作為先進科研機構，NRD-K自2022年動工，預計將成為三星在記憶體、系統半導體和晶圓半導體研發領域的重要研究基地。憑藉其先進的基礎架構，NRD-K將能實現研發與產品驗證的同廠作業。三星計劃在2030年前投入約20兆韓元，於器興園區內興建佔地約109,000平方公尺（m²）的NRD-K研發中心。該中心亦設有研發專用生產線，擬於2025年中旬正式啟用。

▲ 三星電子副會長暨裝置解決方案（DS）事業群負責人全永鉉於韓國器興新半導體研發中心（NRD-K）的移機典禮上發表演說。

三星電子副會長暨裝置解決方案（DS）事業群負責人全永鉉表示：「NRD-K將全力推動研發，助力三星打造良性循環，加速新世代技術的基礎研究與量產製程。器興是三星電子50年半導體歷史的起點，我們將在此奠定未來發展的堅實基礎，創造下一個百年輝煌榮景。」

韓國應用材料（Applied Materials）公司負責人Park Gwang-Sun指出：「現階段，建立雙贏的合作關係比過往任何時候都更加重要。我們正致力於加速創新步伐，透過與三星電子密切合作，攜手推動半導體產業的新一波成長。」

▲ 三星電子副會長全永鉉（中）於器興園區的移機典禮與高階主管合影留念。*（左起）人才團隊負責人Wanwoo Choi、資安長Taeyang Yoon、NRD-K P/J小組負責人Jiwoon Im、晶圓代工事業部負責人Siyoung Choi、DRAM製程開發團隊BongHyun Kim、記憶體事業部負責人Jung-Bae Lee、副會長暨裝置解決方案（DS）事業群負責人全永鉉、系統半導體事業部負責人Yong In Park、快閃記憶體製程發展團隊Yujin Lee、企業總裁暨半導體晶圓廠（FAB）工程與運作負責人Seok Woo Nam、裝置解決方案技術長Jaihyuk Song、企業辦公室負責人HongGyeong Kim。

三星器興園區座落於首爾南部。1992年，世界首款64 MB DRAM於此誕生，確立了三星日後躍升為半導體龍頭的基礎。新研發機構的落成將延續園區的卓越底蘊，專注於製程技術與製造工具的最新進展，持續引領創新潮流。

▲ 三星電子高階主管於器興園區的移機典禮上合影留念。

NRD-K將配備高數值孔徑極紫外光微影技術和新型材料沉積設備，致力於加速新世代半導體記憶體的發展，如3D DRAM和超過1,000層的V-NAND。此外，創新的晶圓對晶圓鍵合技術也計劃用於晶圓鍵合基礎架構之中。

三星今年於第三季投入8.87兆韓元的研發資金，創下歷史新高，並持續突破技術極限，力求在未來科技領域保持競爭優勢，如高頻寬記憶體（HBM）製程的先進封裝技術。

全球先進記憶體技術領導品牌三星電子宣布，已成功開發業界首款採用12奈米製程技術打造的16 GB DDR5 DRAM，並攜手AMD完成產品的相容性評估。

三星電子DRAM產品與技術執行副總裁Jooyoung Lee表示：「三星12奈米級DRAM將成為提升DDR5 DRAM市場普及率的關鍵動力。新款DRAM具備卓越的性能與能效，可望為新世代運算、數據中心、AI驅動系統等領域的永續營運奠定基石。」

AMD資深副總裁兼任企業研究員暨客戶、運算與繪圖技術長Joe Macri表示：「創新有賴於同業夥伴的密切合作，攜手推動技術發展。我們很高興與三星再次合作，尤其是推出在『Zen』平台上經過優化與驗證的DDR5記憶體產品。」

此項技術進展的成功關鍵，在於採用可提升電池電容量的新型高介電（high-k）材料，以及可改善關鍵電路特性的專有設計技術。新款DRAM整合先進、多層極紫外光（EUV）微影製程，並具備業界最高的裸晶密度，可使晶圓生產率提升20%。

採用最新DDR5標準的優勢下，三星12奈米級DRAM可提供高達7.2 Gbps的傳輸速度。經換算，相當於能在1秒內處理兩部30 GB檔案大小的UHD電影。

新型DRAM的驚人處理速度，與更上層樓的能效表現相得益彰。相較於上一代DRAM產品，12奈米級DRAM可減少高達23%的功耗，是積極朝永續經營的全球IT企業的首選解決方案。

