Với năng lực chuyên môn toàn diện trải rộng từ DRAM, NAND, giải pháp lưu trữ doanh nghiệp đến các công nghệ bán dẫn tiên tiến liên quan, Samsung đã giới thiệu danh mục bộ nhớ AI và lộ trình công nghệ mới nhất của mình, bao gồm bản xem trước các mô hình ý tưởng zHBM và zNAND-O, lần đầu tiên trong ngành ra mắt V10 BV-NAND với hơn 400 lớp, cùng danh mục giải pháp toàn diện được thiết kế nhằm thúc đẩy sự phát triển của hạ tầng AI trong tương lai. Tại FMS 2026, Samsung cũng mang đến khu trưng bày lấy cảm hứng từ máy chủ đám mây AI, nơi giới thiệu khoảng 30 công nghệ bộ nhớ và lưu trữ tiên tiến.

Trong bài phát biểu khai mạc, ông Jin-Yub Lee, Phó Chủ tịch Điều hành kiêm Giám đốc Bộ phận Sản phẩm & Công nghệ Flash, và ông Kyungryun Kim, Phó Chủ tịch kiêm Trưởng dự án Nhóm Thiết kế DRAM thuộc mảng Kinh doanh Bộ nhớ của Samsung, đã chia sẻ tầm nhìn về các cấu trúc bộ nhớ 3D thế hệ mới cho các giải pháp bộ nhớ tương lai.

Với chủ đề “Driving the Wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture” (tạm dịch: “Dẫn dắt làn sóng cách mạng AI: Đổi mới kiến trúc bộ nhớ và lưu trữ 3D”), bài phát biểu đã trình bày tầm nhìn của Samsung trong việc tối đa hóa hiệu năng và hiệu quả năng lượng của các hệ thống AI, đồng thời đáp ứng nhu cầu ngày càng gia tăng của điện toán hiệu năng cao (HPC) và hạ tầng AI.

Samsung cũng đồng thời công bố V10 BV-NAND, kiến trúc bộ nhớ mới được phát triển dựa trên công nghệ liên kết wafer (wafer bonding), đánh dấu lần đầu tiên công nghệ này được giới thiệu trong ngành.

Ở các phần tiếp theo, mình sẽ tiếp tục thống nhất cách dịch các thuật ngữ như wafer bonding (liên kết wafer), AI accelerator (bộ tăng tốc AI), memory density (mật độ bộ nhớ) và processing-in-memory (PIM) để đảm bảo toàn bộ thông cáo sử dụng thuật ngữ nhất quán với các tài liệu kỹ thuật của Samsung.

Tầm nhìn của Samsung về bộ nhớ 3D thế hệ mới

Tại FMS 2026, Samsung đã giới thiệu các mô hình ý tưởng zHBM và zNAND-O đầu tiên trong ngành, thể hiện tầm nhìn của công ty đối với thế hệ kiến trúc bộ nhớ 3D tiếp theo.

Được thiết kế cho các hệ thống điện toán AI tiên tiến, zHBM mang đến một kiến trúc bộ nhớ hoàn toàn mới, trong đó HBM được xếp chồng theo chiều dọc ngay phía trên bộ tăng tốc AI (AI accelerator), vượt ra ngoài thiết kế truyền thống vốn bố trí HBM nằm cạnh bộ xử lý.

Bằng cách rút ngắn tối đa khoảng cách truyền dữ liệu giữa bộ xử lý AI và bộ nhớ, zHBM được thiết kế để mang lại băng thông cao hơn và hiệu quả năng lượng vượt trội, đáp ứng yêu cầu xử lý dữ liệu siêu tốc cho các tác vụ huấn luyện và suy luận AI quy mô lớn.

Hệ thống giao tiếp thế hệ mới tích hợp zHBM được kỳ vọng sẽ mang lại hiệu năng cao gấp khoảng tám lần so với HBM5. Nhờ ứng dụng công nghệ liên kết wafer (wafer bonding) thế hệ mới, zHBM có thể đạt mật độ bộ nhớ cao hơn hơn 10 lần so với HBM5, đồng thời nâng cao hiệu quả năng lượng gấp ba lần và giảm hơn một nửa điện trở nhiệt, qua đó tối ưu hóa độ ổn định cũng như hiệu quả sử dụng năng lượng của các hệ thống có dung lượng và băng thông cao.

zHBM cũng hỗ trợ các thiết kế tùy biến theo yêu cầu của khách hàng, cho phép tích hợp IP tùy chỉnh vào lớp trung gian giữa bộ nhớ và bộ tăng tốc AI nhằm mở rộng dung lượng bộ nhớ cũng như nâng cao hiệu năng của bộ tăng tốc. Dựa trên sự hợp tác chặt chẽ với khách hàng, Samsung sẽ tiếp tục tối ưu hóa khả năng tích hợp giữa bộ xử lý AI và bộ nhớ thông qua zHBM để tối đa hóa hiệu năng của các hệ thống AI.

Samsung cũng giới thiệu zNAND-O, giải pháp NAND hiệu năng cao thế hệ mới được phát triển trên nền tảng công nghệ V-NAND của hãng và hiện đang được phát triển với các phiên bản bốn lớp và tám lớp. Kết hợp hiệu quả sử dụng không gian cao, hiệu năng I/O được cải thiện và độ trễ thấp, zNAND-O được tối ưu hóa cho các môi trường AI biên (Edge AI), đáp ứng các ứng dụng AI thời gian thực đòi hỏi xử lý lượng dữ liệu lớn.

V10 BV-NAND đầu tiên trong ngành

Samsung đã ra mắt V10 BV-NAND, tích hợp kiến trúc Bonding V-NAND hoàn toàn mới. Cột mốc này đến đúng 13 năm sau khi Samsung giới thiệu công nghệ V-NAND đầu tiên trên thế giới tại Flash Memory Summit 2013, đánh dấu thêm một bước tiến quan trọng trong hành trình đổi mới công nghệ NAND của công ty.

Với hơn 400 lớp, V10 BV-NAND mang lại hiệu năng và hiệu quả năng lượng vượt trội, đồng thời gia tăng đáng kể mật độ lưu trữ. Nhờ ứng dụng công nghệ liên kết wafer (wafer bonding) để xếp chồng các ô nhớ, Samsung đã nâng mật độ bộ nhớ lên khoảng 58% so với thế hệ trước (V9).

Bên cạnh việc gia tăng số lượng lớp, V10 BV-NAND còn cải thiện hiệu năng đọc, ghi và I/O so với thế hệ tiền nhiệm, đáp ứng nhu cầu về các giải pháp NAND có hiệu năng cao và dung lượng lớn dành cho các hệ thống và ứng dụng AI trong tương lai.

Lộ trình phát triển bộ nhớ AI từ HBM, PIM đến lưu trữ doanh nghiệp

Samsung cũng giới thiệu danh mục bộ nhớ và giải pháp lưu trữ AI mới nhất, bao gồm HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM và PM1763, qua đó khẳng định lộ trình phát triển các giải pháp dành cho điện toán AI thế hệ mới và hạ tầng trung tâm dữ liệu.

Sau khi trở thành doanh nghiệp đầu tiên trong ngành sản xuất hàng loạt HBM4 vào tháng 2 bằng công nghệ DRAM 1c và đế bán dẫn (base die) 4 nanomet (nm), Samsung tiếp tục là hãng đầu tiên bắt đầu cung cấp các mẫu HBM4E cho khách hàng toàn cầu vào tháng 5, củng cố vị thế dẫn đầu trong lĩnh vực HBM thế hệ mới.

Bên cạnh các mẫu HBM4E và mô hình HBM5, Samsung còn trình diễn LPDDR5X-PIM, bộ nhớ LPDDR đầu tiên trên thế giới tích hợp công nghệ Processing-in-Memory (PIM). Giải pháp mới được thiết kế để thực hiện xử lý dữ liệu ngay bên trong bộ nhớ, qua đó nâng cao hiệu quả truyền dữ liệu và tối ưu hiệu quả sử dụng năng lượng.

Triển lãm cũng trưng bày các giải pháp lưu trữ doanh nghiệp mới nhất của Samsung, bao gồm PM1763 và BM1773, được thiết kế nhằm đáp ứng nhu cầu lưu trữ ngày càng gia tăng của các trung tâm dữ liệu AI.

Giải pháp trọn gói toàn diện

Là nhà sản xuất thiết bị tích hợp (Integrated Device Manufacturer – IDM) duy nhất trên thế giới sở hữu năng lực hàng đầu trong cả ba lĩnh vực bộ nhớ, dịch vụ đúc bán dẫn (foundry) và đóng gói tiên tiến (advanced packaging), Samsung đã giới thiệu chiến lược phát triển toàn diện cho hạ tầng AI thế hệ mới. Chiến lược này mang đến cho khách hàng các giải pháp trọn gói (one-stop turnkey solutions), đáp ứng những nhu cầu ngày càng phát triển của kỷ nguyên AI.

