作為先進科研機構，NRD-K自2022年動工，預計將成為三星在記憶體、系統半導體和晶圓半導體研發領域的重要研究基地。憑藉其先進的基礎架構，NRD-K將能實現研發與產品驗證的同廠作業。三星計劃在2030年前投入約20兆韓元，於器興園區內興建佔地約109,000平方公尺（m²）的NRD-K研發中心。該中心亦設有研發專用生產線，擬於2025年中旬正式啟用。

▲ 三星電子副會長暨裝置解決方案（DS）事業群負責人全永鉉於韓國器興新半導體研發中心（NRD-K）的移機典禮上發表演說。

三星電子副會長暨裝置解決方案（DS）事業群負責人全永鉉表示：「NRD-K將全力推動研發，助力三星打造良性循環，加速新世代技術的基礎研究與量產製程。器興是三星電子50年半導體歷史的起點，我們將在此奠定未來發展的堅實基礎，創造下一個百年輝煌榮景。」

韓國應用材料（Applied Materials）公司負責人Park Gwang-Sun指出：「現階段，建立雙贏的合作關係比過往任何時候都更加重要。我們正致力於加速創新步伐，透過與三星電子密切合作，攜手推動半導體產業的新一波成長。」

▲ 三星電子副會長全永鉉（中）於器興園區的移機典禮與高階主管合影留念。*（左起）人才團隊負責人Wanwoo Choi、資安長Taeyang Yoon、NRD-K P/J小組負責人Jiwoon Im、晶圓代工事業部負責人Siyoung Choi、DRAM製程開發團隊BongHyun Kim、記憶體事業部負責人Jung-Bae Lee、副會長暨裝置解決方案（DS）事業群負責人全永鉉、系統半導體事業部負責人Yong In Park、快閃記憶體製程發展團隊Yujin Lee、企業總裁暨半導體晶圓廠（FAB）工程與運作負責人Seok Woo Nam、裝置解決方案技術長Jaihyuk Song、企業辦公室負責人HongGyeong Kim。

三星器興園區座落於首爾南部。1992年，世界首款64 MB DRAM於此誕生，確立了三星日後躍升為半導體龍頭的基礎。新研發機構的落成將延續園區的卓越底蘊，專注於製程技術與製造工具的最新進展，持續引領創新潮流。

▲ 三星電子高階主管於器興園區的移機典禮上合影留念。

NRD-K將配備高數值孔徑極紫外光微影技術和新型材料沉積設備，致力於加速新世代半導體記憶體的發展，如3D DRAM和超過1,000層的V-NAND。此外，創新的晶圓對晶圓鍵合技術也計劃用於晶圓鍵合基礎架構之中。

三星今年於第三季投入8.87兆韓元的研發資金，創下歷史新高，並持續突破技術極限，力求在未來科技領域保持競爭優勢，如高頻寬記憶體（HBM）製程的先進封裝技術。