隨著2023年進入量產階段，三星將持續與同業夥伴攜手前行，擴大以此先進12奈米製程技術打造的DRAM產品陣容，並將產品線進一步延伸至其它市場，以因應新世代運算的快速發展。

三星快閃記憶體產品與技術執行副總裁SungHoi Hur表示：「隨著市場於更高密度、更大容量記憶體的需求升溫，帶動V-NAND朝更高層數發展。三星運用先進的3D微縮技術壓縮表面積與高度，避免微縮過程常見的單元相互干擾。第八代V-NAND有助於滿足快速成長的市場需求，率先推出更多的差異化產品和解決方案，為未來記憶體的創新發展，奠定穩固根基。」

三星藉由大幅提升每片晶圓的位元產出量，達到業界最高的位元密度；第八代V-NAND採用最新的NAND快閃記憶體標準Toggle DDR 5.0介面*，最大輸入／輸出（I/O）速度每秒可達2.4Gb，較上一代提升1.2倍，預期可滿足PCIe 4.0及下一代PCIe 5.0的效能需求。

第八代V-NAND有望為記憶體配置奠定基石，助力擴展新世代企業伺服器的儲存容量，同時將觸角延伸，應用至對於可靠性要求特別嚴謹的汽車市場。

*編輯附註：Toggle DDR介面世代演進－1.0（133Mbps）、2.0（400Mbps）、3.0（800Mbps）、4.0（1,200Mbps）、5.0（2,400Mbps）。

此成果基於三星財務表現強勁，已恢復至近乎疫情前水準，且因數據流量成長帶動記憶體需求升溫。2021年，三星品牌價值較2020年飆升20%，今年持續維持雙位數成長。三星於2012年首次擠進前十強、排名第九，而後逐年向前推進，2017年排名第六，2020年晉升前五強。

三星電子執行副總裁暨行銷長李英熙（YH Lee）表示：「三星品牌價值連續兩年呈雙位數成長，皆歸功於全球消費者的支持。三星全體同仁將團結一心，致力創造更優質、更令人滿意的消費者體驗，藉以回報廣大消費者。」

Interbrand透過多面向評鑑機制，確立三星品牌價值

2021年底，三星整併旗下SET事業群，並創建裝置體驗（Device eXperience）事業群，以提升產品之間的綜效，為消費者打造更上層樓的體驗。此外，三星成立「消費者體驗－跨裝置體驗中心」，強化跨裝置的串聯體驗。

除上述措施，三星整合橫跨各類產品的SmartThings，打造更包羅萬象的生態圈及跨裝置體驗。SmartThings亦讓消費者能淋漓盡致地運用三星裝置，及其已持有的第三方產品。

此外，三星亦成立未來世代實驗室（Future Generation Lab），促進針對新世代活動交流的真實想法。三星將來自於該實驗室的深刻見解，應用於產品與行銷活動。

除了基於消費者體驗的創新產品，三星持續挹注資金開發前瞻技術，例如人工智慧（AI）、5G、汽車和機器人等，皆為三星成長注入動能。

三星各產品部門齊心努力，成果備受肯定，創造更優質的消費者體驗

手機

• 基於消費者洞察打造的Galaxy S22系列相機創新並推出夜拍活動，鞏固其在摺疊手機領域的領導地位。
• 與Google和Microsoft攜手合作，強化用戶的互聯體驗。
• 藉由Samsung Knox平台，尊重用戶安全與隱私的價值。

網路

• 奠基於大規模商用體驗，引領虛擬化、開放性的網路創新之路。
• 透過領先市場的5G產品陣容（從RAN、Core到自動化工具），推動5G產業的未來發展。
• 借助提升能效的智慧網路方案，落實企業ESG承諾。

影像顯示 

• 高階電視的持續創新，包括Micro LED、Neo QLED 8K / 4K量子電視。
• 強化以消費者生活型態為導向的產品陣容，例如The Frame美學電視、The Freestyle微型智慧投影機。
• 為消費者提供嶄新的遊戲體驗，包括Samsung Gaming Hub和Odyssey Ark。

家電

• 將Bespoke設計品味系列的應用場域，從廚房延伸至整個居家空間，涵蓋衣物呵護、地板清潔、空氣清淨等領域。
• 透過產品實現永續發展價值（主要產品的高效節能；數位變頻壓縮機的保固；攜手Patagonia對抗洗衣機產生的塑膠微粒汙染）。
• 透過線上與線下活動，為Bespoke粉絲創造連連驚喜。

