«Мы рады начать массовое производство чипов 2-го поколения, выполненных по 14-нанометровой технологии FinFET, которая демонстрирует высочайший уровень производительности и энергоэффективности, – отметил Чарли Беи, исполнительный вице-президент подразделения  продаж и маркетинга. – Samsung продолжит использование передовой 14-нанометровой технологии FinFET, чтобы сохранить свое технологическое лидерство».

Использование трехмерной (3D) FinFET структуры с транзисторами позволяет значительно повысить производительность и снизить энергопотребление. По сравнению с предыдущей 14-нанометровой  LPE технологией, 14-нанометровая LPP отличается увеличением скорости до 15% и снижением потребления энергии на 15%. Все это благодаря улучшениям в структуре транзистора и оптимизации процесса. Кроме того, использование самодостаточных FinFET транзисторов позволяет расширить возможности производства и избавиться от скейлинг-ограничений.

Благодаря превосходным характеристикам 14-нанометровая технология FinFET считается одним из самых оптимизированных решений для мобильных и IoT приложений. Ожидается, что она удовлетворит растущий спрос на широкий ряд высокопроизводительных и эффективных устройств от сетевой до автомобильной промышленности.