全球先進半導體技術領導品牌三星電子，近日發表整合式電源管理晶片（PMIC）S2FPD01、S2FPD02與S2FPC01；為業界首款專為第五代雙倍資料率（DDR5）雙列直插式記憶體模組（DIMM）設計的晶片。

新一代DRAM解決方案的設計，不同於以往將PMIC放置於主機板上；而是將PMIC整合至記憶體模組。此技術突破可提高相容性與訊號完整性，並提供穩定的效能表現。

為提升性能效率與負載暫態響應（load-transient response）， DDR5 PMIC搭載高效率混合閘極驅動器（hybrid gate driver），以及非同步雙相降壓（dual-phase buck）技術基礎的專屬控制架構。

此架構可供DC電壓降壓時，針對輸出負載電流變動進行快速暫態調適；同時因應調整轉換，將輸出電壓調節至接近穩定狀態。控制架構更具有脈衝寬度調變與脈衝頻率調變功能，可避免模式切換時出現延遲或故障。

三星電子系統半導體（System LSI）行銷部副總Harry Cho表示：「全新PMIC解決方案－S2FPD01、S2FPD02和S2FPC01，不僅效能升級，更可透過低漣波輸出電壓，將DDR5的性能優勢完整發揮；供資料中心、企業級伺服器與PC等有效處理複雜且需要大量記憶體的工作。」

專為DDR5 DIMM設計的PMIC解決方案中，S2FPD01和S2FPD02可透過其優異性能，滿足現今資料中心與企業級伺服器的即時運算需求，包括執行大量分析、機器學習與各項運算工作。而FPD01與FPD02則分別適用於低密度模組與高密度模組應用。

此外，全新PMIC解決方案以高效率混合閘極驅動器取代線性穩壓器（linear regulator），實現高達91%的能源效率。

S2FPC01則專為桌上型電腦和筆記型電腦設計；採用90奈米製程，以更小的封裝規格提供更敏捷的表現。

S2FPD01、S2FPD02與S2FPC01三款電源管理晶片樣品，目前已供三星客戶使用。