Sanoatda ilk bor QLC va TLC 9-avlod V-NAND sunʼiy intellekt ilovalariga optimal xotirani taqdim etadi

Ilgʻor xotira texnologiyasi boʻyicha jahon yetakchisi boʻlgan Samsung Electronics bugun oʻzining bir terabitli (Tb) quad-level cell (QLC) 9-avlod vertikal NAND’ni (V-NAND) ommaviy ishlab chiqarishni boshlaganini eʼlon qildi.

Joriy yilning aprel oyida sanoatning birinchi triple-level cell (TLC) 9-avlod V-NAND’ning ishlab chiqarilishidan so‘ng sanoatda QLC 9-avlod V-NAND’ning ilk ommaviy ishlab chiqarilishi bilan Samsung katta sig‘imli, yuqori quvvatga ega bo‘lgan NAND xotira bozoridagi yetakchilikni mustahkamlamoqda.

“QLC 9-avlod V-NAND muvaffaqiyatli ommaviy ishlab chiqarishni TLC versiyasidan atigi toʻrt oy oʻtgach boshlash bizga sunʼiy intellekt davri ehtiyojlarini qondiradigan ilgʻor SSD yechimlarining toʻliq mahsulotlar kategoriyasini taklif qilish imkonini beradi”, dedi Samsung Electronics kompaniyasining ijrochi prezidenti oʻrinbosari va xotira mahsulotlari va texnologiyasi boʻlimi boshligʻi SungHoi Hur. “Enterprayz SSD bozori AI ilovalariga talabning kuchliligi bilan sohadagi jadal oʻsishni koʻrsatayotganligi sababli biz QLC va TLC 9-avlod V-NAND orqali segmentdagi yetakchiligimizni mustahkamlashda davom etamiz”.

Samsung QLC 9-avlod V-NAND’ni brendli isteʼmol mahsulotlaridan boshlab, mobil Universal Flash Storage (UFS), shaxsiy kompyuterlar, shuningdek, bulutli xizmat koʻrsatuvchi provayderlar kabi mijozlar uchun server SSD’lariga kengaytirishni rejalashtirmoqda.

Samsung’ning 9-avlod QLC V-NAND texnologik yutuqlarni yuzaga keltirgan bir qator innovatsiyalarni oʻzida birlashtiradi:

• Samsung’ning noyob Channel Hole Etching texnologiyasi sanoatda ikki qavatli struktura bilan eng koʻp qatlamlar soniga erishishda ishlatilgan. TLC 9-avlod V-NAND’dan olingan texnologik tajribadan foydalangan holda kataklar maydoni va periferik sxemalar optimallashtirildi va oldingi avlod QLC V-NAND’ga qaraganda sanoatda yetakchi koʻrsatkich — taxminiy 86% bit zichlikka erishildi.
• Designed Mold texnologiyasi qatlamlar boʻylab va ular ichida katak xususiyatlari bir xil ekanligini va optimalligini taʼminlash uchun ularni boshqaradigan Word Lines (WL) oraligʻini sozlaydi. V-NAND qatlamlari soni ortishi bilan bu xususiyatlar tobora muhim ahamiyat kasb etmoqda. Designed Mold’ni amalda qoʻllash avvalgi versiyalarga qaraganda maʼlumotlarni xavfsiz saqlash samaradorligini taxminan 20% ga oshirdi, bu esa mahsulot ishonchliligini oshiradi.
• Predictive Program texnologiyasi keraksiz amallarni minimallashtirish uchun katakdagi oʻzgarishlarni nazorat qiladi. Samsung’ning 9-avlod QLC V-NAND xotiraga yozish koʼrsatkichlarini ikki baravarga oshirdi va ushbu texnologiyani rivojlantirish orqali maʼlumotlarni yozish/oʻqish tezligini 60% koʻtardi.[1]
• Low-Power Design (kamroq quvvatni talab qiladigan tuzilish) yordamida maʼlumotlarni oʻqish va yozishda quvvat sarfi mos ravishda taxminan 30% va 50% ga kamaydi.[2] Bu usul NAND kataklarini boshqaradigan kuchlanishni pasaytiradi va faqat kerakli bit lines’ni (BL) sezish orqali quvvat sarfini minimallashtiradi.

