Samsung Electronics, світовий лідер у сфері провідних напівпровідникових технологій, представляє Exynos W920 – новий процесор для носимих пристроїв з інтеграцією LTE-модема, що став першим у галузі, виробленим на основі 5-нанометрового технологічного процесу з використанням літографії в глибокому ультрафіолеті (EUV). Exynos W920 забезпечує потужну й ефективну роботу носимих девайсів наступного покоління.

«Такі носимі пристрої, як смартгодинники, більше не вважаються просто крутими ґаджетами. Сьогодні вони посідають усе суттєвіше місце в нашому житті, допомагаючи нам залишатися у формі, бути в безпеці та в курсі подій. Завдяки Exynos W920 майбутні носимі девайси зможуть забезпечувати роботу додатків із візуально привабливими інтерфейсами та більш адаптивною взаємодією, водночас тримаючи вас завжди на зв’язку завдяки швидкій мережі LTE», – заявив Гаррі Чо, віцепрезидент маркетингового напряму підрозділу System LSI у Samsung Electronics.

Exynos W920 містить два ядра Arm® Cortex®-A55 для високопродуктивного, однак енергоефективного опрацювання даних, а також графічний процесор Arm Mali-G68, що має на 20% продуктивніший центральний процесор і вдесятеро кращу графічну продуктивність, ніж його попередник. Завдяки вдосконаленим характеристикам Exynos W920 швидше запускає додатки та підтримує більш інтерактивний графічний 3D-інтерфейс користувача на qHD-дисплеї (960×540).

Попри останні функції та вдосконалення Exynos W920 постачається в найменшій упаковці, наявній наразі на ринку носимих пристроїв, завдяки технології FO-PLP (Fan-Out Panel Level Packaging). Ця технологія об’єднує Exynos W920, мікросхему керування живленням (PMIC), LPDDR4 та вбудовану мультимедійну картку (eMMC) в одному комплекті, використовуючи конфігурацію SiP-ePoP (System-in-Package-embedded Package on Package). Компактний розмір процесора дасть змогу розмістити в смартгодинниках більші батареї чи надати їм елегантнішого вигляду.

Функція AOD (Always-on-display, завжди на дисплеї) є досить поширеною для носимих пристроїв, особливо смартгодинників, оскільки дає змогу швидко перевіряти годину, сповіщення, пропущені дзвінки тощо, без необхідності виводити годинник із режиму сну. Замість того, щоб живити основний процесор, W920 активує спеціальний малопотужний дисплейний процесор Cortex-M55, який зменшує енергоспоживання дисплея в режимі AOD, порівнюючи з попередньою моделлю Exynos.

Exynos W920 оснащено модемом 4G LTE Cat.4, що забезпечує безперебійний зв’язок, а також супутниковою системою навігації (Global Navigation Satellite System, GNSS) L1 для відстеження швидкості, відстані й висоти під час активного відпочинку.

Exynos W920 підтримує нову уніфіковану платформу для носимих пристроїв від Samsung, розроблену спільно з Google, якою вперше буде оснащено майбутню модель Galaxy Watch.

Щоб дізнатися більше про продукцію Samsung Exynos, відвідайте сайт http://www.samsung.com/exynos.

*Примітка редактора: фактична продуктивність може відрізнятися залежно від пристрою та середовища користування.

«Запуск нового мощного мобильного модуля DRAM 8 Гб приведет к появлению более производительных флагманских мобильных устройств нового поколения по всему миру, – сказал Ю Сон Чой, исполнительный вице-президент подразделения маркетинга и продаж устройств памяти Samsung Electronics. – Мы продолжим создавать высококачественные передовые решения для хранения данных, которые отвечают растущим потребностям самых современных устройств с такими функциями, как сдвоенная камера, видео в разрешении 4K UHD и технологии виртуальной реальности».

Скорость передачи нового LPDDR4 8 Гб достигает 4266 Мбит/с, что вдвое выше, чем показатели DDR4 DRAM для ПК, обычно составляющие примерно 2133 Мбит/с. При условии, что ширина шины памяти составляет 64 бит (x64), это гарантирует передачу данных со скоростью 34 Гб в секунду.

Несмотря на то что DRAM емкостью 8 Гб сегодня используется во многих ультратонких ноутбуках, новый модуль Samsung 8GB LPDDR4 даст мобильным устройствам нового поколения все преимущества максимальной пропускной способности. Так, оснащение решением 8 Гб LPDDR4 планшетов обеспечит более плавное воспроизведение 4K UHD видео – популярную возможность многих ПК премиального класса.

