Samsung Electronics представляє мікросхеми DRAM пам’яті найвищої місткості

Компанія Samsung Electronics, світовий лідер у сфері передових технологій пам’яті, оголосила про початок масового виробництва мікросхем DRAM пам’яті найвищої місткості, призначених для мобільних пристроїв. Нова розробка представляє перший в галузі 12ГБ модуль зі зниженим енергоспоживанням, виконаний в корпусі LPDDR4X (low-power double data rate 4X), оптимізованому для майбутніх смартфонів преміум-класу. Володіючи більшою ємністю, ніж пам’ять в більшості ультратонких ноутбуків, нові мікросхеми мобільної DRAM пам’яті дозволять в повній мірі реалізувати всі можливості смартфонів наступного покоління.

«З початком масового виробництва мікросхем LPDDR4X Samsung сформувала комплексну лінійку сучасної пам’яті для нової ери смартфонів: починаючи з мобільного DRAM пам’яті ємністю 12ГБ і закінчуючи 512Гб накопичувачами eUFS 3.0», – каже Севун Чунь (Sewon Chun), виконавчий віце-президент з маркетингу технологій пам’яті в Samsung Electronics. – «Більш того, з випуском LPDDR4X ми зміцнюємо наші позиції в якості виробника мобільної пам’яті преміум-класу, яка має всі можливості для задоволення швидко зростаючого попиту зі сторони світових виробників смартфонів».

Завдяки 12ГБ мобільної DRAM пам’яті виробники смартфонів зможуть максимально розширити потенціал своїх пристроїв, які все частіше оснащуються великою кількістю камер, збільшеним екраном, підтримують роботу з технологіями штучного інтелекту та мережами 5G. Що стосується користувачів смартфонів, то новий вид пам’яті дозволить швидше перемикатися між численними додатками на надвеликих екранах з високою роздільною здатністю. Оскільки пам’ять виконана в корпусі висотою всього 1,1 мм, нові смартфони можуть стати ще тоншими та витонченішими.

Модулі ємністю 12ГБ були отримані завдяки об’єднанню шести 16-гігабітних чіпів LPDDR4X другого покоління, виконаних відповідно до техпроцесу 10-нм класу (1y-nm), в єдиному корпусі, що збільшує простір для акумулятора смартфона. Крім того, фірмова технологія 1y-nm забезпечує швидкість передачі даних на рівні 34,1ГБ / с, при цьому скорочуючи зростання енергоспоживання, обумовленого збільшенням ємності DRAM.

[Довідкові дані] Історія виробництва мобільної DRAM пам’яті Samsung:

Виробництво / масове виробництво

З моменту випуску мобільної DRAM пам’яті ємністю 1 ГБ у 2011 році Samsung збільшує ємність пристроїв, пропонуючи модулі ємністю 6ГБ (у 2015 році) і 8 ГБ (у 2016 році). Тепер і перший в галузі модуль LPDDR4X ємністю 12ГБ. Samsung має намір наростити потужності своєї ультрасучасної виробничої лінії в корейському Пьйонгтеке (Pyeongtaek) і планує протягом другої половини 2019 року більш ніж втричі збільшити поставки модулів мобільної DRAM пам’яті ємністю 8 ГБ і 12ГБ, виконаної відповідно до техпроцесу 1y-nm.