«Вбудований модуль eUFC ємністю 1ТБ буде критично важливим для забезпечення досвіду використання мобільних пристроїв наступного покоління як на ноутбуці», – прокоментував Чеол Чой (Cheol Choi), виконавчий віце-президент з продажів і маркетингу підрозділу пам’яті в Samsung Electronics. – «Samsung прагне забезпечити найбільш надійний ланцюжок поставок і достатні обсяги виробництва для майбутніх флагманських смартфонів з метою прискорення зростання світового ринку мобільних пристроїв».

eUFS ємністю 1 ТБ також має виняткову швидкість, що дозволяє передавати великі обсяги мультимедійного контенту в найкоротший час. Новий накопичувач забезпечує швидкість до 1000 Мб / с – удвічі більше, ніж стандартний 2,5-дюймовий твердотільний накопичувач SATA (SSD). Це означає, що відео в форматі Full HD розміром 5 ГБ можна переписати на NVMe SSD всього за п’ять секунд, що в 10 разів швидше, ніж дозволяє звичайна карта microSD. Швидкість випадкового читання в порівнянні з версією 512 ГБ збільшилася на 38% і досягла 58 000 IOPS. Довільний запис виконується в 500 разів швидше, ніж дозволяють високопродуктивні карти microSD (100 IOPS), – її швидкість може досягати 50 000 IOPS. Це дозволяє здійснювати високошвидкісну безперервну зйомку зі швидкістю 960 кадрів у секунду, завдяки чому власники флагманських пристроїв зможуть в повній мірі використовувати всі можливості багатокамерної зйомки.

Samsung має намір розширювати виробництво своїх V-NAND п’ятого покоління ємністю 512 ГБ на заводі в місті Пхьонтхек, Корея, в першій половині 2019 року, щоб повністю задовольнити очікуваний високий попит на eUFS ємністю 1 ТБ з боку виробників мобільних пристроїв по всьому світу.