作為先進科研機構，NRD-K自2022年動工，預計將成為三星在記憶體、系統半導體和晶圓半導體研發領域的重要研究基地。憑藉其先進的基礎架構，NRD-K將能實現研發與產品驗證的同廠作業。三星計劃在2030年前投入約20兆韓元，於器興園區內興建佔地約109,000平方公尺（m²）的NRD-K研發中心。該中心亦設有研發專用生產線，擬於2025年中旬正式啟用。

▲ 三星電子副會長暨裝置解決方案（DS）事業群負責人全永鉉於韓國器興新半導體研發中心（NRD-K）的移機典禮上發表演說。

三星電子副會長暨裝置解決方案（DS）事業群負責人全永鉉表示：「NRD-K將全力推動研發，助力三星打造良性循環，加速新世代技術的基礎研究與量產製程。器興是三星電子50年半導體歷史的起點，我們將在此奠定未來發展的堅實基礎，創造下一個百年輝煌榮景。」

韓國應用材料（Applied Materials）公司負責人Park Gwang-Sun指出：「現階段，建立雙贏的合作關係比過往任何時候都更加重要。我們正致力於加速創新步伐，透過與三星電子密切合作，攜手推動半導體產業的新一波成長。」

▲ 三星電子副會長全永鉉（中）於器興園區的移機典禮與高階主管合影留念。*（左起）人才團隊負責人Wanwoo Choi、資安長Taeyang Yoon、NRD-K P/J小組負責人Jiwoon Im、晶圓代工事業部負責人Siyoung Choi、DRAM製程開發團隊BongHyun Kim、記憶體事業部負責人Jung-Bae Lee、副會長暨裝置解決方案（DS）事業群負責人全永鉉、系統半導體事業部負責人Yong In Park、快閃記憶體製程發展團隊Yujin Lee、企業總裁暨半導體晶圓廠（FAB）工程與運作負責人Seok Woo Nam、裝置解決方案技術長Jaihyuk Song、企業辦公室負責人HongGyeong Kim。

三星器興園區座落於首爾南部。1992年，世界首款64 MB DRAM於此誕生，確立了三星日後躍升為半導體龍頭的基礎。新研發機構的落成將延續園區的卓越底蘊，專注於製程技術與製造工具的最新進展，持續引領創新潮流。

▲ 三星電子高階主管於器興園區的移機典禮上合影留念。

NRD-K將配備高數值孔徑極紫外光微影技術和新型材料沉積設備，致力於加速新世代半導體記憶體的發展，如3D DRAM和超過1,000層的V-NAND。此外，創新的晶圓對晶圓鍵合技術也計劃用於晶圓鍵合基礎架構之中。

三星今年於第三季投入8.87兆韓元的研發資金，創下歷史新高，並持續突破技術極限，力求在未來科技領域保持競爭優勢，如高頻寬記憶體（HBM）製程的先進封裝技術。

隨著人們在社群上分享影像和串流影片的需求增加，日常所需的數據量亦不斷攀升。全球先進記憶體技術領導品牌三星電子看準消費者需求，今（16）日宣布在台推出990 EVO Plus固態硬碟，為旗下卓越的固態硬碟陣容再添生力軍。990 EVO Plus符合PCIe 4.0技術規範且搭載最新的NAND技術，專為遊戲、商務與創意工作量身打造，為渴望強化PC能源效率、追求性能提升的消費者，提供了理想的解決方案。

Samsung 990 EVO Plus固態硬碟共推出1TB、2TB、4TB三種容量規格，建議售價分別為NT$3,879、NT$6,979以及NT$12,959，10月下旬起於PChome 24h購物、MOMO購物網、Yahoo奇摩購物中心、蝦皮三星儲存旗艦店等全台指定通路陸續上市^（註一）。

同步提升性能與電源效率

990 EVO Plus以三星領先數十年的一流半導體技術為基石，可靠性備受肯定。其連續讀取速度高達每秒7,250MB，連續寫入速度達到每秒6,300MB，較前一代990 EVO顯著提升50%。得益於三星最新的第八代V-NAND技術和5奈米控制器，性能表現大大升級，而創新的鍍鎳塗層散熱片，可最大幅減少過熱問題，效能較前代產品提升73%。其中，4TB型號更具備領先業界的隨機讀寫速度，分別高達1,050K IOPS和1,400K IOPS，即使無DRAM快取設計，990 EVO Plus的卓越性能仍可媲美配備DRAM的固態硬碟產品，成為遊戲與AI任務所需的最佳選擇。

