得以大幅擴充伺服器系統的記憶體容量及頻寬，進而提升人工智慧（AI）與數據中心的高效能運算（HPC）工作負載。

人工智慧及大數據的崛起，強勢推升採用多處理器併行運作、處理龐大數據的異構計算應用趨勢。CXL為基於PCI Express（PCIe）5.0介面、業界廣為支援的開放式規範，其可在如加速器、記憶體緩衝區、以及智慧I/O裝置等主機處理器與其它裝置之間，實現高速、低延遲的通訊，同時擴大記憶體容量和頻寬，突破當前的技術瓶頸。自CXL聯盟於2019年成立以來，三星持續與多家數據中心、伺服器和晶片組製造商合作，積極開發新世代的介面技術。

三星電子記憶體產品規劃團隊副總裁Cheolmin Park表示：「此為業界首款於CXL介面運作的DRAM記憶體解決方案，將在數據密集型應用領域－包含數據中心的人工智慧、機器學習及雲端環境發揮關鍵作用。三星將持續透過創新記憶體介面與升級容量樹立全新標竿，協助客戶和產業管理規模日益龐大、複雜、即時性的工作負載，此對於人工智慧和數據中心應用的未來，具有至關重要的意義。」

Intel研究員暨Intel I/O技術和標準總監Debendra Das Sharma博士談到：「數據中心架構正快速演進，以支援人工智慧和ML不斷成長的需求和工作負載，而CXL預期將讓記憶體應用拓展至全新境界。我們將持續與三星等同業先進合作，攜手開發以CXL為基準的強大記憶體生態系。」

AMD伺服器事業部高級副總裁暨總經理Dan McNamara補充道：「AMD致力於提升雲端和企業運算的新世代效能。其中，記憶體研究是釋放龐大效能的一塊重要拼圖。我們很高興能與三星合作，為數據中心客戶提供先進的互連技術。」

有別於通道數受限的傳統DDR記憶體，三星CXL DDR5記憶體模組能擴大記憶體容量至TB等級，以減少記憶體快取所導致的系統延遲。

除了CXL硬體創新，三星亦採用多項控制器與軟體技術，例如記憶體映射、介面轉換和錯誤管理，使CPU/GPU得以辨識CXL記憶體，並將其作為主記憶體使用。

三星的最新模組已於Intel新世代伺服器平台通過驗證，宣告基於DDR5標準的高頻寬、低延遲CXL記憶體新紀元正式來臨。三星亦與世界各地的數據中心、雲端供應商展開合作，以滿足大數據應用對龐大記憶體的需求，包括記憶體資料庫（In-Memory Database）系統。

隨著DDR5 CXL記憶體模組邁向商業化，針對仰賴擴充記憶體容量與頻寬的新世代高效能運算技術，三星將引領業界技術發展，滿足市場的殷切需求。