Từ khâu thiết kế sản phẩm đến sản xuất hàng loạt, Samsung cung cấp dịch vụ phát triển và sản xuất tích hợp, giúp rút ngắn chu kỳ phát triển, đồng thời tối ưu hiệu năng và hiệu quả sử dụng năng lượng. Qua đó, khách hàng có thể nhanh chóng đưa các giải pháp bán dẫn AI khác biệt ra thị trường.

Trong bối cảnh nhu cầu về dữ liệu phục vụ huấn luyện và suy luận AI tiếp tục tăng trưởng mạnh mẽ, các dòng ổ cứng SSD doanh nghiệp (eSSD) có khả năng truyền tải dữ liệu với tốc độ cao và độ ổn định vượt trội đang ngày càng trở thành yếu tố cốt lõi trong hạ tầng AI.

Sở hữu tốc độ truyền tải dữ liệu vượt trội cùng kiến trúc bộ điều khiển tối ưu hóa, PM1763 được kỳ vọng sẽ trở thành giải pháp lưu trữ chủ lực cho các nền tảng AI hiệu năng cao.

Ông Jangseok Choi, Phó Chủ tịch kiêm Giám đốc Bộ phận Kế hoạch Sản phẩm Bộ nhớ tại Samsung Electronics cho biết: “Được phát triển dựa trên nền tảng hiệu năng dẫn đầu ngành, PM1763 đã xuất sắc vượt qua quy trình kiểm định dành cho các nền tảng AI thế hệ mới và sẵn sàng đáp ứng các yêu cầu ngày càng nâng cao của hạ tầng AI. Khi các mô hình AI tiếp tục mở rộng về quy mô lẫn độ phức tạp, PM1763 sẽ trở thành giải pháp tối quan trọng giúp khách hàng mở rộng dung lượng lưu trữ một cách hiệu quả và tối ưu hóa các quy trình vận hành AI.”

Được trang bị công nghệ V-NAND thế hệ thứ 9 của Samsung cùng bộ điều khiển 4 nanomet (nm) hoàn toàn mới được phát triển, PM1763 giúp cải thiện đáng kể cả về hiệu suất lẫn hiệu quả sử dụng năng lượng.

PM1763 mang đến các tùy chọn dung lượng 4 terabyte (TB), 8TB và 16TB. Trong đó, phiên bản 16TB sở hữu hiệu suất dẫn đầu ngành với tốc độ đọc và ghi tuần tự lần lượt lên tới 28.400 megabyte/giây (MB/s) và 21.900 MB/s – cao hơn gấp 2 lần so với thế hệ tiền nhiệm PM1753.

Mức hiệu năng này cho phép truyền tải một mô hình ngôn ngữ lớn (LLM) có dung lượng 40 gigabyte (GB) chỉ trong khoảng 1,4 giây; qua đó giảm thiểu độ trễ truyền dữ liệu giữa bộ xử lý và bộ tăng tốc, đồng thời nâng cao hiệu quả xử lý AI tổng thể.

PM1763 cũng được tối ưu hóa cho các máy chủ sử dụng hệ thống làm mát bằng chất lỏng thông qua công nghệ làm mát trực tiếp trên chip (D2C). Cải tiến này giúp duy trì hiệu năng đỉnh cao liên tục ngay cả khi xử lý khối lượng công việc cường độ cao trong thời gian dài.

Hiệu quả sử dụng năng lượng của PM1763 cũng được cải thiện hơn 1,8 lần so với thế hệ trước, góp phần giảm tổng chi phí vận hành cho các trung tâm dữ liệu.

Nhằm đáp ứng các yêu cầu bảo mật ngày càng cao trong kỷ nguyên AI, Samsung cũng tăng cường khả năng bảo mật trên PM1763. Ổ cứng này hỗ trợ các thuật toán mã hóa hậu hậu kỳ (PQC) nhằm bảo vệ dữ liệu trước những mối đe dọa từ điện toán lượng tử trong tương lai, cùng Giao thức Bảo mật Giao diện Thiết bị TEE (TDISP)¹ góp phần bảo vệ các đường truyền dữ liệu trong môi trường ảo hóa.

1. Môi trường thực thi đáng tin cậy (Trusted execution environments: TEE) là các khu vực an toàn của bộ xử lý được sử dụng để cách ly các khối lượng công việc nhạy cảm. ︎

Bằng cách chủ động tận dụng quy trình DRAM thế hệ thứ 6 tiên tiến nhất thuộc lớp 10 nanomet (nm) – 1c, Samsung đã đạt được tỷ lệ sản xuất ổn định và hiệu năng hàng đầu ngành ngay từ giai đoạn đầu sản xuất hàng loạt, tất cả được thực hiện liền mạch mà không cần bất kỳ thiết kế lại bổ sung nào.

Ông Sang Joon Hwang, Phó Chủ tịch Điều hành kiêm Giám đốc Bộ phận Phát triển Bộ nhớ tại Samsung Electronics cho biết: “Thay vì đi theo con đường truyền thống là tận dụng các thiết kế đã được kiểm chứng, Samsung đã mạnh dạn áp dụng những tiến trình tiên tiến nhất như DRAM 1c và quy trình logic 4nm cho HBM4. Bằng cách tận dụng năng lực cạnh tranh về quy trình và tối ưu thiết kế, chúng tôi có thể tạo ra dư địa hiệu năng đáng kể, giúp đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng của khách hàng về hiệu suất cao hơn đúng vào thời điểm họ cần.”

Thiết lập chuẩn mới cho hiệu suất và hiệu quả tối đa

HBM4 của Samsung mang lại tốc độ xử lý ổn định 11,7 gigabit/giây (Gbps), cao hơn khoảng 46% so với tiêu chuẩn ngành 8Gbps, qua đó thiết lập một chuẩn mực mới cho hiệu năng HBM4. Con số này cũng cao hơn 1,22 lần so với tốc độ pin tối đa 9,6Gbps của thế hệ trước HBM3E. Hiệu năng của HBM4 thậm chí có thể tăng lên tới 13Gbps, giúp giảm thiểu hiệu quả các nút thắt dữ liệu khi các mô hình AI ngày càng mở rộng quy mô.

Ngoài ra, băng thông bộ nhớ tổng trên mỗi stack cũng được nâng lên tối đa 3,3 terabyte/giây (TB/s), tăng 2,7 lần so với HBM3E.

Nhờ công nghệ xếp chồng 12 lớp, Samsung cung cấp HBM4 với dung lượng từ 24 gigabyte (GB) đến 36GB. Công ty cũng sẽ tiếp tục mở rộng các tùy chọn dung lượng theo lộ trình của khách hàng bằng cách sử dụng công nghệ xếp chồng 16 lớp, cho phép tăng dung lượng lên đến 48GB.

Để giải quyết thách thức về tiêu thụ điện năng và nhiệt lượng khi số lượng I/O dữ liệu tăng gấp đôi từ 1.024 lên 2.048 chân, Samsung đã tích hợp các giải pháp thiết kế tiết kiệm năng lượng tiên tiến vào die lõi. HBM4 cũng đạt được cải thiện 40% về hiệu quả năng lượng nhờ công nghệ low-voltage through silicon via (TSV) và tối ưu hóa mạng phân phối điện (PDN), đồng thời tăng 10% khả năng chịu nhiệt và 30% khả năng tản nhiệt so với HBM3E.

Nhờ mang lại hiệu năng vượt trội, hiệu quả năng lượng cao và độ tin cậy mạnh mẽ cho các trung tâm dữ liệu tương lai, HBM4 của Samsung giúp khách hàng tối đa hóa thông lượng GPU và quản lý hiệu quả tổng chi phí sở hữu (TCO).

Năng lực sản xuất toàn diện và linh hoạt

Samsung cam kết tiếp tục thúc đẩy lộ trình phát triển HBM thông qua hệ thống sản xuất toàn diện, bao gồm một trong những năng lực sản xuất DRAM lớn nhất thế giới cùng các cơ sở hạ tầng chuyên dụng trong ngành, đảm bảo chuỗi cung ứng bền vững để đáp ứng nhu cầu HBM4 dự kiến tăng mạnh.

Sự tối ưu đồng bộ giữa thiết kế và công nghệ (Design Technology Co-Optimization – DTCO) giữa mảng Foundry và Memory của Samsung giúp công ty đạt được tiêu chuẩn cao nhất về chất lượng và tỷ lệ sản xuất thành phẩm. Đồng thời, năng lực nội bộ sâu rộng về đóng gói tiên tiến giúp tối ưu chu kỳ sản xuất và rút ngắn thời gian giao hàng.

Samsung cũng có kế hoạch mở rộng phạm vi hợp tác kỹ thuật với các đối tác chủ chốt, dựa trên những trao đổi chặt chẽ với các nhà sản xuất GPU toàn cầu và các hyperscaler đang tập trung phát triển ASIC thế hệ tiếp theo.

Samsung dự kiến doanh số HBM trong năm 2026 sẽ tăng hơn ba lần so với năm 2025, đồng thời chủ động mở rộng công suất sản xuất HBM4. Sau khi HBM4 được đưa ra thị trường thành công, mẫu thử HBM4E dự kiến sẽ bắt đầu được cung cấp trong nửa cuối năm 2026, trong khi các mẫu HBM tùy chỉnh sẽ được gửi đến khách hàng từ năm 2027, tùy theo các thông số kỹ thuật riêng của từng đối tác.

