<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><?xml-stylesheet title="XSL_formatting" type="text/xsl" href="https://news.samsung.com/ua/wp-content/plugins/btr_rss/btr_rss.xsl"?><rss version="2.0"
     xmlns:content="http://purl.org/rss/1.0/modules/content/"
     xmlns:wfw="http://wellformedweb.org/CommentAPI/"
     xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/"
     xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom"
     xmlns:sy="http://purl.org/rss/1.0/modules/syndication/"
     xmlns:slash="http://purl.org/rss/1.0/modules/slash/"
	 xmlns:media="http://search.yahoo.com/mrss/"
	>
	<channel>
		<title>14nm DRAM &#8211; Samsung Newsroom Україна</title>
		<atom:link href="https://news.samsung.com/ua/tag/14nm-dram/feed" rel="self" type="application/rss+xml" />
		<link>https://news.samsung.com/ua</link>
        <image>
            <url>https://img.global.news.samsung.com/image/newlogo/logo_samsung-newsroom.png</url>
            <title>14nm DRAM &#8211; Samsung Newsroom Україна</title>
            <link>https://news.samsung.com/ua</link>
        </image>
        <currentYear>2021</currentYear>
        <cssFile>https://news.samsung.com/ua/wp-content/plugins/btr_rss/btr_rss_xsl.css</cssFile>
		<description>What's New on Samsung Newsroom</description>
		<lastBuildDate>Mon, 20 Apr 2026 12:11:34 +0000</lastBuildDate>
		<language>en-US</language>
		<sy:updatePeriod>hourly</sy:updatePeriod>
		<sy:updateFrequency>1</sy:updateFrequency>
					<item>
				<title><![CDATA[Samsung розпочинає масове виробництво найсучасніших 14-нм модулів пам’яті EUV DDR5 DRAM]]></title>
				<link>https://news.samsung.com/ua/samsung-starts-mass-production-of-most-advanced-14nm-euv-ddr5-dram</link>
				<pubDate>Tue, 19 Oct 2021 16:46:53 +0000</pubDate>
								<media:content url="https://img.global.news.samsung.com/ua/wp-content/uploads/2021/10/Samsung-14nm-DDR5-01-704x334.jpg" medium="image" />
				<dc:creator><![CDATA[Vadym Roditieliev]]></dc:creator>
						<category><![CDATA[Память та Напівпровідники]]></category>
		<category><![CDATA[14nm]]></category>
		<category><![CDATA[14nm DDR5]]></category>
		<category><![CDATA[14nm DRAM]]></category>
		<category><![CDATA[DDR5]]></category>
		<category><![CDATA[DDR5 DRAM]]></category>
                <guid isPermaLink="false">https://bit.ly/3C4Hc9G</guid>
									<description><![CDATA[Компанія Samsung Electronics, світовий лідер у сфері передових технологій пам’яті, 12 жовтня повідомила про початок масового виробництва найменшого в галузі 14-нм модуля пам’яті DRAM на основі технології літографії в глибокому ультрафіолеті (EUV). У березні минулого року компанія здійснила першу в галузі поставку EUV DRAM, після чого збільшила кількість шарів EUV до п’яти, щоб забезпечити найкращий […]]]></description>
																<content:encoded><![CDATA[<p><img src="https://img.global.news.samsung.com/global/wp-content/uploads/2021/10/Samsung-14nm-DDR5_main1.jpg" /></p>
<p>Компанія Samsung Electronics, світовий лідер у сфері передових технологій пам’яті, 12 жовтня повідомила про початок масового виробництва найменшого в галузі 14-нм модуля пам’яті DRAM на основі технології літографії в глибокому ультрафіолеті (EUV). У березні минулого року компанія здійснила першу в галузі поставку EUV DRAM, після чого збільшила кількість шарів EUV до п’яти, щоб забезпечити найкращий нараз технологічний процес DRAM для своїх рішень DDR5.</p>
<p>«Протягом майже трьох десятиліть ми очолюємо ринок DRAM, впроваджуючи в розробку конструкції мікросхем ключові інноваційні технології. Сьогодні Samsung долає чергову технологічну віху з багатошаровим процесом літографії в глибокому ультрафіолеті (EUV), досягнувши екстремальної мініатюризації на 14 нм, що неможливо здійснити на основі традиційного аргон-фторидного (ArF) процесу. Це дає нам змогу й надалі розробляти найрізноманітніші рішення пам’яті, що сповна задовольняють сучасний запит на збільшення продуктивності й потужності для опрацювання даних на основі 5G, AI та метавсесвіту», – прокоментував Лі Чуйон, старший віцепрезидент і керівник відділу продуктів і технологій DRAM у Samsung Electronics.</p>
<p>Оскільки діапазон DRAM продовжує скорочуватися до 10 нм, EUV-технологія набуває все більшого значення для точнішої розробки конструкції мікросхем й покращення продуктивності. Застосовуючи п’ятишаровий EUV-процес до 14-нм DRAM, Samsung вдалося досягнути найвищої щільності запису й покращити водночас загальну продуктивність на 20%. Крім того, 14-нм технологічний процес може знизити енергоспоживання майже на 20%, порівнюючи з DRAM попереднього покоління.</p>
<p><img src="https://img.global.news.samsung.com/global/wp-content/uploads/2021/10/Samsung-14nm-DDR5_main2FFF.jpg" /></p>
<p>Завдяки найновішому стандарту DDR5 Samsung зможе досягнути безпрецедентної швидкості 7,2 Гбіт/с, що більш як удвічі перевищує швидкість DDR4 – 3,2 Гбіт/с.</p>
<p><img src="https://img.global.news.samsung.com/global/wp-content/uploads/2021/10/Samsung-14nm-DDR5_main3F.jpg" /></p>
<p>Samsung планує розширювати портфоліо 14-нм DDR5 для підтримки центрів опрацювання даних, суперкомп’ютерів та додатків корпоративних серверів. Крім того, Samsung планує збільшити щільність запису 14-нм чипа DRAM до 24 Гбіт, щоб краще відповідати на постійне зростання потреб глобальних IT-систем стосовно опрацювання даних.</p>
]]></content:encoded>
																				</item>
			</channel>
</rss>