半導體

• 投資新世代技術和產能，確保先進應用的穩定供貨（斥資170億美元於德州興建生產線；在器興研發園區投入20兆韓元規模資金）。
• 實現業界第一的半導體創新，提高產品效能和能效（領先業界投入3nm GAA量產）。
• 開發創新的記憶體解決方案，以因應數據密集型任務的爆發性成長，例如AI和ML（CXL記憶體、HBM-PIM、第二代SmartSSD）等領域，並擴大策略夥伴關係以克服新的產業挑戰。
• 突破邏輯解決方案的極限，打造升級的用戶體驗與嶄新機會（5G Exynos Modem、Exynos 2200、200MP ISOCELL HP3）。

Interbrand的全球最佳品牌排名，透過詳盡分析財務表現、品牌對於購買行為的影響力，以及品牌競爭力等多面向因素，估算出各品牌價值。

三星電子挺身而出，積極對抗威脅人類與環境安全的海洋污染問題。我們採取的綠色措施，包括循環利用被棄置於距離海岸線50公里內的塑膠廢棄物（OBP），並以回收材料製造高解析度顯示器及Galaxy裝置。

三星裝置解決方案（DS）部門製造廠目前採用的環保水處理技術，能大幅減少用水量，而再生水的使用量，更相當於200萬人逾半年的總用水量。上述多重努力，皆突顯三星對節約用水的堅毅承諾。

請參閱下列圖表解析，了解三星如何將OBP化為顯示器與智慧型手機等行動裝置零件，並藉由淨化半導體廠廢水，減少海洋污染。

全球先進半導體技術領導品牌三星電子，近期於線上舉辦2021年第三屆「三星先進製程晶圓代工生態圈」（SAFE^TM）論壇。

三星攜手晶圓代工生態圈夥伴，以「效能平台2.0：創新、智慧、整合」為主題，籌辦7場主題演講及76場技術座談會，並聚焦三大主題：環繞式閘極結構（GAA，創新）、人工智慧（AI，智慧）與2.5D／3D（整合）技術，以及高效能應用所需的多元設計基礎架構。

三星電子資深副總裁暨晶圓代工設計平台開發負責人Ryan Lee表示：「面對瞬息萬變的大數據時代，為滿足客戶日益增長的需求，三星攜手晶圓代工夥伴取得可觀的進展，並以強大的解決方案為成功鋪路。借助SAFE計畫，三星將以先鋒者之姿引領群雄，實現『效能平台2.0』願景。」

本屆三星論壇自11月17日起進行為期一個月的直播，與會者可透過線上SAFE論壇平台，探索一系列技術座談會，亦能與生態圈夥伴展開互動。欲註冊參加SAFE論壇者，請造訪三星活動官網https://www.samsungfoundry.com 。

SAFE 2021：效能平台2.0

身處於以數據為導向的全新時代，三星聚焦智慧財產權（IP）、電子設計自動化（EDA）、雲端、設計解決方案合作夥伴（DSP）、封裝解決方案等關鍵領域，積極擴大晶圓代工生態圈陣容。其最新SAFETM計劃內容涵蓋以下：

• SAFE^TM-IP及EDA：三星與其晶圓代工生態圈夥伴取得逾3,600個IP以及80款通過認證的EDA工具。上述工具的開發與認證，皆根據三星運作並由其合作夥伴參與的高標準認證計劃。為因應高效能應用市場需求，三星晶圓代工生態圈不僅開發具體HPC基礎IP，包括標準元件庫及記憶體編譯器，亦開發各項關鍵IP，例如100Gbps以上的串列器－解串列器（Serializer-Deserializer）介面，以及5D／3D多晶片整合解決方案。

借助EDA合作夥伴，三星已掌握專為3奈米（nm）GAA製程技術優化的設計工具，以及用於2.5D／3D多晶片整合的設計方法。客戶亦可利用基於AI與機器學習的EDA技術，系統性地管理及分析設計數據。為克服日益棘手的晶片設計與分析，三星同步強化合作夥伴關係，以促進EDA工具與相關技術開發，例如整合能有效利用運算資源的GPU，此為晶圓驗證不可或缺的技術。