Ông JinHyuk Oh – Cố vấn chiến lược cấp cao ngành hàng Điều hòa không khí Samsung Việt Nam cho biết: “Là doanh nghiệp tiên phong trong lĩnh vực công nghệ, Samsung luôn hướng đến sứ mệnh tạo nên giá trị bền vững cho xã hội thông qua đổi mới sáng tạo và hợp tác chặt chẽ với đối tác trong nước. Trung tâm Đào tạo Điều hòa Không khí tại HCMUTE là minh chứng rõ nét cho cam kết đó – nơi chúng tôi cùng nhà trường đào tạo, truyền cảm hứng và mở rộng cơ hội cho thế hệ kỹ sư trẻ. Với thế mạnh công nghệ toàn cầu và kinh nghiệm tích lũy nhiều năm trong lĩnh vực HVAC, Samsung mong muốn đồng hành cùng Việt Nam trong việc bồi dưỡng nguồn nhân lực kỹ thuật chất lượng cao – những người sẽ dẫn dắt sự phát triển bền vững của ngành trong tương lai.”

Kết nối tri thức và thực tiễn, kiến tạo thế hệ kỹ sư tương lai

Trung tâm Đào tạo Điều hòa Không khí Samsung được thành lập nhằm mang đến cho sinh viên môi trường học tập gắn liền với thực tế, nơi lý thuyết được kết hợp cùng trải nghiệm thực hành trên các mô hình vận hành tiêu chuẩn công nghiệp. Đây cũng là nền tảng để Samsung và HCMUTE triển khai các chương trình đào tạo chuyên sâu về thiết kế, lắp đặt, vận hành và bảo trì hệ thống điều hòa không khí.

Trung tâm hoạt động theo mô hình hợp tác giữa doanh nghiệp và nhà trường: giảng viên của Bộ môn Công nghệ Nhiệt – Điện lạnh đảm nhận giảng dạy chính trong chương trình đào tạo, trong khi các chuyên gia Samsung huấn luyện và chuyển giao kỹ thuật, đảm bảo hệ thống vận hành đúng tiêu chuẩn, một số chuyên đề đặc trưng sẽ được đào tạo trực tiếp cho sinh viên bởi chuyên gia Samsung. Ngoài phục vụ sinh viên, trung tâm còn là địa điểm đào tạo kỹ thuật cho khách hàng, đối tác và các chương trình hợp tác chuyên sâu do Samsung tổ chức – góp phần lan tỏa kiến thức và chuẩn mực kỹ thuật tiên tiến đến cộng đồng.

Trang bị hiện đại, gắn kết đào tạo với môi trường công nghiệp

Trung tâm được trang bị đầy đủ các hệ thống điều hòa không khí đang được ứng dụng phổ biến trên thị trường giúp tăng cường khả năng tiếp cận và thực hành cho sinh viên, giảng viên, khách hàng và đối tác của Samsung, bao gồm:

• Hệ thống điều hòa không khí trung tâm VRF DVM S công suất lớn với công nghệ biến tần toàn phần tiết kiệm năng lượng, cùng đa dạng chủng loại dàn lạnh như Cassette 4 hướng WindFree, Cassette 1 hướng WindFree, Cassette tròn 360, hướng giấu trần nối ống gió… Hệ thống này thường được ứng dụng cho các công trình có quy mô vừa, lớn đến rất lớn như tòa nhà, bệnh viện, trường học, nhà xưởng.
• Hệ thống Mini VRF DVM S Eco công suất vừa phải, kết nối đa dạng với nhiều loại dàn lạnh dành cho công trình vừa và nhỏ như biệt thự, resort, showroom hay các nhà hàng.
• Hệ thống Multi Split FJM kết nối một dàn nóng với tối đa 5 dàn lạnh, tối ưu không gian và hiệu suất được ứng dụng chuyên biệt dành cho căn hộ chung cư cao tầng.
• Hệ thống cục bộ thương mại (CAC) và dân dụng (RAC) với thiết kế thẩm mỹ cao, đa dạng chủng loại, trang bị các tính năng tiên tiến như kết nối Wi-Fi, cảm biến chuyển động, lọc bụi tĩnh điện PM 1.0 cùng công nghệ WindFree mang đến nhiều trải nghiệm công nghệ và ứng dụng thực tiễn cho đa dạng loại hình kinh doanh thương mại và hộ gia đình.
• Hệ thống thông gió thu hồi nhiệt ERV cùng các mô hình máy nén, bộ trao đổi nhiệt và các linh kiện lõi công nghệ, giúp sinh viên quan sát cấu trúc bên trong hệ thống một cách trực quan.
• Hệ thống điều khiển và giám sát trung tâm, phần mềm đo lường điện năng và phần mềm kết nối hệ thống chuyên sâu cũng được tích hợp vào hệ thống.

Với việc trang bị hệ thống đồng bộ này, sinh viên có cơ hội thực hành trên mô hình vận hành thực tế ngay trong quá trình học tập tại nhà trường, qua đó rèn luyện kỹ năng nghề nghiệp và sẵn sàng cho môi trường làm việc chuyên nghiệp sau khi tốt nghiệp.

Trong suốt 8 năm qua, Samsung và HCMUTE đã triển khai nhiều hoạt động hợp tác thiết thực như học bổng, tham quan nhà máy, huấn luyện phần mềm thiết kế, đào tạo lắp đặt và tài trợ hội nghị khoa học quốc tế ngành HVAC tổ chức tại trường. Nhiều sinh viên tốt nghiệp Bộ môn Công nghệ Nhiệt – Điện lạnh đã trở thành kỹ sư, thạc sĩ đang làm việc tại Samsung – minh chứng cho mối quan hệ hợp tác bền vững và hiệu quả giữa hai bên. Trung tâm Đào tạo Điều hòa Không khí mới là bước phát triển tiếp theo trong hành trình hợp tác ấy, mở ra cơ hội gắn kết chặt chẽ hơn giữa đào tạo học thuật và ứng dụng thực tế, góp phần nâng cao chất lượng nguồn nhân lực kỹ thuật cho Việt Nam.

Để biết thêm thông tin chi tiết, vui lòng truy cập: https://www.samsung.com/vn/air-conditioners/

Trung bình một người tạo ra hơn 100 megabyte dữ liệu mỗi phút ¹. Cho dù chụp ảnh, chỉnh sửa video hay chơi game trên máy chơi game yêu thích, thì rõ ràng các hoạt động hằng ngày của chúng ta ngày càng đòi hỏi nhiều dữ liệu hơn. Ổ cứng SSD gắn trong 990 EVO Plus mới mang đến giải pháp tối ưu cho mọi nhu cầu – từ chơi game, sáng tạo nội dung, đến các ứng dụng trong kinh doanh. Với dung lượng lưu trữ lớn hơn và tốc độ xử lý nhanh hơn, dòng sản phẩm này giúp người dùng làm việc một cách hiệu quả và tận dụng tối đa từng phút giây.

Hiệu suất nhanh hơn, hiệu quả cao hơn

Ổ cứng SSD gắn trong 990 EVO Plus được hỗ trợ bởi công nghệ bán dẫn tiên phong trong nhiều thập kỷ, mang đến độ tin cậy được bảo chứng bởi Samsung. Sản phẩm này cung cấp tốc độ đọc tuần tự lên đến 7.250 MB/s và tốc độ ghi lên đến 6.300 MB/s, nhanh hơn tới 50% so với phiên bản 990 EVO trước đó. Sự cải thiện hiệu suất này nhờ vào công nghệ V-NAND thế hệ thứ 8 mới nhất của Samsung và bộ điều khiển 5 nanomet (nm) của Samsung. Đồng thời, lớp tản nhiệt phủ niken độc đáo giúp giảm thiểu tình trạng quá nhiệt, nâng cao hiệu suất năng lượng thêm 73% so với phiên bản 990 EVO.

Phiên bản 4TB của 990 EVO Plus dẫn đầu ngành với tốc độ đọc tuần tự đạt 1.050K hoạt động đầu vào/đầu ra mỗi giây (IOPS) và tốc độ ghi tuần t lên đến 1.400K IOPS. Hiệu suất đáng chú ý này gần như sánh ngang với các sản phẩm SSD tích hợp DRAM, mặc dù không sử dụng bộ nhớ đệm DRAM. Điều này khiến 990 EVO Plus trở thành giải pháp tối ưu cho các tác vụ chơi game và AI đòi hỏi hiệu suất cao.

Gia tăng dung lượng lưu trữ

Để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng về các thiết bị lưu trữ dung lượng lớn, ổ gắn SSD gắn trong 990 EVO Plus có nhiều tùy chọn đa dạng từ 1TB, 2TB đến 4TB, vượt xa dung lượng của 990 EVO trước đây. 990 EVO Plus cũng được trang bị công nghệ Samsung TurboWrite 2.0 thông minh, được cải tiến để tối ưu hóa hiệu năng, giúp tăng tốc độ truyền tệp và giảm độ trễ, ngay cả khi xử lý các tệp dung lượng lớn, chỉnh sửa video có độ phân giải cao hoặc trải nghiệm các thế hệ game mới.

