V-NAND’ning yangilangan ikki qavatli tuzilishi uchun mahsuldorlik ilg’or “kanal teshiklarini shakllantirish” texnologiyasi orqali oshirildi

Ilg’or xotira texnologiyasi bo’yicha jahon yetakchisi hisoblanmish Samsung Electronics bugun o’zining bir terabitli (Tb) uch darajali katak (triple-level cell, TLC) 9-avlod vertikal NAND (V-NAND) uchun seriyali ishlab chiqarishni boshlaganini e’lon qildi va NAND flesh bozorida yetakchiligini mustahkamladi.

“Biz birinchi bo’lib sanoatning 9-avlod V-NAND’ni ommaga namoyish etishdan xursandmiz. Bu kelgusidagi ishlarni yanada oldinga harakatlantiradi. NAND flesh sektoridagi yechimlariga bo’lgan o’zgaruvchan ehtiyojlarni qondirish uchun Samsung yangi avlod mahsuloti uchun katak arxitekturasi va operatsion sxemasi chegaralarini yanada kengaytirdi, – dedi Samsung Electronics xotira biznesining Flesh mahsuloti va texnologiyasi rahbari SungHoi Hur. “Bizning so’nggi V-NAND orqali Samsung kelgusi AI avlodi ehtiyojlariga javob beradigan yuqori samarali, yuqori zichlikdagi qattiq disk (SSD) bozori uchun tendentsiyani o’rnatishda davom etadi”.

Sanoatning eng kichik katak o’lchami va eng ingichka qolipi bilan Samsung 9-avlod V-NAND bit zichligini 8-avlod V-NAND bilan solishtirganda taxminan 50%’ga oshirdi. Mahsulot sifati va ishonchliligini oshirish uchun katak aralashuvining oldini olish va katak umrini uzaytirish kabi yangi innovatsiyalar qo’llanildi, shu bilan birga bo’sh kanal teshiklarini yo’q qilish xotira kataklarining planar maydonini sezilarli darajada qisqartirdi.

Bundan tashqari, Samsung’ning ilg‘or “kanal teshiklarini shakllantirish” texnologiyasi kompaniyaning jarayon samaradorligi bo‘yicha yetakchiligini namoyish etadi. Ushbu texnologiya qolip qatlamlarini yig’ish orqali elektron yo’llarni yaratadi va ishlab chiqarish samaradorligini oshiradi, chunki u ikki qavatli strukturada sanoatning eng yuqori katak qatlamini bir vaqtning o’zida burg’ulash imkonini beradi. Katak qatlamlari soni ko’paygan sari, yuqori hujayralar sonini teshib o’tish qobiliyati muhim bo’lib, yanada murakkab shakllantirish texnikasini talab qiladi.

9-avlod V-NAND keyingi avlod NAND flesh interfeysi “Toggle 5.1” bilan jihozlangan bo‘lib, u ma’lumotlarni kiritish/chiqarish tezligini 33% ga, ya’ni sekundiga 3,2 Gigabit (Gbps) gacha oshirishni qo‘llab-quvvatlaydi. Ushbu yangi interfeys bilan bir qatorda, Samsung PCIe 5.0 qo’llab-quvvatlashini kengaytirish orqali yuqori samarali SSD bozoridagi o’z mavqeini mustahkamlashni rejalashtirmoqda.

Quvvat iste’moli ham oldingi avlodga nisbatan ancha yaxshilandi va energiya manbaidan kichikroq hajmda, aniqroq qilib aytganda 10%’ga samaralirioq foydalanish imkoniyatini taqdim etadi.

Energiya sarfini kamaytirish va uglerod chiqindilarini kamaytirish mijozlar uchun hayotiy ahamiyatga ega ekan, Samsungning 9-avlod V-NAND kelgusida ushbu texnologiyadan foydalanish uchun optimal yechim bo‘lishi kutilmoqda.

Samsung shu oyda 1Tb TLC 9-avlod V-NAND ommaviy ishlab chiqarishni boshladi, keyin esa joriy yilning ikkinchi yarmida to‘rt darajali katak (QLC) modeli taqdim etilishi kutilmoqda.