儲存容量大躍進

在大型檔案管理、高畫質影片編輯、新世代遊戲的推波助瀾下，大容量儲存裝置的市場需求日益升溫。為滿足現今不斷成長的儲存需求，990 EVO Plus推出超大容量4TB規格，超越990 EVO上限的容量。990 EVO Plus搭載三星的Intelligent TurboWrite 2.0技術，以精益求精的技術實現極致性能，提供快速的檔案傳輸速率並降低延遲。

支援Samsung Magician Software

Samsung Magician軟體提供一套優化工具，用以強化990 EVO Plus在內的所有三星固態硬碟產品，用戶可透過輕鬆且安全的方式，簡化固態硬碟升級時數據的轉移過程。此外，Samsung Magician亦能保護珍貴數據、監控硬碟的運行狀態，並提供客製的性能優化。

【附件一】990 EVO Plus固態硬碟規格

類別	990 EVO Plus固態硬碟
圖片
介面	PCIe® Gen 4.0 x4／5.0 x2 NVMe 2.0（註二）
類型	M.2（2280）
儲存記憶體	Samsung V-NAND 3-bit TLC
控制晶片	三星內部控制器
容量（註三）	1TB	2TB	4TB
售價	NT$3,879	NT$6,979	NT$12,959
連續讀／寫速度（註四）	最高達7,250 MB／秒；最高達6,300 MB／秒
隨機讀／寫速度（QD32）（註四）	最高達850K IOPS； 最高達1,350K IOPS	最高達1,000K IOPS； 最高達1,350K IOPS	最高達1,050K IOPS； 最高達1,400K IOPS
管理軟體	Samsung Magician Software
資料加密	AES 256位元全碟加密，TCG/Opal v2.0， 加密驅動器（IEEE1667）
總寫入位元組	600TB	1200TB	2400TB
保固（註五）	五年有限保固（註六）

註一：本文產品、容量及上市時間依各銷售通路公告為主。

註二：NVM Express®為NVM Express, Inc.的註冊商標。

註三：按IDEMA定義，1GB=1,000,000,000位元組，系統檔案和維護使用，可能會佔用部分容量，因此實際容量可能與產品標籤上指示的容量有所不同。

註四：連續與隨機效能的測量，是以IOmeter1.1.0為基礎。因固態硬碟韌體版本、系統硬體和配置的不同，效能可能會有所差異。測試系統配置：AMD Ryzen9 7950x 16-Core Processor CPU@4.5GHz, DDR5 4800MHz 16GBx2), OS-Windows 11 Pro 64bit, Chipset – ASRock X670E Taichi。

註五：三星電子不對任何損失承擔責任，包括但不限於三星產品所存資料或其他資訊的遺失，以及使用者可能遭受的利潤損失或收入損失。有關保固的詳細資訊，參閱官網說明samsung.com/SSD或 semiconductor.samsung.com/internal-ssd/。

註六：五年有限保固或寫入總量（Total Bytes Written, TBW）有限保固，以先到期者為準。有關保固的更多資訊，請參考包裝上的保固聲明。

三星快閃記憶體產品與技術執行副總裁SungHoi Hur表示：「隨著市場於更高密度、更大容量記憶體的需求升溫，帶動V-NAND朝更高層數發展。三星運用先進的3D微縮技術壓縮表面積與高度，避免微縮過程常見的單元相互干擾。第八代V-NAND有助於滿足快速成長的市場需求，率先推出更多的差異化產品和解決方案，為未來記憶體的創新發展，奠定穩固根基。」

三星藉由大幅提升每片晶圓的位元產出量，達到業界最高的位元密度；第八代V-NAND採用最新的NAND快閃記憶體標準Toggle DDR 5.0介面*，最大輸入／輸出（I/O）速度每秒可達2.4Gb，較上一代提升1.2倍，預期可滿足PCIe 4.0及下一代PCIe 5.0的效能需求。

第八代V-NAND有望為記憶體配置奠定基石，助力擴展新世代企業伺服器的儲存容量，同時將觸角延伸，應用至對於可靠性要求特別嚴謹的汽車市場。

*編輯附註：Toggle DDR介面世代演進－1.0（133Mbps）、2.0（400Mbps）、3.0（800Mbps）、4.0（1,200Mbps）、5.0（2,400Mbps）。

三星電子執行副總裁暨記憶體全球業務行銷部負責人Jinman Han，日前受邀於2021年全球半導體聯盟（GSA）記憶體論壇中發表主題演講；宣佈三星將與產業攜手合作，一同開發新世代記憶體解決方案，迎向近在眼前的未來。GSA記憶體論壇為全球半導體聯盟的盛會，集結全球記憶體、邏輯、系統設計社群於一堂，共商記憶體與系統架構的未來發展。