Hỗ trợ phần mềm Samsung Magician

Phần mềm Samsung Magician mang đến bộ công cụ tối ưu toàn diện giúp nâng cao hiệu suất cho tất cả các dòng SSD của Samsung, bao gồm cả 990 EVO Plus. Người dùng có thể dễ dàng và an toàn thực hiện quá trình nâng cấp SSD thông qua quá trình di chuyển dữ liệu mượt mà. Ngoài ra, Samsung Magician bảo vệ dữ liệu quan trọng, theo dõi tình trạng ổ đĩa và cung cấp các tùy chọn tối ưu hóa hiệu suất tùy chỉnh.

Các dòng ổ SSD 990 EVO Plus hiện có mặt trên samsung.com và một số cửa hàng bán lẻ. Giá bán lẻ đề nghị lần lượt là:

• Phiên bản 1TB: 3,056,000 đồng
• Phiên bản 2TB: 5,732,000 đồng
• Phiên bản 4TB: 10,543,000 đồng

Để biết thêm thông tin, vui lòng truy cập https://www.samsung.com/vn/memory-storage/nvme-ssd/990-evo-plus-4tb-nvme-pcie-gen-4-mz-v9s4t0bw/

¹ Nguồn: Statista – Thống kê về mức sử dụng truyền thông trong một phút internet tính đến tháng 12/2023.

² Dung lượng lưu trữ: 1GB tương đương 1.000.000.000 byte (theo IDEMA). Một phần dung lượng có thể được sử dụng cho tệp hệ thống và bảo trì, do đó dung lượng thực tế có thể khác so với thông tin trên nhãn sản phẩm.

^3,4 Hiệu năng tuần tự: Các phép đo dựa trên IOmeter1.1.0. Hiệu năng có thể thay đổi tùy thuộc vào phiên bản firmware của SSD, phần cứng và cấu hình hệ thống.

Cấu hình hệ thống thử nghiệm: CPU AMD Ryzen 9 7950X 16 nhân @4.5GHz, RAM DDR5 4800MHz (16GBx2), Hệ điều hành Windows 11 Pro 64-bit, Chipset ASRock X670E Taichi.

⁵ Giới hạn trách nhiệm: Samsung Electronics không chịu trách nhiệm về bất kỳ mất mát nào, bao gồm nhưng không giới hạn ở mất dữ liệu hoặc thông tin chứa trong sản phẩm hoặc mất lợi nhuận hoặc doanh thu do người dùng gánh chịu. Vui lòng truy cập samsung.com/SSD hoặc semiconductor.samsung.com/internal-ssd để biết thêm thông tin về bảo hành.

⁶ Bảo hành: 5 năm hoặc đến khi đạt giới hạn TBW (tùy điều kiện nào đến trước). Thông tin chi tiết có trong tài liệu bảo hành đi kèm sản phẩm.

*Lưu ý: Sản phẩm có sẵn có thể khác nhau tùy theo mẫu mã và khu vực.

Samsung Electronics, công ty dẫn đầu toàn cầu về công nghệ bộ nhớ tiên tiến chính thức công bố phát triển thành công DRAM GDDR7^[1]  24 gigabit (Gb) đầu tiên trong ngành. Ngoài dung lượng lớn nhất, GDDR7 còn sở hữu tốc độ nhanh nhất, trở thành giải pháp tối ưu cho các ứng dụng thế hệ mới.

Với dung lượng cao và hiệu suất mạnh mẽ, GDDR7 24Gb sẽ được sử dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực đòi hỏi các giải pháp bộ nhớ hiệu suất cao như trung tâm dữ liệu và trạm làm việc AI, mở rộng ra khỏi các ứng dụng truyền thống của DRAM đồ họa như trong card đồ họa, các thiết bị chơi game và xe tự lái.

Ông YongCheol Bae, Phó giám đốc điều hành của Bộ phận Lập kế hoạch Sản phẩm Bộ nhớ tại Samsung Electronics, cho biết: “Sau khi phát triển thành công GDDR7 16Gb đầu tiên trong ngành vào năm ngoái, Samsung đã tiếp tục củng cố vị thế dẫn đầu công nghệ trong lĩnh vực DRAM đồ họa với thành tựu mới nhất này, Chúng tôi sẽ tiếp tục dẫn dắt thị trường DRAM đồ họa bằng cách mang đến những sản phẩm thế hệ tiếp theo, đáp ứng với nhu cầu ngày càng tăng của thị trường AI.” GDDR7 24Gb sử dụng công nghệ DRAM 10-nanomet (nm) thế hệ thứ 5, giúp tăng mật độ cell lên đến 50% trong khi vẫn giữ nguyên kích thước so với phiên bản trước.

Ngoài quy trình xử lý tiên tiến, công nghệ điều chế biên độ xung ba mức (PAM3) được sử dụng để đạt tốc độ hàng đầu trong ngành cho DRAM đồ họa, lên đến 40 gigabit mỗi giây (Gbps), cải thiện 25% so với phiên bản tiền nhiệm. Hiệu suất của GDDR7 được nâng cao hơn nữa, có thể tăng đến 42,5Gbps, tùy thuộc vào điều kiện sử dụng.

Hiệu suất năng lượng cũng được cải thiện đáng chú ý nhờ lần đầu tiên áp dụng các công nghệ trước đây chỉ dùng cho sản phẩm di động vào DRAM đồ họa. Bằng cách triển khai các phương pháp như quản lý điều khiển xung^[2] và thiết kế VDD kép^[3], mức tiêu thụ năng lượng không cần thiết được giảm đáng kể, giúp cải thiện hiệu suất năng lượng đến 30%.

Để tăng cường độ ổn định hoạt động trong các hoạt động tốc độ cao, GDDR7 24Gb giảm thiểu rò rỉ dòng điện thông qua các kỹ thuật thiết kế ngắt nguồn (cổng điện).

Quá trình xác nhận cho GDDR7 24Gb trong các hệ thống AI thế hệ mới từ các khách hàng GPU lớn sẽ bắt đầu trong năm nay, với kế hoạch thương mại hóa vào đầu năm sau.

^[1] Graphics Double Data Rate 7 (GDDR7): Tốc độ dữ liệu kép đồ họa 7.

^[2] Quản lý điều khiển xung đề cập đến các phương pháp được sử dụng để điều chỉnh đồng hồ (tín hiệu thời gian) của các chip.

^[3] Thiết kế điện áp đôi (dual VDD) là một kỹ thuật quản lý năng lượng cung cấp các mức điện áp khác nhau trên cùng một chip.

Điện thoại thông minh, máy tính bảng, máy chơi game cầm tay, máy bay không người lái, camera hành trình, camera quay phim và thậm chí cả kính thực tế ảo, dù là thiết bị nào, khả năng cao chúng đều chứa một chip bộ nhớ NAND flash nhỏ với kích thước bằng đầu ngón tay hoặc tem thư, cho phép bạn mở rộng dung lượng lưu trữ của chúng. Vậy công nghệ này hoạt động như thế nào, và điều gì khiến mẫu thẻ nhớ này khác biệt so với mẫu thẻ nhớ khác?

Hãy cùng khám phá về công nghệ lưu trữ flash được sử dụng trong Thẻ nhớ SD và microSD của Samsung Memory. Thông qua bài viết này, bạn sẽ hiểu thêm về công nghệ NAND flash tiên tiến trong các thẻ nhớ Samsung, cách Samsung đang đổi mới danh mục sản phẩm này, và cách để chọn thẻ nhớ phù hợp với bạn, ngay cả khi bạn chưa phân biệt được sự khác nhau giữa các dòng sản phẩm của các thương hiệu. 

Những hiểu biết cơ bản về thẻ nhớ 

Chữ ‘SD’ trong cả thẻ nhớ SD và microSD là viết tắt của ‘Secure Digital’, một định dạng thẻ nhớ flash được phát triển bởi Hiệp hội thẻ SD vào năm 2000. Tiêu chuẩn này đã trải qua nhiều lần chỉnh sửa và cập nhật kể từ đó, nhưng tất cả các thẻ nhớ Secure Digital có điểm chung là đều được trang bị một vi xử lý nhỏ gọn và ít nhất một chip bộ nhớ flash NAND. 

Kể từ năm 2003, Samsung Semiconductor đã được công nhận là thương hiệu về bộ nhớ flash số 1 thế giới, phần lớn nhờ vào những cải tiến công nghệ đáng kinh ngạc của hãng trong việc cải thiện thẻ nhớ Secure Digital. Minh chứng cho điều này là vào năm 2013, Samsung đã giới thiệu bộ nhớ flash V-NAND (hay NAND dọc) đầu tiên trên thế giới, sau đó tích hợp vào các sản phẩm như dòng Thẻ nhớ PRO Ultimate. Bằng cách xếp thành tầng các lớp bộ nhớ, công nghệ bộ nhớ V-NAND đã khiến các thẻ nhớ có độ bền và hiệu suất cao vượt trội, điều mà trước đây chỉ có thể nhìn thấy ở các ổ SSD.