[1] Oldingi avlod QLC V-NAND bilan solishtirganda

[2] Oldingi avlod QLC V-NAND bilan solishtirganda

V-NAND’ning yangilangan ikki qavatli tuzilishi uchun mahsuldorlik ilg’or “kanal teshiklarini shakllantirish” texnologiyasi orqali oshirildi

Ilg’or xotira texnologiyasi bo’yicha jahon yetakchisi hisoblanmish Samsung Electronics bugun o’zining bir terabitli (Tb) uch darajali katak (triple-level cell, TLC) 9-avlod vertikal NAND (V-NAND) uchun seriyali ishlab chiqarishni boshlaganini e’lon qildi va NAND flesh bozorida yetakchiligini mustahkamladi.

“Biz birinchi bo’lib sanoatning 9-avlod V-NAND’ni ommaga namoyish etishdan xursandmiz. Bu kelgusidagi ishlarni yanada oldinga harakatlantiradi. NAND flesh sektoridagi yechimlariga bo’lgan o’zgaruvchan ehtiyojlarni qondirish uchun Samsung yangi avlod mahsuloti uchun katak arxitekturasi va operatsion sxemasi chegaralarini yanada kengaytirdi, – dedi Samsung Electronics xotira biznesining Flesh mahsuloti va texnologiyasi rahbari SungHoi Hur. “Bizning so’nggi V-NAND orqali Samsung kelgusi AI avlodi ehtiyojlariga javob beradigan yuqori samarali, yuqori zichlikdagi qattiq disk (SSD) bozori uchun tendentsiyani o’rnatishda davom etadi”.

Sanoatning eng kichik katak o’lchami va eng ingichka qolipi bilan Samsung 9-avlod V-NAND bit zichligini 8-avlod V-NAND bilan solishtirganda taxminan 50%’ga oshirdi. Mahsulot sifati va ishonchliligini oshirish uchun katak aralashuvining oldini olish va katak umrini uzaytirish kabi yangi innovatsiyalar qo’llanildi, shu bilan birga bo’sh kanal teshiklarini yo’q qilish xotira kataklarining planar maydonini sezilarli darajada qisqartirdi.

Bundan tashqari, Samsung’ning ilg‘or “kanal teshiklarini shakllantirish” texnologiyasi kompaniyaning jarayon samaradorligi bo‘yicha yetakchiligini namoyish etadi. Ushbu texnologiya qolip qatlamlarini yig’ish orqali elektron yo’llarni yaratadi va ishlab chiqarish samaradorligini oshiradi, chunki u ikki qavatli strukturada sanoatning eng yuqori katak qatlamini bir vaqtning o’zida burg’ulash imkonini beradi. Katak qatlamlari soni ko’paygan sari, yuqori hujayralar sonini teshib o’tish qobiliyati muhim bo’lib, yanada murakkab shakllantirish texnikasini talab qiladi.

9-avlod V-NAND keyingi avlod NAND flesh interfeysi “Toggle 5.1” bilan jihozlangan bo‘lib, u ma’lumotlarni kiritish/chiqarish tezligini 33% ga, ya’ni sekundiga 3,2 Gigabit (Gbps) gacha oshirishni qo‘llab-quvvatlaydi. Ushbu yangi interfeys bilan bir qatorda, Samsung PCIe 5.0 qo’llab-quvvatlashini kengaytirish orqali yuqori samarali SSD bozoridagi o’z mavqeini mustahkamlashni rejalashtirmoqda.

Quvvat iste’moli ham oldingi avlodga nisbatan ancha yaxshilandi va energiya manbaidan kichikroq hajmda, aniqroq qilib aytganda 10%’ga samaralirioq foydalanish imkoniyatini taqdim etadi.

Energiya sarfini kamaytirish va uglerod chiqindilarini kamaytirish mijozlar uchun hayotiy ahamiyatga ega ekan, Samsungning 9-avlod V-NAND kelgusida ushbu texnologiyadan foydalanish uchun optimal yechim bo‘lishi kutilmoqda.

Samsung shu oyda 1Tb TLC 9-avlod V-NAND ommaviy ishlab chiqarishni boshladi, keyin esa joriy yilning ikkinchi yarmida to‘rt darajali katak (QLC) modeli taqdim etilishi kutilmoqda.