長久以來，記憶體產業致力滿足市場對更大容量、更快速度，及更高頻寬的需求。為迎戰快速成長的市場，企業應從各自追求技術創新的方式，改為以宏觀視野規劃未來藍圖，共同凝聚產業向心力。三星於記憶體技術領域上，將與業界展開合作，率先推動新世代解決方案的開發。

面對數據浪潮，記憶體運算與子系統需加速創新。三星持續與時俱進，引領業界開發新技術，並提供現有系統架構所需的升級，包括HBM-PIM、AXDIMM、Smart SSD和運作於CXL介面的DRAM。

三星率先業界採用極紫外光（EUV）與金屬閘極（HKMG）製程，透過技術優勢，揭開記憶體的全新紀元。除了運用銅金屬混合式接合（Hybrid Copper Bonding ）等創新技術優化熱性能，三星更以卓越的V-NAND技術，持續突破記憶體的堆疊方式。

Jinman Han表示：「相較於過去企業單打獨鬥的個體創新，三星相信記憶體產業未來將透過集思廣益的解決方案，迎向未來種種挑戰。展望未來，三星將與產業攜手打造陣容更堅強、更具永續性的IT生態圈，建構數位未來。」

請點選下方影片，觀看主題演講精彩內容。

率先投入3D垂直架構，開創全新時代

若將宇宙的歷史視為一年，至今年底人類存在於地球的時間估計不超過14秒。隨著超過1700億個星系持續擴張，太陽與地球絕非位居宇宙中心；此比喻亦適用於半導體產業。
 
將比指甲還小的半導體晶片放至電子顯微鏡下觀察，一個微型宇宙將映入眼簾。每顆晶片厚度雖僅有1毫米，但上面有數百萬個精心打造的空間以存放大量資料。
 
NAND Flash快閃記憶體解決方案的儲存單元多年來均採2D架構，即是將晶片按比例排列於平面上，然而2D架構的資料儲存量卻相當有限。
 
為解決此挑戰，三星進行廣泛研究，並率先開發創新的V-NAND（「V」代表垂直）快閃記憶體；亦即於垂直堆疊的3D空間中，利用通孔技術連接各層儲存單元。三星因此成為全球首間成功研發與量產此記憶體解決方案的公司。
 
3D V-NAND於2013年問世，與過往十幾年市場使用的傳統2D架構截然不同；創造記憶體領域的全新典範。2D至3D技術演變的差異，可比喻為居住1或2層樓住宅的人，初次搬進公寓大樓的全新感受。
 

V-NAND：展現三星無可比擬的半導體研發實力

採用突破性垂直3D架構的V-NAND，自初期震撼亮相至今已逐漸成為業界標準。
 
三星於2013年發表的第一代V-NAND解決方案為24層，如今已達近200層且持續增加中。然而，如同建築高樓大廈般，僅提升V-NAND堆疊層數是不夠的。
 
大樓除了聳立外還得穩固，並配合高度建置安全快速的電梯供搭乘者來去自如。此外，亦需考量各層樓間的隔音與建築物的高度限制。
 
V-NAND解決方案亦是如此。儘管層數相近，仔細觀察後即可發現各方案的功能架構存在細微差異。對半導體而言，細微差異即可產生截然不同的結果，因此至關重要。
 

以單堆疊蝕刻技術打造業界最小儲存單元

將時間拉回至2013年。
 
為突破半導體2D平面架構的限制，三星研發出將儲存單元立體堆疊的技術。當時因層數不多，因此高度並非迫切的考量因素。然而，隨著市場對層數增加的高度整合與高容量產品需求漸增，三星工程師不得不開始思考產品高度帶來的物理限制。
 
經過縝密規劃，三星領先其他半導體業者，推出可克服潛在高度問題的V-NAND解決方案，成功研發迄今最小的儲存單元。三星的176層第七代V-NAND產品，高度與業界100+層第六代V-NAND相近。
 
三星運用創新的3D微縮（scaling）技術壓縮表面積與高度，將儲存單元的體積縮小達35%。微縮過程中亦有效控制單元之間可能出現的干擾，因此可於一定高度下堆疊更多層數，成功克服業界的挑戰限制。
 
三星的單堆疊蝕刻（Single-Stack Etching）技術領先業界，可一次堆疊逾100層，並由10億多個孔洞互相連接。憑藉超小單元與專利單堆疊蝕刻技術，三星在打造數百層V-NAND解決方案方面擁有絕對優勢。
 

