Samsung розпочинає масове виробництво найсучасніших 14-нм модулів пам’яті EUV DDR5 DRAM

Завдяки новому п’ятишаровому процесу літографії в глибокому ультрафіолеті (EUV) Samsung забезпечує найвищу в галузі швидкість запису для DRAM, покращуючи продуктивність приблизно на 20%

14-нм DRAM від Samsung на основі найновішого стандарту DDR5 стане ідеальним рішенням для опрацювання даних на основі AI та 5G

Компанія Samsung Electronics, світовий лідер у сфері передових технологій пам’яті, 12 жовтня повідомила про початок масового виробництва найменшого в галузі 14-нм модуля пам’яті DRAM на основі технології літографії в глибокому ультрафіолеті (EUV). У березні минулого року компанія здійснила першу в галузі поставку EUV DRAM, після чого збільшила кількість шарів EUV до п’яти, щоб забезпечити найкращий нараз технологічний процес DRAM для своїх рішень DDR5.

«Протягом майже трьох десятиліть ми очолюємо ринок DRAM, впроваджуючи в розробку конструкції мікросхем ключові інноваційні технології. Сьогодні Samsung долає чергову технологічну віху з багатошаровим процесом літографії в глибокому ультрафіолеті (EUV), досягнувши екстремальної мініатюризації на 14 нм, що неможливо здійснити на основі традиційного аргон-фторидного (ArF) процесу. Це дає нам змогу й надалі розробляти найрізноманітніші рішення пам’яті, що сповна задовольняють сучасний запит на збільшення продуктивності й потужності для опрацювання даних на основі 5G, AI та метавсесвіту», – прокоментував Лі Чуйон, старший віцепрезидент і керівник відділу продуктів і технологій DRAM у Samsung Electronics.

Оскільки діапазон DRAM продовжує скорочуватися до 10 нм, EUV-технологія набуває все більшого значення для точнішої розробки конструкції мікросхем й покращення продуктивності. Застосовуючи п’ятишаровий EUV-процес до 14-нм DRAM, Samsung вдалося досягнути найвищої щільності запису й покращити водночас загальну продуктивність на 20%. Крім того, 14-нм технологічний процес може знизити енергоспоживання майже на 20%, порівнюючи з DRAM попереднього покоління.

Завдяки найновішому стандарту DDR5 Samsung зможе досягнути безпрецедентної швидкості 7,2 Гбіт/с, що більш як удвічі перевищує швидкість DDR4 – 3,2 Гбіт/с.

Samsung планує розширювати портфоліо 14-нм DDR5 для підтримки центрів опрацювання даних, суперкомп’ютерів та додатків корпоративних серверів. Крім того, Samsung планує збільшити щільність запису 14-нм чипа DRAM до 24 Гбіт, щоб краще відповідати на постійне зростання потреб глобальних IT-систем стосовно опрацювання даних.