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		<title>eUFS &#8211; Samsung Newsroom 台灣</title>
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		<description>What's New on Samsung Newsroom</description>
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				<title>三星開始量產業界最快的旗艦級智慧型手機儲存晶片</title>
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				<pubDate>Mon, 06 Apr 2020 10:30:27 +0000</pubDate>
						<category><![CDATA[半導體]]></category>
		<category><![CDATA[新聞稿]]></category>
		<category><![CDATA[512GB eUFS 3.1]]></category>
		<category><![CDATA[5th Generation V-NAND]]></category>
		<category><![CDATA[embedded Universal Flash Storage]]></category>
		<category><![CDATA[eUFS]]></category>
		<category><![CDATA[eUFS 3.1]]></category>
		<category><![CDATA[Fifth-generation V-NAND]]></category>
		<category><![CDATA[Sixth-generation V-NAND]]></category>
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									<description><![CDATA[全球先進記憶體技術領導品牌三星電子，宣布開始量產業界首款用於旗艦級智慧手機512 GB 嵌入式通用快閃記憶體（embedded Universal Flash Storage）eUFS3.1，其寫入速度較上一代512GB eUFS 3.0行動儲存晶片快三倍，突破智慧型手機儲存晶片1GB/s的性能極限。]]></description>
																<content:encoded><![CDATA[<p>全球先進記憶體技術領導品牌三星電子，宣布開始量產業界首款用於旗艦級智慧手機512 GB 嵌入式通用快閃記憶體（embedded Universal Flash Storage）eUFS3.1，其寫入速度較上一代512GB eUFS 3.0行動儲存晶片快三倍，突破智慧型手機儲存晶片1GB/s的性能極限。<br />
三星電子記憶體業務暨行銷執行副總裁Cheol Choi 表示：「隨著三星推出最快速的行動記憶體，智慧型手機使用者將可擺脫傳統記憶卡的容量瓶頸。今年全球智慧型手機產業，對高速儲存的需求快速成長，全新eUFS 3.1的問世，展現三星致力支援產業需求的承諾。」</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>三星512GB eUFS 3.1的循序寫入速度超過1,200MB/s，較SATA桌上型電腦 （540MB/s）快兩倍以上，更較UHS-I microSD卡（90MB/s）快十倍以上。這表示當消費者將大量的檔案，例如8K影片或數百張的大尺寸照片，存入智慧型手機時，能享受媲美超薄筆電的儲存速度而不需緩衝。此外，將舊手機內容傳輸至新裝置時，傳輸時間亦大幅縮減。搭載最新eUFS 3.1的手機，只需1.5分鐘，即可移動100GB的數據；而搭載UFS 3.0的手機，則至少需要4分鐘以上。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>在隨機讀取方面，512GB eUFS 3.1的處理速度，較目前廣泛使用的UFS 3.0版本提升60％，每秒讀取速度最高可達100,000 IOPS，寫入速度則可達到70,000 IOPS。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>除了512GB容量，三星亦將為旗艦級智慧型手機推出256GB和128GB容量版本。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>自3月開始，三星已投入第五代V-NAND的量產，以充份滿足旗艦級和高階智慧型手機市場的記憶體需求。三星計劃在不久的未來，將韓國平澤生產線的第五代V-NAND量產遷移至第六代，為日益成長的需求帶來更佳的解決方案。</p>
<p>&nbsp;</p>
<h3><span style="color: #3366ff;"><strong>三星嵌入式儲存記憶體陣容</strong></span></h3>
<p>&nbsp;</p>
<table width="633">
<tbody>
<tr>
<td width="142"><strong>記憶體</strong></td>
<td width="107"><strong>循序讀取速度</strong></p>
<p>（Sequential Read）</td>
<td width="127"><strong>循序寫入速度</strong></p>
<p>（Sequential Write）</td>
<td width="115"><strong>隨機讀取速度</strong></p>
<p>（Random Read）</td>