Nhờ những cải tiến đáng kể, Samsung hiện được công nhận rộng rãi là công ty hàng đầu trong công nghệ thẻ nhớ nhanh và đáng tin cậy. Trong thị trường với nhiều đối thủ cạnh tranh, thẻ nhớ Samsung là một thương hiệu mà người dùng có thể hoàn toàn tin tưởng. 

Những điều cần lưu ý khi mua thẻ nhớ

Một trong những yếu tố thường gây nhầm lẫn khi mua thẻ nhớ mới là chúng thường trông khá giống nhau. Tuy nhiên, không phải tất cả thẻ nhớ đều tương đồng, ngay cả khi chúng được sản xuất bởi cùng một công ty. Ví dụ, dòng Thẻ nhớ PRO Ultimate của chúng tôi được thiết kế dành cho những nhà sáng tạo chú trọng vào hiệu suất cao; trong khi dòng Thẻ nhớ PRO Endurance lại lý tưởng cho camera hành trình, thiết bị đòi hỏi hiệu suất ghi dữ liệu mạnh mẽ. Vậy làm thế nào để bạn nhận ra những điều này?

Để có thể hiểu rõ công dụng một chiếc thẻ nhớ, hãy quan sát các thông tin ghi trên nó. Dù ban đầu chúng có vẻ là những ký hiệu hình khó hiểu, nhưng các biểu tượng đó cung cấp một cách ngắn gọn các thông tin về khả năng và công dụng của từng chiếc thẻ. Học cách giải mã các ký hiệu này sẽ giúp bạn nhanh chóng chọn được thẻ microSD phù hợp cho điện thoại thông minh, hoặc thẻ SD cần thiết cho chiếc máy ảnh DSLR của mình.

Thế giới về thông số kỹ thuật thẻ nhớ có thể khá phức tạp và khiến bạn bối rối, sau đây là phần hướng dẫn cách đọc các ký hiệu trên Thẻ nhớ microSD 1TB PRO Plus của Samsung. Đây là những thông tin cơ bản để bạn khám phá và hiểu các ký hiệu, thông số và tiêu chuẩn của thẻ nhớ flash. 

Từ điển các ký hiệu có trên thẻ nhớ

1) Dung lượng – Con số này biểu thị cho dung lượng của thẻ nhớ, hay còn gọi là số byte bộ nhớ mà thẻ nhớ có thể chứa. Các thẻ nhớ hiện đại thường có dung lượng từ 64GB đến 1TB. 

2) Tên thương hiệu – Các thẻ nhớ có hiệu suất tương tự được nhóm lại dưới tên thương hiệu riêng và thường được công bố theo từng trường hợp sử dụng cụ thể.

3)Thông số kỹ thuật SD – Trong những năm qua, tiêu chuẩn Thẻ nhớ microSD Card và SD đã trải qua nhiều cập nhật để mở rộng dung lượng lưu trữ. Hai tiêu chuẩn mới nhất là SDHC (Secure Digital High Capacity) và SDXC (Secure Digital eXtended Capacity), trong đó SDXC có dung lượng tối đa lên đến 2TB. Tiêu chuẩn mới SDUC (Secure Digital Ultra Capacity) hỗ trợ dung lượng lên tới 128TB, mặc dù hiện tại chưa có thẻ nhớ nào trên thị trường đạt đến mức dung lượng lưu trữ khủng này.

4)Tốc độ Bus UHS – là tốc độ truyền dữ liệu tối đa mà thẻ nhớ có thể đạt được trong quá trình truyền tải thông tin. Số lớp càng cao thì tốc độ truyền dữ liệu đến và đi từ thẻ nhớ sẽ càng nhanh. UHS-I cung cấp tốc độ tối đa lên đến 104MB/s, UHS-II cung cấp tốc độ tối đa lên đến 312MB/s, và UHS-III lên đến 624MB/s. Hiện nay, hầu hết các ứng dụng cho thẻ nhớ SD đều sử dụng UHS-I, nhưng một số máy ảnh yêu cầu thẻ nhớ tốc độ cao hơn UHS-II hoặc UHS-III. Trong một số trường hợp, thẻ UHS-I của Samsung cung cấp tốc độ lên đến 200MB/s thông qua phần mềm tùy chỉnh.

5) Lớp Tốc Độ UHS – Đừng nhầm lẫn biểu tượng số này với UHS Class Speed. Biểu tượng trước đó đề cập đến tốc độ đọc/ghi tối đa, còn biểu tượng này đề cập đến tốc độ tối thiểu, bao gồm hai loại: U1 và U3, tương ứng với tốc độ 10MB/giây và 30MB/giây.  

6) Tốc độ hiệu suất ứng dụng – Ký hiệu này cho biết hiệu suất của thẻ nhớ khi chạy các ứng dụng. Các thiết bị A1 duy trì tốc độ đọc/ghi ngẫu nhiên tối thiểu lên đến 1500/500 IOPS và tốc độ ghi tuần tự duy trì tối thiểu lên đến 10MB/giây. Thiết bị Class A2 tăng tốc độ đọc/ghi ngẫu nhiên tối thiểu lên đến 4000/2000 IOPS.

7) Lớp tốc độ Video – chỉ khả năng của thẻ nhớ trong việc xử lý video độ phân giải cao và các tính năng ghi video. Con số theo sau chữ V luôn đề cập đến tốc độ ghi video tối thiểu tính bằng MB/giây. Ví dụ, tốc độ video V30 biểu thị tốc độ ghi tối thiểu là 30MB/giây. 

Kết luận

Khi bạn xác định được những điều bạn cần ở một thẻ nhớ, bạn có thể dễ dàng tìm được sản phẩm thẻ SD hoặc microSD của Samsung phù hợp với nhu cầu của mình.

Chẳng hạn như, nếu bạn là một biên tập viên video và cần một thẻ nhớ SD, chắc hẳn bạn sẽ quan tâm nhất đến tốc độ ghi chép Video và Tốc độ Bus UHS, do đó, thẻ SD PRO Ultimate sẽ là sự lựa chọn phù hợp nhất dành cho bạn. Trong trường hợp khác, bạn đang tìm kiếm một chiếc thẻ nhớ microSD hiệu suất cao cho máy chơi game cầm tay của mình, bạn nên chú ý đến dung lượng và tốc độ hiệu suất ứng dụng. Vì vậy, Thẻ nhớ microSD PRO Plus hoặc Thẻ nhớ microSD EVO Plus sẽ là lựa chọn phù hợp nhất.

Dù bạn chọn loại thẻ nào, hãy hoàn toàn yên tâm khi đầu tư vào Thẻ SD hoặc Thẻ microSD của Samsung vì bạn sẽ luôn nhận được một sản phẩm đáng tin cậy. Bạn sẽ sở hữu trong tay công nghệ tiên tiến nhất với kích thước nhỏ gọn nhất như một bông tuyết của bộ nhớ flash số 1 thế giới.

Samsung, thương hiệu hàng đầu thế giới về công nghệ bộ nhớ tiên tiến, chính thức ra mắt thẻ nhớ microSD dung lượng 1 terabyte (TB) PRO Plus và EVO Plus. Nhờ áp dụng công nghệ V-NAND thuộc thế hệ thứ 8 của Samsung, PRO Plus và EVO Plus tự hào mang đến hiệu suất tối ưu với dung lượng cao, trở thành sản phẩm lý tưởng cho những nhà sáng tạo nội dung và những người đam mê công nghệ cần truyền và lưu trữ tệp nhanh chóng, sử dụng trên các thiết bị hằng ngày.

Ông Hangu Sohn, Phó Chủ tịch Bộ phận Kinh doanh Sản phẩm Thương hiệu Bộ nhớ tại Samsung Electronics cho biết: “Các nhà sáng tạo nội dung và người đam mê công nghệ ngày càng sử dụng nhiều thiết bị di động như điện thoại thông minh và máy chơi game cầm tay, đòi hỏi dung lượng lưu trữ lớn và hiệu suất cao. Thẻ nhớ microSD mới, như PRO Plus và EVO Plus, là giải pháp lưu trữ đáng tin cậy và an toàn, đáp ứng nhu cầu lưu trữ dữ liệu chất lượng cao.”

Dung lượng lưu trữ lớn hơn

Việc nâng cấp khả năng lưu trữ của PRO Plus và EVO Plus mang đến nhiều lựa chọn hơn cho người dùng, với dung lượng TB thường chỉ thấy ở các thiết bị SSD. Với dung lượng 1TB, người dùng có thể lưu trữ hơn 400.000 hình ảnh 4K UHD (tương đương 2,3MB) hoặc hơn 45 tựa game console (tương đương 20GB). Với dung lượng gia tăng, PRO Plus và EVO Plus mở ra những khả năng mới cho các thiết bị di động như điện thoại thông minh, camera hành động, thiết bị bay (drone) và máy chơi game cầm tay. PRO Plus và EVO Plus cung cấp đa dạng lựa chọn cho người dùng bao gồm 128 gigabyte (GB), 256GB, 512GB và 1TB. Bên cạnh đó, EVO Plus còn có phiên bản 64GB.

