Компанія Samsung Electronics, світовий лідер у сфері передових напівпровідникових технологій, оголосила про плани щодо збільшення виробничих потужностей на новій лінії заводу в Пхентхеку, Корея, щоб задовольнити зростаючий в усьому світі попит на рішення із застосуванням технології EUV (літографії в глибокому ультрафіолеті, extreme ultraviolet). Основну увагу нової лінії, будівництво якої вже почалося, буде зосереджено на EUV-рішеннях, виконаних за 5-нанометровим і ще більш тонким техпроцесом. Лінія відіграватиме основну роль у розширенні використання компанією найсучасніших технологічних процесів для безлічі інноваційних рішень нинішнього й наступного поколінь, включаючи 5G, високопродуктивні обчислення (HPC) і штучний інтелект. Запуск лінії в експлуатацію заплановано на другу половину 2021 року.

«Нове підприємство розширить виробничі потужності Samsung для 5-нм та більш тонких технологій, а також завдяки впровадженню нових технологічних процесів дасть можливість оперативно реагувати на зростаючий попит на рішення для високопродуктивних обчислень, – зазначив д-р Юнг (ES Jung), президент і глава виробництва напівпровідників у Samsung Electronics. – Як і раніше, ми робимо все можливе, щоб задовольнити потреби наших клієнтів, та активно інвестуємо у розширення й розвиток виробництва, а також у залучення нових кадрів. Це дасть нам змогу продовжувати розвиватися й забезпечить стійке зростання напівпровідникового бізнесу Samsung».

Запустивши масове виробництво EUV-рішень за 7-нм техпроцесом на початку 2019 року, Samsung нещодавно розпочала серійне виробництво чипів для EUV на новій лінії в Хвасоні, Корея. Очікується, що з початком повної експлуатації нового заводу в Пхентхеку в 2021 році потужність виробництва EUV-рішень Samsung значно зросте. Samsung має намір запустити масове виробництво EUV-рішень за 5-нм техпроцесом на заводі в Хвасоні в другій половині цього року. З урахуванням об’єкта в Пхентхеку Samsung в цілому матиме сім ліній з виробництва напівпровідників у Південній Кореї і США, зокрема, шість з використанням 12-дюймових пластин і одну – 8-дюймових.

Як очікується, інвестиційний план допоможе компанії до 2030 року досягти мети і стати світовим лідером з виробництва не тільки елементів пам’яті, але й логічних мікросхем. Компанія також має намір створити 15 тисяч нових робочих місць в науково-дослідницькому підрозділі, щоб зміцнити свої позиції і в цій сфері.

До 2030 року компанія планує інвестувати 73 трлн вон у внутрішню науково-дослідницьку діяльність і 60 трлн вон в розвиток виробничої інфраструктури. Згідно з цим планом інвестиції в НДДКР і обладнання для виробництва логічних напівпровідників складуть в середньому 11 трлн вон щорічно.