Компанія Samsung Electronics, світовий лідер у сфері передових технологій пам’яті, оголосила про початок масового виробництва мікросхем DRAM пам’яті найвищої місткості, призначених для мобільних пристроїв. Нова розробка представляє перший в галузі 12ГБ модуль зі зниженим енергоспоживанням, виконаний в корпусі LPDDR4X (low-power double data rate 4X), оптимізованому для майбутніх смартфонів преміум-класу. Володіючи більшою ємністю, ніж пам’ять в більшості ультратонких ноутбуків, нові мікросхеми мобільної DRAM пам’яті дозволять в повній мірі реалізувати всі можливості смартфонів наступного покоління.

«З початком масового виробництва мікросхем LPDDR4X Samsung сформувала комплексну лінійку сучасної пам’яті для нової ери смартфонів: починаючи з мобільного DRAM пам’яті ємністю 12ГБ і закінчуючи 512Гб накопичувачами eUFS 3.0», – каже Севун Чунь (Sewon Chun), виконавчий віце-президент з маркетингу технологій пам’яті в Samsung Electronics. – «Більш того, з випуском LPDDR4X ми зміцнюємо наші позиції в якості виробника мобільної пам’яті преміум-класу, яка має всі можливості для задоволення швидко зростаючого попиту зі сторони світових виробників смартфонів».

Завдяки 12ГБ мобільної DRAM пам’яті виробники смартфонів зможуть максимально розширити потенціал своїх пристроїв, які все частіше оснащуються великою кількістю камер, збільшеним екраном, підтримують роботу з технологіями штучного інтелекту та мережами 5G. Що стосується користувачів смартфонів, то новий вид пам’яті дозволить швидше перемикатися між численними додатками на надвеликих екранах з високою роздільною здатністю. Оскільки пам’ять виконана в корпусі висотою всього 1,1 мм, нові смартфони можуть стати ще тоншими та витонченішими.

Модулі ємністю 12ГБ були отримані завдяки об’єднанню шести 16-гігабітних чіпів LPDDR4X другого покоління, виконаних відповідно до техпроцесу 10-нм класу (1y-nm), в єдиному корпусі, що збільшує простір для акумулятора смартфона. Крім того, фірмова технологія 1y-nm забезпечує швидкість передачі даних на рівні 34,1ГБ / с, при цьому скорочуючи зростання енергоспоживання, обумовленого збільшенням ємності DRAM.

[Довідкові дані] Історія виробництва мобільної DRAM пам’яті Samsung:

Виробництво / масове виробництво

З моменту випуску мобільної DRAM пам’яті ємністю 1 ГБ у 2011 році Samsung збільшує ємність пристроїв, пропонуючи модулі ємністю 6ГБ (у 2015 році) і 8 ГБ (у 2016 році). Тепер і перший в галузі модуль LPDDR4X ємністю 12ГБ. Samsung має намір наростити потужності своєї ультрасучасної виробничої лінії в корейському Пьйонгтеке (Pyeongtaek) і планує протягом другої половини 2019 року більш ніж втричі збільшити поставки модулів мобільної DRAM пам’яті ємністю 8 ГБ і 12ГБ, виконаної відповідно до техпроцесу 1y-nm.

«Благодаря массовому производству HBM2 DRAM-памяти следующего поколения мы сможем внести огромный вклад в освоение систем высокопроизводительных вычислений глобальными IT-компаниями, – считает Севон Чун, старший вице-президент отдела маркетинга продуктов памяти в Samsung Electronics. – Кроме того, использование нашей технологии 3D-памяти позволит быстрее справляться с многогранными потребностями мирового IT-сектора и в то же время укреплять фундамент для будущего роста рынка DRAM-памяти».

Только что представленная HBM2 DRAM-память объемом 4 ГБ, в которой совмещены наиболее эффективные технологии 20-нанометрового техпроцесса производства и продвинутый дизайн чипа HBM, удовлетворяет потребность в высокой производительности, энергоэффективности, надёжности работы и малых размерах. Всё это идеально подходит для её использования в системах высокопроизводительных вычислений следующего поколения и графических картах.

После презентации модулей регистровой памяти Samsung 3D TSV DDR3 объемом 128 ГБ с двухрядным расположением выводов (RDIMM) в октябре HBM2 DRAM-память стала новым этапом в развитии технологии сквозного вертикального соединения кристаллов (TSV).