<td width="143"><strong>隨機寫入速度</strong></p>
<p>（Random Write）</td>
</tr>
<tr>
<td width="142"><strong>512GB eUFS 3.1</strong></td>
<td rowspan="2" width="107">2100MB/s</td>
<td width="127">1200MB/s</td>
<td width="115">100,000 IOPS</td>
<td width="143">70,000 IOPS</td>
</tr>
<tr>
<td width="142">（2020年3月）</td>
<td width="127">（提升3倍）</td>
<td width="115">（提升1.6倍）</td>
<td width="143">（提升1.03倍）</td>
</tr>
<tr>
<td width="142"><strong>512GB eUFS 3.0</strong></td>
<td rowspan="2" width="107">2100MB/s</td>
<td rowspan="2" width="127">410MB/s</td>
<td rowspan="2" width="115">63,000 IOPS</td>
<td rowspan="2" width="143">68,000 IOPS</td>
</tr>
<tr>
<td width="142">（2019年2月）</td>
</tr>
<tr>
<td width="142"><strong>1TB eUFS 2.1 </strong></td>
<td rowspan="2" width="107">1000MB/s</td>
<td rowspan="2" width="127">260MB/s</td>
<td rowspan="2" width="115">58,000 IOPS</td>
<td rowspan="2" width="143">50,000 IOPS</td>
</tr>
<tr>
<td width="142">（2019年1月）</td>
</tr>
<tr>
<td width="142"><strong>512GB eUFS 2.1 </strong></td>
<td rowspan="2" width="107">860MB/s</td>
<td rowspan="2" width="127">255MB/s</td>
<td rowspan="2" width="115">42,000 IOPS</td>
<td rowspan="2" width="143">40,000 IOPS</td>
</tr>
<tr>
<td width="142">（2017年11月）</td>
</tr>
<tr>
<td width="142"><strong>Automotive UFS 2.1</strong></td>
<td rowspan="2" width="107">850MB/s</td>
<td rowspan="2" width="127">150MB/s</td>
<td rowspan="2" width="115">45,000 IOPS</td>
<td rowspan="2" width="143">32,000 IOPS</td>
</tr>
<tr>
<td width="142">（2017年9月）</td>
</tr>
<tr>
<td width="142"><strong>256GB UFS Card</strong></td>
<td rowspan="2" width="107">530MB/s</td>
<td rowspan="2" width="127">170MB/s</td>
<td rowspan="2" width="115">40,000 IOPS</td>
<td rowspan="2" width="143">35,000 IOPS</td>
</tr>
<tr>
<td width="142">（2016年7月）</td>
</tr>
<tr>
<td width="142"><strong>256GB eUFS 2.0</strong></td>
<td rowspan="2" width="107">850MB/s</td>
<td rowspan="2" width="127">260MB/s</td>
<td rowspan="2" width="115">45,000 IOPS</td>
<td rowspan="2" width="143">40,000 IOPS</td>
</tr>
<tr>
<td width="142">（2016年2月）</td>
</tr>
<tr>
<td width="142"><strong>128GB eUFS 2.0</strong></td>
<td rowspan="2" width="107">350MB/s</td>
<td rowspan="2" width="127">150MB/s</td>
<td rowspan="2" width="115">19,000 IOPS</td>
<td rowspan="2" width="143">14,000 IOPS</td>
</tr>
<tr>
<td width="142">（2015年1月）</td>
</tr>
<tr>
<td width="142">eMMC 5.1</td>
<td width="107">250MB/s</td>
<td width="127">125MB/s</td>
<td width="115">11,000 IOPS</td>
<td width="143">13,000 IOPS</td>
</tr>
<tr>