Благодаря применению новейшего техпроцесса 10-нм и высокой энергоэффективности, Samsung 8 Гб LPDDR4 DRAM более эффективно расходует заряд аккумулятора устройств. Это позволило удвоить вместимость микросхем модуля 4 Гб DRAM класса 20-нм и, в то же время, сохранить уровень потребления энергии.

Габариты 8 Гб LPDDR4 составляют менее 15х15х1 мм, что отвечает требованиям к размерам большинства современных ультратонких мобильных устройств. В зависимости от предпочтений производителя комплект DRAM толщиной менее 1 мм можно использовать вместе с универсальным флеш-накопителем или мобильным процессором, что позволяет экономить пространство печатной платы устройства.

В августе 2015 года Samsung представила первое на рынке решение LPDDR4 DRAM емкостью 12 Гб по техпроцессу 20-нм. Период разработки нового 16 Гб LPDDR4 DRAM решения по техпроцессу 10-нм, а также 8 Гб LPDDR4 DRAM, составил всего 14 месяцев.

Samsung продолжит расширять линейку продуктов DRAM по техпроцессу 10-нм. Компания уже создает производственную линию DRAM 10-нм и планирует начать использовать эту технологию в других системах, что позволит удовлетворить постоянно увеличивающимся спрос на передовые DRAM высокой плотности.

«Инициируя производство 20-нм 8-гигабитных чипов мобильной DRAM-памяти LPDDR4, которые работают даже быстрее, чем DRAM для ПК и серверов и при этом потребляют гораздо меньше энергии, мы вносим свой вклад в своевременный запуск флагманских мобильных устройств с большим экраном и ультравысоким разрешением (UHD), — отметил Джу Сан Чой (Joo Sun Choi), исполнительный вице-президент подразделения Memory Sales and Marketing компании Samsung Electronics. — Это заметное достижение в индустрии мобильной памяти, и мы будем продолжать тесно сотрудничать с мировыми производителями мобильных устройств, чтобы оптимизировать DRAM решения для мобильных ОС сред следующего поколения».

Новый 20-нм 8-Гбит LPDDR4 чип обеспечивает вдвое большую производительность и плотность по сравнению с 4-Гбит LPDDR3 чипами класса 20-нм. Новый 8-Гбит LPDDR4 чип позволяет создать 4-Гбайт модуль LPDDR4.

4-Гбайт модуль LPDDR4 от Samsung стал лауреатом престижной выставки и премии CES Innovation Awards 2015 в категории встраиваемых технологий. Получив эту награду, Samsung стала единственной компанией, которая выигрывает CES Innovation Awards в течение трех лет подряд с решениями мобильной DRAM-памяти. Ранее наград CES Innovation Awards удостоились 2-Гбайт чип памяти LPDDR3 и 3-Гбайт чип памяти LPDDR3 от Samsung — в 2013 и 2014 годах соответственно.

Благодаря скорости ввода/вывода данных до 3200 мегабит в секунду, что в два раза быстрее, чем у стандартных DDR3 DRAM, используемых в ПК, новый 8-Гбит чип LPDDR4 может поддерживать запись и воспроизведение видео в формате UHD и непрерывную съемку в высоком разрешении более чем 20 мегапикселей.

Рабочее напряжение нового чипа LPDDR4 было снижено на 1,1 В относительно чипов предыдущего поколения LPDDR3, что делает новинку от Samsung решением мобильной памяти с наименьшим потреблением энергии, доступным для смартфонов и планшетов с большим экраном, а также высокопроизводительных систем. Например, при использовании 2-Гбайт модуля на основе 8-Гбит LPDDR4 можно сэкономить до 40% энергии по сравнению с использованием 2-Гбайт модуля на основе 4-Гбит LPDDR3 за счет более низкого рабочего напряжения и более быстрой обработки данных.

Применив новую фирменную технологию swing-terminated logic (LVSTL) для передачи сигналов ввода/вывода, Samsung удалось снизить энергопотребление нового чипа LPDDR4 и обеспечить возможность проводить высокочастотные операции при низком напряжении для оптимальной энергоэффективности.

В этом месяце компания Samsung начала выпуск 2-Гбайт LPDDR4 и 3-Гбайт LPDDR4 модулей на основе 8-Гбит и 6-Гбит LPDDR4 соответственно, эти решения уже доступны для производителей процессоров и мобильных устройств по всему миру, а в начале 2015 года Samsung начнет производство 4-Гбайт модулей памяти LPDDR4.

Samsung планирует увеличить объем производства решений линейки 20-нм DRAM чипов мобильной памяти, в том числе нового чипа 8-Гбит LPDDR4 и недавно запущенного 8-Гбит чипа DRAM-памяти для серверов, что позволит компании удовлетворять актуальные потребности клиентов, а также способствовать ускорению темпов роста рынка решений DRAM-памяти высокой плотности.