Чип HBM2-памяти на 4 ГБ создаётся путём присоединения буферной матрицы в верхней части и четырёх 8-гигабитных (Гб) ядер матрицы внизу. Таким образом, они вертикально соединяются с отверстиями, что предусмотрено технологией TSV. Одиночная матрица HBM2 объемом 8 Гб содержит более 5000 отверстий, что превышает данный показатель у матрицы TSV DDR4 8 Гб более чем в 36 раз. Как результат – значительное улучшение скорости передачи данных в сравнении со старой технологией.

Пропускная способность нового чипа DRAM-памяти составляет 256 ГБ/с, что в два раза больше чипа HBM1 DRAM. Это эквивалентно семикратному увеличению в сравнении с пропускной способностью в 36 ГБ/с чипа GDDR5 DRAM, который обладает наивысшей скоростью передачи данных (9 ГБ/с) среди уже существующих чипов DRAM-памяти. Samsung HBM2 на 4 ГБ также обладает высокой энергоэффективностью, которая стала возможной благодаря удвоению пропускной способности на ватт в сравнении с решениями GDDR5 4 Гб и внедрению функциональности кода исправления ошибок для обеспечения большей надёжности.

Также Samsung планирует представить до конца этого года HBM2 DRAM-память объемом 8 ГБ. Использование HBM2 DRAM-памяти ёмкостью 8 ГБ в графических картах позволит дизайнерам наслаждаться 95% экономией пространства в сравнении с GDDR5 DRAM. Соответственно, пользователи получат оптимальное решение для компактных устройств, от которых требуется высокий уровень вычислительных возможностей.

Компания будет последовательно наращивать объемы производства новой HBM2 DRAM-памяти объемом 8 ГБ в течение этого года для удовлетворения ожидаемого роста спроса на рынке сетевых систем и серверов. Кроме того, Samsung будет расширять линейку решений HBM2 DRAM-памяти для удержания лидерства на рынке высокопроизводительных вычислений и премиальных продуктов памяти.

Для получения более подробной информации по данному пресс-релизу, в том числе фотографий и похожих статей, посетите страницу http://news.samsung.com/global/samsung-begins-mass-producing-worlds-fastest-dram-based-on-newest-high-bandwidth-memory-hbm-interface.

Очень тонкий модуль ePoP создан для использования в современных изящных смартфонах премиум-класса: благодаря компактному расположению элементов в едином пакете, такую память можно поместить непосредственно над мобильным процессором, не занимая дополнительного места. Это упрощает инженерную задачу размещения элементов в сверхтонких корпусах современных смартфонов по сравнению с устройствами, в которых установлена распространенная сегодня двухпакетная память типа eMCP.

«Модули высокоплотной памяти ePoP для флагманских смартфонов позволят компании Samsung предложить пользователям устройства с примечательным дизайном, увеличив при этом время работы аккумулятора и скорость выполнения многопотоковых задач, — рассказывает Джи-хо Пэк (Ji–ho Baek), старший вице-президент подразделения маркетинга памяти компании Samsung Electronics. — Мы планируем расширить линейку модулей ePoP в течение следующих нескольких лет. Новые устройства будут обладать повышенной производительностью и плотностью записи данных. Такая память должна усилить премиум-сегмент смартфонов, сделав их преимущества еще более явными».

Оперативная память LPDDR3 интегрированного модуля ePoP демонстрирует прекрасную скорость передачи данных ввода-вывода — 1866 Мбит/с и поддерживает 64-битную полосу пропускания ввода-вывода.

Применение ePoP отлично скажется на конструктивных особенностях смартфонов, позволяя экономить внутреннее пространство корпуса, высвобождая место для важных компонентов, например — более емких аккумуляторов. Важные преимущества ePoP — устойчивость к нагреву и тонкость — позволяют помещать модуль непосредственно над мобильным процессором без риска повредить флеш-память (обычно флеш-память чувствительна к высоким температурам, поэтому ее устанавливают подальше от процессора, который при работе нагревается).

Модуль занимает площадь всего 15х15 мм, что на 40% меньше по сравнению с традиционной памятью. Высота решения ePoP составляет 1.4 мм.

Подобные системы уже используются в носимой электронике Samsung. Теперь же OEM-производители смогут применять их в своих мобильных устройствах — планшетах и смартфонах.