<td width="142">eMMC 5.0</td>
<td width="107">250MB/s</td>
<td width="127"> 90MB/s</td>
<td width="115"> 7,000 IOPS</td>
<td width="143">13,000 IOPS</td>
</tr>
<tr>
<td width="142">eMMC 4.5</td>
<td width="107">140MB/s</td>
<td width="127"> 50MB/s</td>
<td width="115"> 7,000 IOPS</td>
<td width="143"> 2,000 IOPS</td>
</tr>
</tbody>
</table>
<p>&nbsp;</p>
<p>&nbsp;</p>
]]></content:encoded>
																				</item>
					<item>
				<title>三星以業界首款TB級嵌入式通用快閃記憶體為智慧型手機帶來超霸氣儲存空間</title>
				<link>https://news.samsung.com/tw/%e4%b8%89%e6%98%9f%e4%bb%a5%e6%a5%ad%e7%95%8c%e9%a6%96%e6%ac%betb%e7%b4%9a%e5%b5%8c%e5%85%a5%e5%bc%8f%e9%80%9a%e7%94%a8%e5%bf%ab%e9%96%83%e8%a8%98%e6%86%b6%e9%ab%94%e7%82%ba%e6%99%ba%e6%85%a7%e5%9e%8b?utm_source=rss&amp;utm_medium=direct</link>
				<pubDate>Wed, 30 Jan 2019 13:36:02 +0000</pubDate>
						<category><![CDATA[半導體]]></category>
		<category><![CDATA[新聞稿]]></category>
		<category><![CDATA[128-Gigabyte Universal Flash Storage]]></category>
		<category><![CDATA[1TB eUFS]]></category>
		<category><![CDATA[256GB eUFS]]></category>
		<category><![CDATA[512GB eUFS package]]></category>
		<category><![CDATA[512Gb V-NAND]]></category>
		<category><![CDATA[eUFS]]></category>
		<category><![CDATA[IOPS]]></category>
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									<description><![CDATA[&#160; 擁有全球頂尖記憶體技術的領導品牌三星電子宣佈，已開始大規模量產業界首款TB級嵌入式通用快閃記憶體（eUFS）2.1，用於新世代的行動應用。三星於四年前推出首款UFS解決方案－128GB]]></description>
																<content:encoded><![CDATA[<p><img class="alignleft size-full wp-image-10123" src="https://img.global.news.samsung.com/tw/wp-content/uploads/2019/03/eUFS-1TB_main.jpg" alt="" width="1000" height="500" srcset="https://img.global.news.samsung.com/tw/wp-content/uploads/2019/03/eUFS-1TB_main.jpg 1000w, https://img.global.news.samsung.com/tw/wp-content/uploads/2019/03/eUFS-1TB_main-816x408.jpg 816w, https://img.global.news.samsung.com/tw/wp-content/uploads/2019/03/eUFS-1TB_main-768x384.jpg 768w" sizes="(max-width: 1000px) 100vw, 1000px" /></p>
<p>&nbsp;</p>
<p>擁有全球頂尖記憶體技術的領導品牌三星電子宣佈，已開始大規模量產業界首款TB級嵌入式通用快閃記憶體（eUFS）2.1，用於新世代的行動應用。三星於四年前推出首款UFS解決方案－128GB eUFS，並於短短數年內將智慧型手機的儲存容量，推升至眾人引頸期盼的TB等級。智慧型手機的愛好者，不久將不必外接記憶卡就能享受媲美高階筆電的超霸氣容量。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>三星電子記憶體業務暨行銷執行副總裁Cheol Choi表示：「1TB eUFS將扮演重量級推手的角色，為新世代行動裝置實現筆電級的使用體驗。更重要的是，三星致力保有最可靠的供應鏈與充裕的產能，可即時支援旗艦智慧型手機的上市，加速全球行動市場的成長。」</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>在相同的封裝尺寸（11.5mm×13.0mm）內，1TB eUFS較前一代512GB版本容量提升一倍，結合三星頂尖512Gb V-NAND快閃記憶體16層的疊合與最新開發的專屬控制器，智慧型手機用戶將能儲存260段長達10分鐘的4K UHD（3840×2160）影片，目前高階智慧型手機常用的64GB eUFS，大約只能儲存13段相同大小的影片。