三星電子DRAM產品與技術執行副總裁Jung-bae Lee表示：「基於1z製程的16Gb LPDDR5，克服DRAM在先進製程節點擴充的主要開發障礙，將產業技術推升至全新高度。三星以業界領頭羊之姿，推動整體記憶體市場的成長，我們將繼續擴大領先DRAM產品陣容，超越客戶的期望。」

擴大平澤園區產能

三星平澤園區二號生產線占地超過128,900平方公尺，相當於16座足球場，是迄今全球規模最大的半導體生產線。

此最新擴編的平澤生產線，將作為業界頂尖半導體技術的主力生產基地，生產最先進的DRAM產品，並提供新世代V-NAND與晶圓代工解決方案，鞏固三星在工業4.0時代的技術領先地位。

速度最快、容量最大的行動記憶體

基於現今最先進的（1z）製程節點，三星新型16Gb LPDDR5是首款使用EUV技術量產的記憶體，以史上最快的速度與最霸氣的容量規格，領先市面上的其它行動DRAM產品。

新型LPDDR5速度可達到每秒6,400 Mb，較現今旗艦級行動裝置的主流規格12Gb LPDDR5（每秒5,500 Mb）提升約16%。建構成16GB封裝時，LPDDR5能在短短一秒的時間內，傳輸大約10部5GB大小的高畫質影片、或51.2GB的數據。

透過全球首創的商用1z製程，LPDDR5封裝體積較前一代縮減30%，進而讓5G和多鏡頭智慧型手機、摺疊裝置，能將更多功能整合至精巧的機身設計中。16Gb LPDDR5只需8個晶片，即可建構16GB封裝，而基於1y製程技術的前一代產品，則需要12個晶片（8個12Gb晶片搭配4個8Gb晶片），才能提供相同的容量。

藉由向全球智慧型手機製造商供應首款基於1z製程的16GB LPDDR5封裝，三星計劃在2021年進一步鞏固其在旗艦行動裝置市場的地位。此外，三星亦將擴大LPDDR5產品的應用範疇，延伸至汽車領域，提供更寬廣的作業溫度範圍，以滿足極端環境的嚴苛安全和可靠度標準。