• SAFE^TM-OSAT：三星計劃擴大外包半導體組裝及測試（OSAT）生態圈，以強化如5D／3D等封裝產品線，進而引領「超越摩爾定律」技術。近期三星宣佈共同開發混合基板立方體（H-Cube）解決方案，即為三星晶圓代工與OSAT社群合作的成功案例之一。該方案可實現6項HBM有效整合，同時發揮成本效益。
• SAFE^TM-Cloud Design Platform：三星去年推出雲端一站式設計平台SAFE^TM-CDP，現已支援混合雲端功能，可與客戶的傳統設計環境連結。
• SAFE^TM-DSP：於SAFE^TM-DSP生態圈加持下，三星及其全球合作夥伴得以積極支援全球無廠公司。借助先進製程技術及高效能、低功耗晶片設計知識，將設計概念化為具體客製產品。

【引述自SAFETM 夥伴企業]

• Ansys－執行長Ajei Gopal

「現今的晶片需仰賴全方位多物理場方法，而工程模擬為不可或缺的一環。Ansys很榮幸能與三星合作，為其多晶片整合計劃，提供全面性多物理場分析流程。此舉將造福雙方共同客戶、產業，乃至全世界。半導體亦將驅動自駕車、電動車、人工智慧與5G等行動技術變革。」

• Arm－執行長Simon Segars

「對整體合作夥伴生態圈而言，Arm與三星晶圓代工的長期夥伴關係，是成功在眾多市場拓展商機的重要關鍵。我們與三星攜手合作，以三星晶圓代工的環繞式閘極結構等先進製程，優化Armv9新世代處理器。過程中雙方密切合作，共同發掘橫跨高效能運算（HPC）、汽車、AI 和 IoT領域的新商機，同時處理與日俱增的複雜問題，加快產品上市時程。」

• Cadence－執行長Lip-Bu Tan

「Cadence的智慧系統設計策略與三星晶圓代工『效能平台2.0』方向一致，皆以創新、智慧無所不在、整合解決方案為主題。Cadence採用三星先進製程與封裝技術，使客戶成功開發及交付突破性創新產品，期盼能與三星晶圓代工繼續合作，加快設計的致勝腳步。」

• Siemens EDA－資深副總裁J. Incorvaia

「三星SAFE論壇為三星晶圓代工生態圈提供了難能可貴的場域，於此聚集各界人才交流資訊，並共同為三星先進製程技術尋找極致發揮的機會。Siemens EDA引頸期盼今年度三星SAFE盛會，且期待客戶與夥伴透過此盛事達成合作，攜手排除設計障礙、提高晶片成功率。」

• Synopsys－總裁暨營運長Sassine Ghazi

「Synopsys期盼結合軟體及晶片技術，創造出振奮人心、改變世界的新產品。我們與三星晶圓代工攜手合作，於3nm環繞式閘極結構的具體實現、廣泛的IP認證，AI輔助晶片設計、2.5／3D多晶片設計等領域，擬定縝密計劃。Synopsys將展開雙臂，迎接三星SAFE計畫提供的合作機會。」

GAA蓄勢待發－3奈米將於2022年投入量產；2奈米訂於2025年

三星GAA專利技術－多橋通道場效電晶體FET（MBCFET），具備升級的功效和靈活設計優勢，對未來製程技術遷移至關重要。相較於5奈米製程，三星首度採用MBCFET的3奈米GAA節點，使晶片面積縮減35%、性能提升30%且功耗降低50%。除了優化功耗、性能和面積（PPA）外，隨著製程技術成熟，3奈米邏輯技術良率已逐漸趨近於量產中的4奈米製程。
 
三星預計於2022年上半年，生產首批基於3奈米技術設計的晶片，而第二代的3奈米晶片，則預計於2023年投入生產。三星技術路線圖的最新部署項目，採用MBCFET技術的2奈米製程節點，目前處於早期開發階段，預計將於2025年投入量產。
 

CIS、DDI、MCU適用FinFET – 17奈米專業製程技術登場

三星晶圓代工持續精進FinFET製程技術，以支援具成本效益及應用競爭力的專業產品。三星17奈米FinFET製程節點，堪稱其中的最佳實例。除了FinFET的固有優勢，該製程節點亦得益於3D電晶體架構，具備卓越的性能與能效。因此，與28奈米製程相比，三星17奈米FinFET可縮減43%面積、提升39%性能及49%能效。
 