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>1TB eUFS還具備出色的傳輸速度，讓用戶能在極短的時間內，傳輸大量的多媒體內容。讀取速度可達到1,000MB/s，循序讀取速度是一般2.5吋 SATA固態硬碟（SSD）的兩倍快，這表示只要短短5秒的時間，即可完成5GB大小的Full-HD影片下載，比一般的MicroSD記憶卡快上10倍。此外，其隨機讀取速度較512GB版本提升38%，最高可達58,000 IOPS。隨機寫入速度則是高性能MicroSD記憶卡（100 IOPS）的500倍，最高可達50,000 IOPS，這樣的隨機速度能高速連拍960fps幀率影片，讓智慧型手機用戶盡情享受現今和未來旗艦手機的多鏡頭功能。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>三星計畫於2019上半年，在韓國平澤廠擴大第五代512Gb V-NAND的產量，以滿足全球行動裝置製造商對1TB eUFS的強勁需求。</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>* 參考資料: 內建記憶體之效能比較</p>
<table width="100%">
<tbody>
<tr>
<td width="160">記憶體</td>
<td width="160">循序讀取速度</td>
<td width="160">循序寫入速度</td>
<td width="160">隨機讀取速度</td>
<td width="160">隨機寫入速度</td>
</tr>
<tr>
<td width="0">Samsung<br />
1TB eUFS 2.1<br />
(2019年1月)</td>
<td width="0">1,000 MB/s</td>
<td width="0">260 MB/s</td>
<td width="0">58,000 IOPS</td>
<td width="0">50,000 IOPS</td>
</tr>
<tr>
<td width="0">Samsung<br />
512GB eUFS 2.1<br />
(2017年11月)</td>
<td width="0">860 MB/s</td>
<td width="0">255 MB/s</td>
<td width="0">42,000 IOPS</td>
<td width="0">40,000 IOPS</td>
</tr>
<tr>
<td width="0">Samsung<br />
車用eUFS 2.1<br />
(2017年9月)</td>
<td width="0">850 MB/s</td>
<td width="0">150 MB/s</td>
<td width="0">45,000 IOPS</td>
<td width="0">32,000 IOPS</td>
</tr>
<tr>
<td width="0">Samsung<br />
256GB UFS Card<br />
(2016年7月)</td>
<td width="0">530 MB/s</td>
<td width="0">170 MB/s</td>
<td width="0">40,000 IOPS</td>
<td width="0">35,000 IOPS</td>
</tr>
<tr>
<td width="0">Samsung<br />
256GB eUFS 2.0<br />
(2016年2月)</td>
<td width="0">850 MB/s</td>
<td width="0">260 MB/s</td>
<td width="0">45,000 IOPS</td>
<td width="0">40,000 IOPS</td>
</tr>
<tr>
<td width="0">Samsung<br />
128GB eUFS 2.0<br />
(2015年1月)</td>
<td width="0">350 MB/s</td>
<td width="0">150 MB/s</td>
<td width="0">19,000 IOPS</td>
<td width="0">14,000 IOPS</td>
</tr>
<tr>
<td width="0">eMMC 5.1</td>
<td width="0">250 MB/s</td>
<td width="0">125 MB/s</td>
<td width="0">11,000 IOPS</td>
<td width="0">13,000 IOPS</td>
</tr>
<tr>
<td width="0">eMMC 5.0</td>
<td width="0">250 MB/s</td>
<td width="0">90 MB/s</td>
<td width="0">7,000 IOPS</td>
<td width="0">13,000 IOPS</td>
</tr>
<tr>
<td width="0">eMMC 4.5</td>
<td width="0">140 MB/s</td>
<td width="0">50 MB/s</td>
<td width="0">7,000 IOPS</td>
<td width="0">2,000 IOPS</td>
</tr>
</tbody>
</table>
<p>&nbsp;</p>
]]></content:encoded>
																				</item>
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