SAMSUNG V-NAND – Samsung Newsroom Україна https://news.samsung.com/ua https://img.global.news.samsung.com/image/newlogo/logo_samsung-newsroom.png SAMSUNG V-NAND – Samsung Newsroom Україна https://news.samsung.com/ua 2018 https://news.samsung.com/ua/wp-content/plugins/btr_rss/btr_rss_xsl.css What's New on Samsung Newsroom Mon, 20 Apr 2026 12:11:34 +0000 en-US hourly 1 <![CDATA[Samsung Electronics розпочинає масове виробництво чіпів пам’яті V-NAND п’ятого покоління]]> https://news.samsung.com/ua/samsung-electronics-v-nand-memory-fifth-generation Wed, 11 Jul 2018 10:26:30 +0000 http://bit.ly/2LKlGAa Samsung Electronics, світовий лідер в області передових технологій пам’яті, оголосила про старт масового виробництва чіпів пам’яті V-NAND п’ятого покоління із рекордною швидкістю передачі даних. Завдяки дебюту інтерфейсу «Toggle DDR 4.0» швидкість передачі даних між запам’ятовуючим пристроєм і пам’яттю Samsung V-NAND на 256 гігабіт (Гб) досягла 1,4 гігабіта на секунду (Гб/с). Приріст у порівнянні з 64-шаровим попередником склав 40%.

Енергоефективність нового покоління технології V-NAND від Samsung залишається на рівні 64-шарових чіпів. Здебільшого це пов’язано зі зниженням робочої напруги з 1,8 до 1,2 вольта. Нова V-NAND пам’ять також відрізняється найвищою швидкістю запису даних на сьогоднішній день, яка становить 500 мікросекунд (μs). Це приблизно 30% поліпшення у порівнянні зі швидкістю запису попереднього покоління. При цьому час відгуку на сигнали зчитування значно зменшився до показника у 50 мікросекунд.

Samsung-Electronics-Fifth-generation-V-NAND2

Усередині п’ятого покоління V-NAND пам’яті від Samsung знаходиться більше 90 шарів «3D-комірок пам’яті з пасткою заряду (CTF)». Вони розташовані у вигляді піраміди з мікроскопічними канальними отворами по вертикалі. Це — рекордна кількість шарів в індустрії. Ширина отворів становить усього кілька сотень нанометрів (нм), що дозволяє їм вміщувати понад 85 мільйонів комірок пам’яті з пасткою заряду (CTF). Вони, у свою чергу, можуть зберігати по три біти даних кожен. Сучасна конструкція пам’яті є результатом кількох проривів, серед яких опинилися удосконалення схем і нові технологічні процеси.

Покращення процесу осадження атомного шару технології V-NAND підвищило продуктивність виробництва на більше ніж 30%. Передові техніки дозволили зменшити висоту кожного шару комірки на 20%. Це запобігає перехресним перешкодам між комірками та збільшує ефективність процесу обробки даних чіпу.

«П’яте покоління V-NAND продуктів і рішень Samsung забезпечать наявність найбільш передової технології NAND на швидко зростаючому ринку преміум-пам’яті, — каже Кай Хьюн Кьюнг (Kye Hyun Kyung), виконавчий віце-президент підрозділу пристроїв флеш-пам’яті у Samsung Electronics. — Окрім передових досягнень, які ми анонсуємо, Samsung також готує доповнення до лінійки V-NAND пристроїв у вигляді 1-терабітних і чотирьохрівневих комірок (QLC). Це гарантує нарощення обертів при створенні рішень NAND-пам’яті наступного покоління для глобального ринку».

Samsung буде швидко нарощувати виробництво чіпів пам’яті V-NAND п’ятого покоління  для задоволення широкого спектру потреб ринку. Компанія продовжує розвивати нішу пам’яті високої щільності для критично важливих секторів — суперкомп’ютерів, корпоративних серверів і смартфонів преміум-класу.

]]>