Samsung Electronics починає комерційні поставки eMRAM продуктів на базі 28нм техпроцесору FD-SOI

Компанія зміцнює технологічне лідерство в сфері вбудованої пам'яті

Компанія Samsung Electronics, світовий лідер у сфері напівпровідникових технологій, оголосила про початок масового виробництва своєї першої вбудованої магніторезистивної оперативної пам’яті (embedded magnetic random access memory, eMRAM) на базі 28-нм технологічного процесу FD-SOI (fully-depleted silicon-on-insulator – повністю збіднений кремній на ізоляторі), що отримав назву 28FDS.

Технологічний процес 28FD-SOI передбачає більш ефективне управління транзисторами та мінімізацію струмів витоку за рахунок керування напругою зміщення відносно корпусу (body-bias control). Завдяки цьому представлене Samsung рішення eMRAM забезпечує переваги для різних сфер застосування мікроконтролерів, пристроїв Інтернету речей та технологій штучного інтелекту.

Оскільки технологія eFlash зіткнулася з проблемами масштабованості, зумовленими тим, що вона опирається на принцип накопичення заряду, найбільш багатообіцяючим наступником для неї стала технологія eMRAM. Магніторезистивний ефект, в її основі, передбачає високу масштабованість і забезпечує чудові технічні характеристики, в тому числі енергонезалежність, можливість довільного доступу і високу зносостійкість.

Представлене Samsung рішення eMRAM на базі 28FDS забезпечує переваги з точки зору енергоспоживання і швидкості при меншій вартості. Швидкість запису у цій технології приблизно в тисячу разів вище, ніж у eFlash, так як eMRAM не вимагає циклу стирання перед записом даних. Крім того, пам’ять eMRAM використовує більш низькі рівні напруги, ніж eFlash, і не споживає енергію в вимкненому режимі, за рахунок чого досягається більш висока енергоефективність.

Оскільки модуль eMRAM можна з легкістю інтегрувати в кінці технологічного процесу (back-end of the process) з додаванням мінімальної кількості шарів, він меншою мірою залежить від перших стадій (front-end), що передбачає просту інтеграцію з вже існуючими технологіями виготовлення логіки. Завдяки «вбудованій» (plug-in) модульній концепції замовники отримують можливість використання вже існуючої інфраструктури проектування, навіть з новою технологією eMRAM, що призводить до зниження витрат.

«Ми дуже пишаємося нашими досягненнями в сфері технологій вбудованої незалежної пам’яті (eNVM) і раді, що зуміли подолати складності, зумовлені використанням нових матеріалів, – говорить Райан Лі (Ryan Lee), віце-президент з маркетингу напівпровідникових рішень Samsung Electronics. – Інтегруючи eMRAM з існуючими технологіями виготовлення логіки, Samsung продовжує розширювати портфель процесів eNVM, пропонуючи нові рішення для задоволення потреб клієнтів і ринку».

Протягом найближчого року Samsung має намір розширити портфоліо рішень eNVM високої щільності, зокрема, передати в виробництво тестовий чіп eMRAM ємністю 1 ГБ.