Hiệu suất vượt trội

PRO Plus giúp người dùng lưu trữ nội dung chất lượng cao với trải nghiệm hiệu suất tuyệt vời, đẩy nhanh quá trình sáng tạo. Sản phẩm hứa hẹn đem đến hiệu suất vượt trội cùng độ tin cậy tuyệt đối với các tùy chọn dung lượng lưu trữ từ 128GB đến 1TB, cung cấp tốc độ đọc tuần tự lên tới 180 megabyte mỗi giây (MB/s) và tốc độ ghi tuần tự lên tới 130MB/s[1]. Để đẩy nhanh tốc độ và trở nên đa nhiệm, PRO Plus được trang bị UHS Speed Class 3 (U3) và Video Speed Class 30 (V30) cho Video 4K UHD với hiệu suất ứng dụng chuẩn A2, giúp người dùng giải tỏa lo lắng về việc lưu trữ và sắp xếp nội dung, từ đó tập trung hơn vào quá trình sáng tạo.

Trong các hoạt động hằng ngày, EVO Plus giúp nâng cao khả năng lưu trữ dữ liệu trên thiết bị với tốc độ truyền lên tới 160MB/s[2]. Sản phẩm cũng được trang bị UHS Speed Class 3 (U3) và Video Speed Class 30 (V30)[3] cho video 4K UHD với hiệu suất ứng dụng chuẩn A2[4], cho phép người dùng tận hưởng trải nghiệm truyền tải và đa nhiệm mượt mà. Bên cạnh đó, EVO Plus 64GB còn có nhiều thông số kỹ thuật khác nhau với UHS Speed Class 1 (U1), Video Speed Class 10 (V10) và hiệu suất ứng dụng chuẩn A1.

Tối đa hóa hiệu suất và nâng cao độ tin cậy với bộ điều khiển 28nm

Nhờ sử dụng bộ điều khiển dựa trên công nghệ xử lý 28 nanomet (nm), thẻ microSD PRO Plus và EVO Plus 1TB của Samsung cải thiện đáng kể hiệu quả năng lượng, vượt trội so với dòng sản phẩm trước đây vốn sử dụng công nghệ 55nm. Điều này cho phép người dùng tận dụng tối đa thời lượng pin của thiết bị khi sử dụng thẻ nhớ 1TB của Samsung.

Với bộ mã sửa lỗi (ECC)[5] trong mã kiểm tra chẵn lẻ mật độ thấp (LDPC)[6] 2-kilobyte (KB), thẻ PRO Plus và EVO Plus 1TB cải tiến độ bền đáng kể khi cung cấp số lượng chu kỳ ghi và xóa cao hơn, đảm bảo lưu trữ dữ liệu an toàn và tin cậy hơn trong thời gian dài.

Độ bền được kiểm chứng cho khả năng lưu trữ đáng tin cậy

PRO Plus và EVO Plus sở hữu độ bền xuất sắc khi trải qua các bài thử nghiệm toàn diện và được đánh giá cao về độ tin cậy. Được kiểm tra kỹ lưỡng dưới tiêu chuẩn khắt khe, với khả năng chống nước[7], nhiệt độ cao[8], tia X[9] và từ trường[10], cả hai thẻ đều được thiết kế để sử dụng ở bất kỳ đâu. Đối với các nhà sáng tạo làm việc trong điều kiện khắc nghiệt, PRO Plus và EVO Plus đã chứng minh độ bền qua các thử nghiệm rộng rãi và có khả năng chống va đập[11] cũng như mài mòn[12]*[13].

Tương thích trên nhiều thiết bị

PRO Plus và EVO Plus tương thích với nhiều thiết bị hằng ngày để lưu trữ dữ liệu một cách an toàn, bao gồm điện thoại thông minh Android, máy tính bảng và máy chơi game cầm tay. Sản phẩm cũng tương thích với các thiết bị được sử dụng trong môi trường khắc nghiệt, chẳng hạn như camera hành động hoặc thiết bị bay (drone) để tạo nội dung, chỉnh sửa và lưu trữ dữ liệu.

Các mẫu thẻ nhớ dung lượng 1TB PRO Plus và EVO Plus sẽ được mở bán toàn cầu từ tháng 7 năm 2024. Giá bán lẻ đề nghị của nhà sản xuất dành cho thẻ nhớ PRO Plus là 659,000 VNĐ với phiên bản 128GB và 3,571,000 VNĐ với phiên bản 1TB. Trong khi đó, thẻ nhớ EVO Plus có giá bán lẻ đề nghị từ 264,000 VNĐ cho phiên bản 64GB và 3,314,000 VNĐ cho phiên bản 1TB.

Tại Việt Nam, lần đầu tiên sản phẩm thẻ nhớ gắn trong PRO Plus và EVO Plus được mở bán chính thức, với các phiên bản dung lượng đa dạng từ 64GB đến 1TB. Giá bán lẻ dự kiến như sau:

Thẻ nhớ PRO Plus và EVO Plus có thời hạn bảo hành lên đến 10 năm. Người dùng có thể tham khảo thông tin sản phẩm tại website: https://www.samsung.com/vn/memory-storage/memory-card/

Thông số kỹ thuật của thẻ microSD PRO Plus và EVO Plus

[1] Tốc độ đọc và ghi nêu trên dựa trên các thử nghiệm nội bộ được tiến hành trong điều kiện được kiểm soát. Tốc độ thực tế có thể thay đổi tùy theo dung lượng thẻ. Hiệu suất đã nêu đạt được khi sử dụng thẻ microSD PRO Plus với đầu đọc Samsung.

[2] Tốc độ đọc và ghi nêu trên dựa trên các thử nghiệm nội bộ được tiến hành trong điều kiện được kiểm soát. Tốc độ thực tế có thể thay đổi tùy theo dung lượng thẻ. Hiệu suất đã nêu đạt được khi sử dụng thẻ microSD PRO Plus với đầu đọc Samsung.

[3] Tốc độ UHS (U1, U3) và Tốc độ video (V10, V30) là loại tốc độ được xác định bởi Hiệp hội SD,

dựa trên tốc độ ghi tuần tự tối thiểu của thẻ nhớ. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo thông số kỹ thuật SD.

[4] Hiệu suất Ứng dụng (A2) là lớp tốc độ được Hiệp hội SD xác định, dựa trên tốc độ đọc và ghi ngẫu nhiên tối thiểu của thẻ nhớ. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo thông số kỹ thuật SD.

[5] Công cụ phát hiện và sửa lỗi trong bộ nhớ điện flash (NAND)

[6] Mã sửa lỗi phát hiện và sửa lỗi trong quá trình truyền tải bộ nhớ

[7] Độ sâu 1M, nước mặn (3% NaCl,), 35℃, 24 giờ

[8] Nhiệt độ hoạt động-25℃~85℃, Nhiệt độ không hoạt động -40℃~85℃

[9] 0,1 Gy bức xạ năng lượng trung bình, 210 giây

[10] 15.000 Gauss, 30 giây

[11] 10 chu kỳ thả từ 1,5 mét

[12] Chèn và rút thẻ với tổng số 10.000 chu kỳ

[13] Kết quả sử dụng thực tế có thể khác nhau. Bất kỳ hư hỏng hoặc mất mát dữ liệu nào phát sinh do tiếp xúc với nước, nhiệt độ cao, tia X, nam châm, va đập và hao mòn đều không được Samsung bảo hành. Tất cả các thử nghiệm được thực hiện theo Phụ lục Thẻ microSD cho Thông số kỹ thuật lớp vật lý Phiên bản 7.10 của Hiệp hội SD. Vui lòng tham khảo trang sản phẩm để biết thêm thông tin.

[14] 1GB=1.000.000.000 byte, Dung lượng lưu trữ thực tế có thể thay đổi. Dung lượng người dùng được đo bằng công cụ SD Formatter 3.1 với hệ thống tập tin FAT (Bảng cấp phát tập tin).

[15] Kết quả hiệu suất dựa trên các điều kiện thử nghiệm nội bộ. Hiệu suất đã được công bố đạt được bằng cách sử dụng thẻ microSD PRO Plus/EVO Plus với đầu đọc Thẻ microSD của Samsung (ver3.0) trong môi trường được kiểm soát. Tốc độ đọc/ghi thực tế có thể khác nhau tùy thuộc vào cấu hình máy chủ và môi trường sử dụng. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu.

[16] Kết quả hiệu suất dựa trên các điều kiện thử nghiệm nội bộ. Hiệu suất đã được công bố đạt được bằng cách sử dụng thẻ microSD PRO Plus/EVO Plus với đầu đọc Thẻ microSD của Samsung (ver3.0) trong môi trường được kiểm soát. Tốc độ đọc/ghi thực tế có thể khác nhau tùy thuộc vào cấu hình máy chủ và môi trường sử dụng. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu.

