«Первый на рынке серийное решение по техпроцессу 10-нм FinFET подтверждает наше лидерство в разработке передовых технологий, – сказал Ён Щи-юн, исполнительный вице-президент, руководитель подразделения производства полупроводников Samsung Electronics. – Мы продолжим прикладывать все усилия к тому, чтобы создавать инновационные масштабируемые технологии и предоставлять пользователям дифференцированные комплексные решения».

Новый процессор Samsung 10-нм FinFET (10LPE) имеет передовую транзисторную 3D-структуру. Его  операционная технология и дизайн были улучшены по сравнению с предыдущей версией 14-нм, что обеспечивает на 30% более высокую удельную эффективность поверхности, рост производительности на 40%, а также снижение энергопотребления на 40%. Для снятия ограничений масштабирования в новом решении используются новейшее техническое решение – тройное структурирование. Оно обеспечивает двустороннюю маршрутизацию для поддержания большей гибкости в дизайне и роутинге по сравнению с предыдущими моделями.

Ранее Samsung представила первое поколение решений по техпроцессу 10-нм (10LPE). Второе поколение (10LPP) обладает улучшенной производительностью, старт его массового производства намечен на вторую половину 2017 года.

В плотном сотрудничестве с партнерами Samsung также намерена создать функциональную полупроводниковую экосистему, которая объединит средства проверки эталонного потока, IP и библиотеки. Для запуска архитектуры на данный момент доступны набор разработки производственного процесса (PDK) и набор разработки IP.

Система SoC по техпроцессу 10-нм будет использоваться в цифровых устройствах с начала следующего года. Ожидается, что они станут доступны массовому потребителю в течение 2017 года.