Решение использовать инновационное решение Samsung в процессоре нового поколения подчеркивает стремление Qualcomm Technologies сохранять лидирующую позицию на рынке мобильных платформ.

«Мы рады продолжить совместную с Samsung разработку лучших на рынке продуктов, – сказал Кит Крессин (Keith Kressin), первый вице-президент подразделения по управлению продуктовым производством Qualcomm Technologies. Inc. – Мы ожидаем, что использование технологий Samsung Electronics обеспечит энергоэффективность и производительность нового топового процессора Snapdragon 835, а также позволит снабдить его функциями, которые будут важны для пользователей мобильных устройствами в будущем».

В октябре 2016 года Samsung Electronics первой в индустрии анонсировала начало массового производства по техпроцессу 10-нм FinFET. По сравнению с предыдущим решением – 14-нм FinFET – 10-нм от Samsung увеличивает эффективную площадь поверхности на 30%, производительность – на 27%, а также обеспечивает снижение потребления энергии на 40%. Применение 10-нм FinFET в процессоре Snapdragon 835 позволяет уменьшить размеры чипа, благодаря чему производители оборудования смогут использовать освободившееся внутри устройств пространство для установки более крупных и емких аккумуляторов.

«Мы рады возможности поработать над Snapdragon 835 вместе с Qualcomm Technologies, используя нашу 10-нм технологию, – сказал Ён Шик Юн (Jong Shik Yoon), исполнительный вице-президент подразделения микроэлектронного производства Samsung Electronics. – Наше сотрудничество станет важным этапом в развитии микроэлектронных решений Samsung и послужит подтверждением лидерства компании в области передовых технологий».

Ожидается, что устройства на базе Snapdragon 835 выйдут на рынок уже в первой половине 2017 года. Snapdragon 835 является развитием процессора Snapdragon 820/21, на базе которого реализовано уже более 200 моделей мобильных устройств.