[17] V10, V30: Loại tốc độ video có nghĩa là tốc độ quay video được duy trì ở mức 10MB/s(V10) và 30MB/s(V30) cho phép hỗ trợ quay video thời gian thực cho các sản phẩm UHS Bus IF. Tốc độ truyền có thể khác nhau tùy theo thiết bị chủ.

[18] Để biết thêm thông tin về chế độ bảo hành, vui lòng truy cập https://semiconductor.samsung.com/consumer-storage/support/documents/ 

Với những người dùng đang tìm kiếm sản phẩm thay thế cho ổ cứng truyền thống (HDD), T5 EVO cung cấp dung lượng lưu trữ lớn nhất hiện nay với tốc độ và độ bền cao trong một thiết kế nhỏ gọn vừa vặn trong lòng bàn tay, trở thành giải pháp lưu trữ dữ liệu di động mới mẻ đầy sáng tạo cho người dùng. T5 EVO đáp ứng nhu cầu đa dạng của người dùng với phong cách sống khác nhau. Dung lượng lên tới 8TB, tốc độ nhanh, thiết kế nhỏ gọn và bảo vệ dữ liệu khỏi các va đập bên ngoài… là những yếu tố phù hợp cho người dùng muốn lưu trữ và truy cập dữ liệu mọi lúc mọi nơi.

Sử dụng công nghệ USB mới nhất hiện nay USB 3.2 Gen 1, T5 EVO truyền dữ liệu nhanh hơn gấp 3,8 lần so với ổ cứng gắn ngoài HDD và mang lại hiệu suất tối đa thông qua tốc độ đọc và ghi tuần tự lên tới 460 megabyte mỗi giây (MB/s), giúp việc truyền tải tập tin lớn trở nên dễ dàng hơn.

Tăng cường tính di động và thiết kế công thái học

Triết lý thiết kế của T5 EVO là “công thái học và nhỏ gọn nhẹ”. Vì thế, ổ cứng di động SSD này hướng đến việc mang đến trải nghiệm mới với thiết kế công thái học, kích thước chỉ bằng một tấm danh thiếp nhỏ gọn. Với chiều rộng 95mm, chiều dài 40mm và độ dày 17mm, người dùng có thể sở hữu một thiết bị lưu trữ di động 8TB vừa vặn trong lòng bàn tay. Sự kết hợp giữa kích thước nhỏ và dung lượng lớn mang đến tốc độ truyền tải dữ liệu nhanh hơn, không gian lưu trữ thoải mái và thiết kế mỏng nhẹ hơn — khi so sánh với ổ cứng HDD. T5 EVO có trọng lượng chỉ 102 gram, được tính toán tỉ mỉ để tạo cảm giác tin cậy về độ cứng cáp của thiết bị.

T5 EVO có thân máy màu đen và vòng mạ titan xám, mang lại cảm giác cao cấp và bóng bẩy, hòa quyện một cách tự nhiên khi đặt cùng các thiết bị kết nối khác có màu xám tương tự. Sản phẩm có thể dễ dàng móc vào bất kỳ túi xách hoặc hành lý nào nhờ thiết kế vòng kim loại. Hơn nữa, phần thân kim loại cùng bề mặt bọc cao su giúp sản phẩm tăng cường khả năng bảo vệ, chống lại các va chạm từ bên ngoài – bao gồm cả khi rơi từ độ cao lên đến hai mét.

Lưu trữ hàng triệu bức ảnh và bài hát một cách nhanh chóng và dễ dàng

Thiết kế tiện lợi nhỏ gọn không làm ảnh hưởng đến công suất của T5 EVO. Với khả năng lưu trữ lên tới 8TB dữ liệu, T5 EVO có thể chứa các tập tin lớn, video có độ phân giải cao, ảnh và trò chơi, phù hợp sử dụng cho công việc và giải trí. Ổ cứng T5 EVO 8TB có thể lưu trữ hơn 2 triệu ảnh có dung lượng 3,5 megabyte (MB), 1,8 triệu file nhạc 4 MB hoặc 3.500 video dung lượng 2-gigabyte (GB).

Chú trọng an toàn thông qua công nghệ tự điều chỉnh nhiệt

Ổ di động SSD mới chú trọng sự an toàn thông qua công nghệ tự điều chỉnh nhiệt và bảo mật bằng mã hóa dữ liệu phần cứng. Công nghệ Dynamic Thermal Guard của Samsung bảo vệ thiết bị khỏi trường hợp quá nhiệt và duy trì nhiệt độ hoạt động tối ưu, tuân theo tiêu chuẩn an toàn quốc tế IEC 62368-1. Hơn nữa, sản phẩm hỗ trợ mã hóa dữ liệu phần cứng theo Tiêu chuẩn mã hóa nâng cao (AES) 256-bit, mang đến cho người dùng sự an tâm và tin cậy khi lưu trữ dữ liệu.

Khả năng tương thích mở rộng cho nhiều người dùng

T5 EVO tương thích với nhiều hệ điều hành và thiết bị chủ, như macOS®, Windows®, điện thoại thông minh/máy tính bảng và máy chơi game. T5 EVO cũng tích hợp phần mềm Samsung Magician, cung cấp một bộ tính năng quản lý ổ đĩa toàn diện, bao gồm kiểm tra sức khỏe ổ đĩa theo thời gian thực, tính năng kiểm tra xác thực chính hãng, đánh giá hiệu suất và cập nhật firmware.

Tại Việt Nam, T5 EVO có các dung lượng 2TB và 8TB – đi kèm với cáp USB Type-C-to-C và được bảo hành ba năm. Giá bán lẻ đề nghị là 4,749,000 đồng cho 2TB và 16,229,000 đồng cho 8TB.

Người dùng có thể đặt mua chính hãng từ hôm nay tại: https://www.samsung.com/vn/memory-storage/portable-ssd/portable-ssd-t5-evo-2tb-black-mu-ph2t0s-ww/

#  #  #

[1] 1GB=1.000.000.000 byte, 1TB=1.000.000.000.000 byte. Máy tính của bạn có thể thể hiện dung lượng thấp hơn do sử dụng một  tiêu chuẩn đo lường khác.

[2] Trọng lượng và kích thước thực tế của sản phẩm có thể thay đổi tùy theo công suất và phương pháp đo của sản phẩm.

[3] Tốc độ truyền dữ liệu tối đa được đo dựa trên tiêu chuẩn thử nghiệm nội bộ của Samsung với cáp đi kèm. Hiệu suất có thể khác nhau tùy thuộc vào cấu hình máy chủ, cáp và môi trường hệ thống người dùng.

[4] Dựa trên một thử nghiệm va đập khi rơi tự do nội bộ được thực hiện trong điều kiện kiểm soát. Khả năng chống va đập có thể khác nhau tùy thuộc vào điều kiện môi trường thực tế. Thiệt hại do rơi vỡ không được bảo hành.

* Điều kiện thử nghiệm: Thiết bị được thả rơi tự do xuống tấm kim loại từ độ cao 2 mét.
** Không bảo hành cho bất kỳ hư hỏng vật lý nào đối với sản phẩm bao gồm uốn cong hoặc biến dạng vòng.

[5] Phần mềm Samsung Magician có sẵn trên Windows®, macOS® và Android. Yêu cầu Windows® 7 trở lên, macOS® High Sierra (10.13.6) trở lên hoặc Android 5.1 (Lollipop) trở lên. Các phiên bản cũ hơn của hệ điều hành Windows®, macOS® và Android có thể không được hỗ trợ.

[6] Khả năng tương thích với các thiết bị chủ có thể khác nhau. Một số hệ điều hành có thể yêu cầu định dạng lại T5 EVO. T5 EVO tương thích ngược với USB 3.1, USB 3.0 và USB 2.0

[7] Nhiệt độ Tc được đo ở điểm nóng nhất trên vỏ. Để hoạt động tốt hơn khi xử lý tải nặng trong nhiệt độ hoạt động của thiết bị, khuyến nghị có luồng không khí đủ mạnh.

[8] Để biết thêm thông tin về bảo hành, vui lòng truy cập https://semiconductor.samsung.com/consumer-storage/support/warranty

Các chuyên gia sáng tạo và người dùng thông thường đều mong muốn sở hữu một ổ cứng SSD bền bỉ, hiệu suất cao và đáng tin cậy với khả năng bảo vệ dữ liệu an toàn, bất kể các tình huống như rơi, tiếp xúc với nước hay sử dụng ngoài trời. T7 Shield có khả năng tương thích với nhiều thiết bị, cho phép người dùng sử dụng SSD với máy tính để bàn, điện thoại thông minh Android và máy chơi game cầm tay.

Độ bền IP65

T7 Shield là ổ cứng di động bền nhất của Samsung cho đến thời điểm hiện tại, lý tưởng dành cho những những người sáng tạo nội dung ngoài trời và đam mê xê dịch, trải nghiệm mà không phải lo lắng về việc mất dữ liệu khi tiếp xúc với các yếu tố thời tiết hoặc rủi ro trong cuộc sống. Được Samsung thiết kế tỉ mỉ từ trong ra ngoài, T7 Shield có khả năng chống sốc khi rơi từ độ cao lên đến ba mét^[2], đồng thời đạt chứng nhận IP65 về chống bụi và chống nước^[3]. Và dù chắc chắn, T7 Shield vẫn giữ được sự gọn nhẹ với trọng lượng chỉ 98 gram.

