Samsung Electronics анонсирует инвестиции в строительство линии по производству 300-миллиметровых полупроводниковых пластин в США

Инвестиции в новую линию для 300-миллиметровых (12-дюймовых) пластин позволят заводу в Остине, изначально рассчитанному на производство полупроводниковых пластин диаметром 200 мм, повысить свою ценовую конкурентоспособность. Кроме того, Samsung сможет улучшить техническую поддержку клиентов – этого требует растущий спрос на микросхемы памяти в регионе.

Указанные $220 млн не входят в сумму капитальных инвестиций Samsung в полупроводниковый бизнес на 2006 год, составляющую 5,63 трлн корейских вон, о которых было объявлено ранее.

Инвестиционный план Hwaseong Phase Two, анонсированный в сентябре прошлого года и предусматривающий вложение $33 млрд к 2012 году, укрепит позиции Samsung Electronics в сфере производства полупроводников и позволит компании и в дальнейшем своевременно поставлять на рынок микросхемы памяти, выполненные с использованием самых передовых технологий.