全球先進記憶體技術領導品牌三星電子宣布，已成功開發業界首款採用12奈米製程技術打造的16 GB DDR5 DRAM，並攜手AMD完成產品的相容性評估。

三星電子DRAM產品與技術執行副總裁Jooyoung Lee表示：「三星12奈米級DRAM將成為提升DDR5 DRAM市場普及率的關鍵動力。新款DRAM具備卓越的性能與能效，可望為新世代運算、數據中心、AI驅動系統等領域的永續營運奠定基石。」

AMD資深副總裁兼任企業研究員暨客戶、運算與繪圖技術長Joe Macri表示：「創新有賴於同業夥伴的密切合作，攜手推動技術發展。我們很高興與三星再次合作，尤其是推出在『Zen』平台上經過優化與驗證的DDR5記憶體產品。」

此項技術進展的成功關鍵，在於採用可提升電池電容量的新型高介電（high-k）材料，以及可改善關鍵電路特性的專有設計技術。新款DRAM整合先進、多層極紫外光（EUV）微影製程，並具備業界最高的裸晶密度，可使晶圓生產率提升20%。

採用最新DDR5標準的優勢下，三星12奈米級DRAM可提供高達7.2 Gbps的傳輸速度。經換算，相當於能在1秒內處理兩部30 GB檔案大小的UHD電影。

新型DRAM的驚人處理速度，與更上層樓的能效表現相得益彰。相較於上一代DRAM產品，12奈米級DRAM可減少高達23%的功耗，是積極朝永續經營的全球IT企業的首選解決方案。

隨著2023年進入量產階段，三星將持續與同業夥伴攜手前行，擴大以此先進12奈米製程技術打造的DRAM產品陣容，並將產品線進一步延伸至其它市場，以因應新世代運算的快速發展。

為實現資料驅動創新，推出未來性記憶體解決方案

以改變全球動態隨機存取記憶體（DRAM）市場趨勢而聞名的三星電子，隨著DDR5解決方案的發展，將再掀起新一波IT產業轉型浪潮。此外，繼今年初發表支援DDR5的CPU產品後，運算領域將圍繞於遊戲和主流PC，並引起巨大變革。

相較於2013年推出的DDR4，新一代DDR5 DRAM具有二倍快的速度以及四倍大的容量，規格分別達到4800Mpbs和512GB^（註一）。此款新世代的高效記憶體，使網路得以處理雲端運算、人工智慧、自動駕駛系統所產生的巨量數據。不同於DDR4，新一代DDR5將電源管理積體電路（PMIC）整合至雙列直插式記憶體模組（DIMM），使模組層級效能提升30%，供電亦更穩定。

數據中心是DDR5主要的應用場景，當執行操作與維持伺服器冷卻時，會耗用大量的電力。為了充分發揮潛能，數據中心需仰賴低功耗、高效能的記憶體。自今年第三季起，現有的伺服器DRAM將逐步被DDR5取代，此轉變將有助於數據中心維持成本效益，並促進綠色永續發展。

DDR5超越現有DRAM的效能極限，於速度、容量和環保等引領數據驅動創新上，扮演著至關重要的角色。欲深入了解由DDR5建構的新世界，請觀賞以下影片。

註一：該等數據涉及伺服器模組。