Hiệu năng xuất sắc

T7 Shield mang đến tốc độ đọc 1.050 megabyte mỗi giây (MB/s) và tốc độ ghi 1.000 MB/s^[4]. Đây là tốc độ truyền dữ liệu nhanh nhất hiện có dựa trên tiêu chuẩn USB 3.2 Gen2^[5] và gần như nhanh gấp đôi so với thiết bị tiền nhiệm là T5, cũng như nhanh hơn tới 9,5 lần so với ổ cứng gắn ngoài (HDD)^[6], giúp tiết kiệm thời gian quý giá của người dùng, nhà sáng tạo nội dung và các chuyên gia.

Samsung cũng tối ưu hóa cả bên trong và bên ngoài sản phẩm, bằng cách thay đổi chất liệu bề mặt và cải tiến phần mềm trong T7 Shield. Nhờ đó, người dùng sẽ không còn lo lắng về những bất tiện trong quá trình sử dụng như hiện tượng giảm hiệu suất hay nhiệt độ tăng khi chuyển tải tập tin lớn lên đến 2TB. Điều này mang lại khả năng truyền dữ liệu mạnh mẽ mà không ảnh hưởng đến hiệu suất^[7], ngay cả khi thực hiện các tác vụ liên tục và nặng về dữ liệu như quay video chất lượng cao, chỉnh sửa, mã hóa và xuất file.

Khả năng tương thích rộng và bảo mật mạnh mẽ

Được thiết kế để hoạt động trên nhiều thiết bị, T7 Shield cho khả năng lưu trữ lớn với hình ảnh, trò chơi, video 4K và 8K trên các nền tảng đa dạng như PC, Mac, điện thoại thông minh (Android) và máy chơi game cầm tay^[8]. Ngoài ra, T7 Shield còn nâng cao tính bảo mật (*256-bit AES, Tiêu chuẩn mã hóa nâng cao) bằng cách mã hóa phần cứng, để dữ liệu của người dùng có thể được bảo vệ an toàn ngay cả khi thiết bị thất lạc. Hơn nữa, ổ cứng này còn cung cấp quyền truy cập vào phần mềm Samsung Magician[9], giúp người dùng quản lý dữ liệu một cách thuận tiện.

Bao bì bảo vệ môi trường

Tương tự các dòng sản phẩm ổ cứng di động khác của Samsung, T7 Shield chỉ sử dụng 1/3 lượng bao bì so với các thế hệ trước, đồng thời giảm thiểu lượng khí thải nhà kính trong quá trình sản xuất thông qua hiệu suất sản xuất.

Tại thị trường Việt Nam, T7 Shield có các phiên bản dung lượng 1TB và 2TB với các tùy chọn màu sắc như: be, đen và xanh dương, đáp ứng nhu cầu và sở thích đa dạng của người dùng, đi kèm với cáp USB Type-C-to-C và cáp USB Type-C-to-A. T7 Shield được bảo hành tối đa 3 năm.

Giá bán lẻ đề nghị:

• Phiên bản 1TB: 3.329.000 đồng

• Phiên bản 2TB: 5.589.000 đồng

Người dùng có thể đặt mua chính hãng từ hôm nay tại: https://www.samsung.com/vn/memory-storage/portable-ssd/t7-shield-1tb-blue-external-storage-nvme-1050-mb-s-mu-pe1t0r-ww/

Thông số sản phẩm:

[1] Thiết kế được vinh danh Giải thưởng Sáng tạo CES 2020

[2] Thử nghiệm thả rơi được tiến hành trong điều kiện được kiểm soát. Khả năng chịu đựng rơi vỡ có thể thay đổi tùy theo điều kiện môi trường thực tế. Hư hỏng do rơi vỡ sẽ không được bảo hành.

*Điều kiện thử nghiệm: Thiết bị được thả rơi tự do xuống tấm kim loại từ độ cao 3 mét.

[3] Chỉ số IP (Bảo vệ chống xâm nhập) xác định mức độ bảo vệ bởi vỏ cơ khí và vỏ điện chống nước và bụi.

T7 Shield có chỉ số IP65 dựa trên thử nghiệm nội bộ được thực hiện trong các điều kiện được kiểm soát. Khả năng chống nước và chống bụi có thể khác nhau tùy theo điều kiện môi trường thực tế. Hư hỏng do chất lỏng và bụi gây ra không được bảo hành.

**Điều kiện thử nghiệm IPX5: Thiết bị được tiếp xúc với nước ngọt phun ra từ vòi phun (Φ6,3mm) cách xa 3 mét với tốc độ 12,5l/phút trong 3 phút.

**Điều kiện thử nghiệm IP6X: Thiết bị tiếp xúc với 2kg/m³ bụi hoạt tính với áp suất dưới 2kPa trong 8 giờ trong buồng chân không.

[4] Cấu hình hệ thống thử nghiệm: ASUS Z270 ROG MAXIMUS IX HERO (USB 3.2 Gen2 Type-C), CPU Intel(R) Core(TM) i7-7700K @ 4.20GHz, OS- Windows 10 19H2

[5] USB 3.2 Gen2 là giao thức tiêu chuẩn được cung cấp trên hầu hết các mẫu máy tính xách tay thông dụng và chuyên nghiệp. Thông lượng bị hạn chế do cổng thiết bị chứ không phải SSD. Hiệu suất có thể khác nhau tùy theo cấu hình máy chủ. Để đạt tốc độ đọc/ghi tối đa tương ứng lên tới 1.050/1.000MB/s, thiết bị chủ và cáp kết nối phải hỗ trợ USB 3.2 Gen2 và phải bật chế độ UASP.

[6] Dựa trên kết quả thử nghiệm nội bộ so với ổ cứng gắn ngoài Samsung 1TB(HX-MTD10EA).

[7] T7 Shield duy trì tốc độ ghi tuần tự trên 900MB/s với model 1TB và 1.000MB/s với 2TB ở nhiệt độ môi trường xung quanh (25℃).

[8] Khả năng tương thích với các thiết bị có thể khác nhau. Một số hệ điều hành có thể yêu cầu định dạng lại T7 Shield.

Vui lòng tìm danh sách thiết bị tương thích trên https://samsung.com/samsungssd

[9] Để biết thêm thông tin, hãy truy cập https://semiconductor.samsung.com/consumer-storage/magician

[10] 1GB=1.000.000.000 byte, 1 TB=1.000.000.000.000 byte. Máy tính có thể thể hiện công suất thấp hơn do sử dụng tiêu chuẩn đo lường khác.

[11] Trọng lượng chính xác của sản phẩm có thể thay đổi tùy theo công suất.

[12] Tốc độ truyền dữ liệu tối đa được đo dựa trên tiêu chuẩn thử nghiệm nội bộ của Samsung với cáp đi kèm. Hiệu suất có thể khác nhau tùy thuộc vào cấu hình máy chủ, cáp và môi trường hệ thống người dùng.

[13] T7 Shield có xếp hạng IP65 dựa trên thử nghiệm nội bộ được thực hiện trong các điều kiện được kiểm soát. Khả năng chống nước và chống bụi có thể khác nhau tùy theo điều kiện môi trường thực tế. Hư hỏng do chất lỏng và bụi gây ra không được bảo hành.

*Điều kiện thử nghiệm IPX5: Thiết bị được tiếp xúc với nước ngọt phun ra từ vòi phun (Φ6,3mm) cách xa 3 mét với tốc độ 12,5 l/phút trong 3 phút.

**Điều kiện thử nghiệm IP6X: Thiết bị tiếp xúc với 2kg/m³ bụi hoạt tính với áp suất dưới 2kPa trong 8 giờ trong buồng chân không.

[14] Thử nghiệm thả rơi được tiến hành trong các điều kiện được kiểm soát. Khả năng chống rơi vỡ có thể thay đổi tùy theo điều kiện môi trường thực tế. Hư hỏng do rơi sẽ không được bảo hành.

[15] Yêu cầu hệ thống tối thiểu của Phần mềm cho sản phẩm  dòng T7: hệ điều hành  Windows 7 trở lên, Mac OS X 10.10 trở lên, Android Lollipop trở lên

[16] Nhiệt độ vỏ được đo tại điểm nóng nhất trên bề mặt vỏ. Để đảm bảo hoạt động hiệu quả khi xử lý công việc nặng hơn trong khoảng nhiệt độ vận hành của thiết bị, khuyến nghị sử dụng đủ lưu thông không khí.

[17] Samsung Electronics sẽ không chịu trách nhiệm về bất kỳ tổn thất nào, bao gồm nhưng không giới hạn ở việc mất dữ liệu hoặc thông tin khác có trong các sản phẩm và thiết bị lưu trữ của Samsung Electronics, hoặc tổn thất về lợi nhuận hoặc doanh thu mà người dùng có thể phải gánh chịu. Để biết thêm thông tin về bảo hành, vui lòng truy cập https://samsung.com/portable-ssd