此外，三星正積極推進14奈米製程，以支援3.3V高壓或快閃型嵌入式MRAM（eMRAM），進而提升寫入速度與密度，成為微控制器單元（MCU）、IoT與穿戴裝置等應用的絕佳選擇。三星8奈米無線射頻（RF）平台，可望進一步擴大其在5G半導體市場的領導地位，涵蓋sub-6GHz至mmWave毫米波應用。
 
2021年11月，三星將攜手生態圈合作夥伴，以線上虛擬方式舉辦三星晶圓代工SAFE論壇。
 

三星減少環境足跡的環保措施

 
三星致力於將環境永續的經營理念植入企業營運的各項環節。三星產品皆經過精心設計，從初始規劃、製造、消費到廢棄回收－於整個產品生命週期中，最小化對環境造成的影響。
 
註一：上述數量為將測量值依照生產水準換算而成。
註二：一棵30年的松樹每年可吸收約6.6公斤的二氧化碳（引自韓國森林科學研究所）。
註三：上述數量為將測量值依照生產水準換算而成。
註四：引自韓國環境部（2019）。
註五：廢水污泥為工業廢水或污水處理過程中產生的副產品。
註六：上述數量為將測量值依照生產水準換算而成。

全球先進半導體技術領導品牌三星電子，近日發表整合式電源管理晶片（PMIC）S2FPD01、S2FPD02與S2FPC01；為業界首款專為第五代雙倍資料率（DDR5）雙列直插式記憶體模組（DIMM）設計的晶片。

新一代DRAM解決方案的設計，不同於以往將PMIC放置於主機板上；而是將PMIC整合至記憶體模組。此技術突破可提高相容性與訊號完整性，並提供穩定的效能表現。

為提升性能效率與負載暫態響應（load-transient response）， DDR5 PMIC搭載高效率混合閘極驅動器（hybrid gate driver），以及非同步雙相降壓（dual-phase buck）技術基礎的專屬控制架構。

此架構可供DC電壓降壓時，針對輸出負載電流變動進行快速暫態調適；同時因應調整轉換，將輸出電壓調節至接近穩定狀態。控制架構更具有脈衝寬度調變與脈衝頻率調變功能，可避免模式切換時出現延遲或故障。

三星電子系統半導體（System LSI）行銷部副總Harry Cho表示：「全新PMIC解決方案－S2FPD01、S2FPD02和S2FPC01，不僅效能升級，更可透過低漣波輸出電壓，將DDR5的性能優勢完整發揮；供資料中心、企業級伺服器與PC等有效處理複雜且需要大量記憶體的工作。」

專為DDR5 DIMM設計的PMIC解決方案中，S2FPD01和S2FPD02可透過其優異性能，滿足現今資料中心與企業級伺服器的即時運算需求，包括執行大量分析、機器學習與各項運算工作。而FPD01與FPD02則分別適用於低密度模組與高密度模組應用。

此外，全新PMIC解決方案以高效率混合閘極驅動器取代線性穩壓器（linear regulator），實現高達91%的能源效率。

S2FPC01則專為桌上型電腦和筆記型電腦設計；採用90奈米製程，以更小的封裝規格提供更敏捷的表現。

S2FPD01、S2FPD02與S2FPC01三款電源管理晶片樣品，目前已供三星客戶使用。

三星於2019年4月即宣布投資133兆韓元，本次公布的投資額大幅提高38兆韓元；以達成三星2030年成為邏輯晶片全球龍頭廠的目標。過去兩年來，三星持續與多家IC設計公司、元件與設備廠商，以及學術單位密切合作，逐步朝該目標前進。

晶圓代工事業的擴展，將有助推動以新一代科技為基礎的新興產業，包括AI、5G與自動駕駛等。

三星電子同時宣布已於韓國平澤廠建置全新P3生產線，預計於2022年下半年完工。該晶圓廠配備最新設施與技術；主要將生產採用極紫外光（EUV）曝光技術的14奈米DRAM與5奈米邏輯積體電路。

三星電子副會長暨設備解決方案部（DS）負責人金奇南博士（Kinam Kim）表示，「整個半導體產業已面臨一個分水嶺，如今正是擬定長期策略與投資的最佳時機。針對持續穩居市場領導地位的記憶體事業部，三星亦將持續投資布局，並引領產業發展。」

身為全球最大的半導體生產基地之一，平澤廠將成為下一代創新技術的領導樞紐。