展望未來：革命性第七代與第八代V-NAND解決方案

2021年下半年，三星計畫發表以第七代V-NAND晶片為基礎的消費級固態硬碟（SSD），預估將成為業界最小的儲存單元尺寸。此創新產品的最大輸入／輸出（I/O）速度估計每秒可達2.0 Gbps，預期可滿足第四代PCIe介面（PCIe Gen 4） 及下一代 PCIe Gen 5 的效能要求。此外，解決方案經優化後支援多工處理高負載程式，可同時進行3D建模和影片編輯等工作。
 
三星亦規畫將第七代V-NAND的應用範圍擴大至資料中心SSD。此外，為鼓勵使用資料中心的公司降低功耗，三星新一代低功耗解決方案V-NAND與前一代相比，可提升能源效率16%。
 
三星更已研發具有超過200層的第八代V-NAND晶片，將依市場需求規劃上市時程。
 

三星V-NAND未來目標：突破千層大關

在半導體產業中，一切皆非偶然。開創全新技術不僅需要時間，還需要大量資本與投資。即便面臨種種挫折與挑戰，三星仍秉持打造更美好生活的熱忱、承諾與責任感，積極實踐創新，進而成為全球半導體領導品牌。
 
如同三星歷經十多年研究後，順利於2013年推出第一代V-NAND產品；未來當面臨產品高度極限時，三星將運用3D微縮技術持續領先突破。展望未來，當三星V-NAND解決方案達超過1000層的水準，品牌仍將致力確保產品具優異的可靠性。
 

延展實境開創新典範，半導體扮演更關鍵角色

受惠於技術高速發展，全球正逐漸進入延展實境（Extend Reality，XR）所開創的新典範。此次疫情大幅加速延展實境的普及化，日常生活虛實交疊的時代將更快到來。此外，IT裝置與技術的升級，必須採用與過往截然不同的做法，代表半導體將扮演比以往更重要的角色。
 
三星將持續運用先進技術打造創新半導體產品，致力創造更美好的生活；所有儲存於電子裝置的珍貴回憶，都將持續常伴人們左右。
 
註一：非揮發性記憶體，即使電源中斷，儲存資料也不會消失。

三星電子今天宣佈以高達611億美元的品牌價值，名列Interbrand「2019年全球最佳品牌」第六名，與去年排名持平，品牌價值上升二個百分點。

三星電子的成功主要歸功於下列因素：

• 持續推出創新產品，滿足消費者的最新生活型態、潮流與需求，包括BESPOKE冰箱、Sero TV及Galaxy Fold。
• 奠基於未來創新技術的強勁成長動能，包括5G、AI人工智慧、物聯網和汽車業務。
• 穩居全球半導體市場龍頭地位，以及領先業界的技術實力。

Galaxy系列新機屢創銷售佳績，使三星電子的行動事業發揮亮眼表現。三星電子推出Galaxy Fold，成為折疊手機領域的領航者，並透過品牌故事「Do What You Can’t 挑戰你所不能」，引起廣大消費者的共鳴。於影像顯示事業方面，三星電子連續13年蟬連市場第一大品牌，不僅透過QLED 8K量子電視和MicroLED顯示器，為消費者帶來嶄新的觀賞體驗，也藉由The Sero、The Frame和The Serif的推出，滿足現今消費者的生活型態。在數位家電事業，三星電子仍持續領導頂級冰箱與洗衣機的市場地位，並藉由推出如BESPOKE等創新的差異化產品，持續為消費者帶來福音。

三星電子以領先業界的5G技術，推出首款5G智慧型手機。在促進AI和IoT的成型上，三星電子的5G技術發揮重要的影響力，以無與倫比的速度，加速自駕車時代的來臨。

在半導體事業方面，三星電子藉由開始量產業界首款12-gigabit (Gb) LPDDR5Mobile DRAM，以及首款採用100層以上單棧設計的第六代V-NAND，進一步擴大市場占有率。此外，三星電子持續加碼投資系統半導體領域，包括研發和生產設施的擴建。

市場領導地位與積極投資創新技術，是三星電子再次榮登排行榜的關鍵。三星電子不僅挹注資金於內部研發，也透過其與合作夥伴的策略結盟，積極擴大產品生態圈規模，並投資在各領域嶄露鋒芒的新創事業，包括汽車產業。

三星電子行銷長李英熙(YH Lee)表示：「我們致力於深具意義的創新，以滿足消費者的喜好並改善生活，我們很高興實現了這些目標。為進一步提升品牌價值，我們將繼續聆聽消費者的心聲，透過創新引領社會轉型，共創繁榮的新未來。」

隨著今年度Interbrand「全球最佳品牌」排行榜的出爐，「全球最佳品牌」高峰會將於10月23日在紐約市舉行。

三星電子的品牌價值成長