Samsung Electronics розпочала виробництво пам’яті з високою пропускною здатністю HBM2 об’ємом 8 ГБ і рекордною швидкістю передачі даних

Samsung Electronics, світовий лідер у сфері передових технологій пам’яті, повідомила про старт масового виробництва другого покоління пам’яті з високою пропускною здатністю HBM2. Об’єм пам’яті становить 8 ГБ, а сам пристрій забезпечує максимальну швидкість передачі даних на ринку. Нове рішення Aquabolt™ першим в індустрії досягло швидкості передачі інформації на рівні 2,4Гбіт/с на один контакт. Новинка має прискорити процес популяризації суперкомп’ютерів і розвиток ринку графічних карт.

«Виробництво першої в індустрії HBM2 8 ГБ пам’яті на 2,4 Гбіт/с ще більше зміцнює наше технологічне лідерство та конкурентоспроможність, — підкреслює Джесу Хан (Jaesoo Han), виконавчий віце-президент відділу продажів і маркетингу пристроїв пам’яті у Samsung Electronics. — Ми продовжимо посилювати позиції компанії на ринку шляхом забезпечення стабільної пропозиції пам’яті HBM2 у всьому світі відповідно до очікувань наших користувачів».

Новий інтерфейс HBM2 8 ГБ забезпечує максимальний рівень продуктивності DRAM-пам’яті на сьогодні. Модель показує швидкість передачі на рівні 2,4 Гбіт/с при напрузі в 1,2 В, які відповідають 50% підвищенню продуктивності у порівнянні з першим поколінням інтерфейсу HBM2 8 ГБ. Попередня модель демонструвала 1,6 Гбіт/с при 1,2 В та 2,0 Гбіт/с при 1,35 В.

Завдяки вказаним поліпшенням одна схема Samsung HBM2 8 ГБ забезпечує пропускну здатність на рівні 307 ГБ/с. Швидкість передачі даних у 9,6 разів вище результатів 8Гб чіпу GDDR5 із пропускною здатністю у 32 ГБ/с*. Використання чотирьох схем HBM2 у системі збільшить пропускну здатність до 1,2 ТБ/с, що на 50% більше результатів аналогічного інтерфейсу HBM2 зі швидкістю 1,6 Гбіт/с.

Нове рішення Samsung Aquabolt істотно зміцнює лідерство компанії у розвитку преміального сегменту ринку DRAM-пам’яті. До того ж Samsung продовжить пропонувати передові рішення HBM2 для просування першого покоління HBM2 під назвою Flarebolt™ та другого — Aquabolt. Разом рішення будуть збільшувати масштаби ринку протягом найближчих декількох років.

Для досягнення неймовірної продуктивності Aquabolt Samsung застосувала нові технології, пов’язані з TSV-проектуванням і контролем температури. Одна схема HBM2 8 ГБ складається з восьми матриць HBM2 8 Гбіт, з’єднаних по вертикалі з використанням більш ніж 5000 TSV (зв’язків крізь кремній) на один кристал. Samsung мінімізувала потенційні ризики та значно підвищила продуктивність чіпу.

Samsung також збільшила кількість теплових ударів між матрицями HBM2, чим забезпечила більш надійний контроль температури у кожній схемі. До того ж новий інтерфейс HBM2 має додатковий захисний шар на дні для зміцнення конструкції.

Samsung відзначає зростаючий попит на високопродуктивні інтерфейси HBM2 пам’яті DRAM, тому забезпечить стабільні поставки Aquabolt для глобальних IT-партнерів. Компанія продовжить покращувати передові технології пам’яті разом із провідними виробниками пристроїв із різних сфер, включаючи створення суперкомп’ютерів, штучного інтелекту та роботи з графікою.

* Примітка редактора:

   [Розрахунок пропускної здатності даних для HBM2 та GDDR5]

• Пропускна здатність схеми HBM2 8ГБ: 2,4 Гбіт/с на контакт х 1024 біта = 307,2 ГБ/с

    Використання чотирьох схем HBM2 у системі: 307,2 ГБ/с х 4 = 1228,8 ГБ/с = приблизно 1,2 ТБ/с.

– Пропускна здатність даних матриці GDDR5 8 Гбіт: 8 Гбіт/с на контакт х 32 біта = 32 ГБ/с

Примітка. Усі назви брендів, продуктів, послуг і логотипи є товарними знаками та/або зареєстрованими товарними знаками відповідних власників і таким чином визнаються. Aquabolt і Flarebolt є товарними знаками компанії Samsung Electronics Co., Ltd.