Очень тонкий модуль ePoP создан для использования в современных изящных смартфонах премиум-класса: благодаря компактному расположению элементов в едином пакете, такую память можно поместить непосредственно над мобильным процессором, не занимая дополнительного места. Это упрощает инженерную задачу размещения элементов в сверхтонких корпусах современных смартфонов по сравнению с устройствами, в которых установлена распространенная сегодня двухпакетная память типа eMCP.

«Модули высокоплотной памяти ePoP для флагманских смартфонов позволят компании Samsung предложить пользователям устройства с примечательным дизайном, увеличив при этом время работы аккумулятора и скорость выполнения многопотоковых задач, — рассказывает Джи-хо Пэк (Ji–ho Baek), старший вице-президент подразделения маркетинга памяти компании Samsung Electronics. — Мы планируем расширить линейку модулей ePoP в течение следующих нескольких лет. Новые устройства будут обладать повышенной производительностью и плотностью записи данных. Такая память должна усилить премиум-сегмент смартфонов, сделав их преимущества еще более явными».

Оперативная память LPDDR3 интегрированного модуля ePoP демонстрирует прекрасную скорость передачи данных ввода-вывода — 1866 Мбит/с и поддерживает 64-битную полосу пропускания ввода-вывода.

Применение ePoP отлично скажется на конструктивных особенностях смартфонов, позволяя экономить внутреннее пространство корпуса, высвобождая место для важных компонентов, например — более емких аккумуляторов. Важные преимущества ePoP — устойчивость к нагреву и тонкость — позволяют помещать модуль непосредственно над мобильным процессором без риска повредить флеш-память (обычно флеш-память чувствительна к высоким температурам, поэтому ее устанавливают подальше от процессора, который при работе нагревается).

Модуль занимает площадь всего 15х15 мм, что на 40% меньше по сравнению с традиционной памятью. Высота решения ePoP составляет 1.4 мм.

Подобные системы уже используются в носимой электронике Samsung. Теперь же OEM-производители смогут применять их в своих мобильных устройствах — планшетах и смартфонах.

Samsung Electronics инвестирует 2,25 триллионов Корейских вон в новую линию по производству 300-миллиметровых логических интегральных схем, которая будет введена в эксплуатацию в конце 2013 года.

На линии будут производиться современные мобильные процессоры приложений на 300-миллиметровых кремниевых подложках по 20- и 14-нанометровому технологическим процессам.

Наряду с предприятиями Line-9 и Line-14, которые были преобразованы в подразделение по производству полупроводников LSI-систем в начале текущего года, новая производственная линия позволит увеличить поставки логических микропроцессоров, которые широко применяются в современных мобильных устройств.

Новые инвестиции, наряду с запуском предприятия Line-16 в г. Хвасон (Южная Корея) и запланированному строительству завода по выпуску флэш-памяти NAND в г. Сань (Китай), позволят Samsung Electronics сбалансировать производственные мощности.

Мр. Стефен Ву (Stephen Woo), президент подразделения LSI-систем Samsung Electronics, сообщил: «Строительство новой линии позволит Samsung Electrinics удовлетворить  растущие потребности ИТ-индустрии в полупроводниковой продукции и укрепит позицию компании на рынке”.

По данным исследовательской компании Gartner, спрос на полупроводниковые чипы, которые широко используются в набирающих популярность смартфонах и планшетах, будет расти в среднем на 20% ежегодно, с $23,4 млрд. в 2011 году до $59,4 млрд. в 2016 году.