Thế hệ HBM2, Aquabolt sở hữu mức hiệu suất DRAM cao nhất hiện nay, được ứng dụng trong các siêu máy tính, giải pháp AI và hệ thống đồ họa thế hệ mới

Samsung Electronics, công ty dẫn đầu về công nghệ bộ nhớ tiên tiến, vừa ra thông báo về việc bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ High Bandwidth Memory-2 (HBM2) 8gb thế hệ 2 với tốc độ truyền dữ liệu nhanh nhất trên thị trường hiện nay. Giải pháp Aquabolt mới này là bộ nhớ HBM2 đầu tiên trong ngành cung cấp tốc độ truyền dữ liệu 2.4 gigabit/giây (Gbps) trên mỗi chân cắm, sẽ thúc đẩy việc mở rộng thị trường siêu máy tính và thẻ đồ họa.

“Với việc sản xuất HBM2 8 GB 2.4Gbps đầu tiên, chúng tôi đang đẩy mạnh hơn nữa vị thế dẫn đầu công nghệ và khả năng cạnh tranh trên thị trường của mình”, Jaesoo Han, phó chủ tịch bộ phận Bán hàng và Tiếp thị Bộ nhớ tại Samsung Electronics cho biết. “Chúng tôi sẽ tiếp tục củng cố lại vị trí lãnh đạo của mình trên thị trường DRAM thông qua việc đảm bảo một nguồn cung cấp HBM2 ổn định cho toàn thế giới, kịp thời cho nhu cầu phát triển các hệ thống thế hệ mới của các khách hàng của chúng tôi trong tương lai”.

HBM2 8 GB mới của Samsung mang lại mức hiệu suất DRAM cao nhất, với tốc độ truyền chân cắm 2.4Gbps ở điện áp 1.2V, nâng lên 50% mỗi bộ so với HBM2 8 GB đầu tiên của công ty với tốc độ truyền chân cắm 1.6Gbps ở điện áp 1.2V và 2.0Gbps ở điện áp 1.35V

Với những cải tiến này, một bộ Samsung 8GB HBM2 sẽ cung cấp băng thông dữ liệu 307 gigabyte mỗi giây (GBps), đạt tốc độ truyền dữ liệu nhanh hơn 9,6 lần so với chip GDDR5 8 gigabit (Gb) cho băng thông dữ liệu 32GBps.* Trang bị bốn bộ HBM2 mới trong một hệ thống sẽ cho phép băng thông 1.2 terabytes mỗi giây (TBps), giúp cải thiện hiệu năng hệ thống tổng thể tới 50% so với hệ thống sử dụng HBM2 1.6Gbps.

Aquabolt mới của Samsung đã gia tăng đáng kể vị thế dẫn đầu của công ty trong việc thúc đẩy sự tăng trưởng của thị trường DRAM cao cấp. Hơn thế nữa, Samsung sẽ tiếp tục cung cấp các giải pháp HBM2 tiên tiến, để tiếp nối thành công của thế hệ HBM2 thứ nhất Flarebolt và Aquabolt thế hệ thứ hai, tiếp tục mở rộng thị trường trong vài năm tới.

Để đạt được hiệu suất chưa từng có trước nay với Aquabolt, Samsung đã áp dụng các công nghệ mới liên quan đến thiết kế và kiểm soát nhiệt TSV. Một bộ HBM2 8 GB gồm tám đế HBM2 8Gb, được kết nối theo chiều dọc bằng cách sử dụng hơn 5.000 TSV (Through Silicon Vias – kết nối điện từ qua đế silicon) mỗi đế. Tuy sử dụng rất nhiều TSV có thể gây ra lệch tín hiệu clock, Samsung đã thành công trong việc giảm thiểu hiện tượng lệch tín hiệu đến một mức độ rất nhỏ và tăng đáng kể hiệu suất chip trong quá trình này.

Ngoài ra, Samsung đã tăng số lượng nốt tản nhiệt giữa các đế HBM2, cho phép kiểm soát nhiệt tốt hơn trong mỗi bộ. Ngoài ra, HBM2 mới bao gồm một lớp bảo vệ được bổ sung ở phía dưới, làm tăng độ bền tổng thể của cả bộ.

Để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng về DRAM HBM2 hiệu suất cao, Samsung sẽ cung cấp một nguồn Aquabolt ổn định cho khách hàng IT toàn cầu của mình và tiếp tục phát triển nhanh chóng công nghệ bộ nhớ cùng với các OEM hàng đầu trong nhiều lĩnh vực bao gồm siêu máy tính, trí thông minh nhân tạo và công nghệ xử lý đồ họa.

Samsung Electronics, nhà tiên phong về công nghệ bộ nhớ tiên tiến, hôm nay thông báo sẽ tăng sản lượng bộ nhớ băng thông rộng 8 gigabyte (GB) để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng của thị trường thông qua một loạt các ứng dụng bao gồm trí tuệ nhân tạo, HPC (máy tính hiệu năng cao), đồ họa tiên tiến, hệ thống mạng và máy chủ doanh nghiệp.

Ông Jaesoo Han, phó giám đốc bộ phận Bán hàng và Tiếp thị bộ nhớ tại Samsung Electronics cho biết: “Bằng cách tăng sản xuất giải pháp HBM2 8 GB hiện tại, chúng tôi muốn đảm bảo rằng các nhà sản xuất hệ thống CNTT toàn cầu có đủ nguồn cung để phát triển kịp thời và nâng cấp các hệ thống mới. Chúng tôi sẽ tiếp tục cung cấp các dòng sản phẩm HBM2 tiên tiến hơn, đồng thời hợp tác chặt chẽ với các khách hàng IT toàn cầu.”

HBM2 8 GB của Samsung mang lại hiệu năng cao nhất, độ tin cậy và hiệu suất năng lượng cao nhất trong ngành, thể hiện cam kết của công ty đối với việc đổi mới DRAM. Trong số các công nghệ HBM2 và TSV (Through Silicon Via) đã được sử dụng cho giải pháp DRAM mới nhất, hơn 850 sản phẩm đã được đăng ký bằng sáng chế hoặc đã được cấp bằng sáng chế.

HBM2 8 GB bao gồm tám khuôn đúc HBM2 8 gigabit (Gb) và một bộ đệm ở dưới đáy, tất cả đều được kết nối với nhau bằng TSV và microbumps. Với mỗi khuôn đúc chứa trên 5.000 TSV, một gói Samsung 8GB HBM2 có trên 40.000 TSV. Việc sử dụng nhiều TSVs, bao gồm cả phụ tùng nhằm đảm bảo hiệu năng cao bằng cách cho phép các đường dẫn dữ liệu được chuyển sang các TSV khác nhau khi sự chậm trễ trong truyền dữ liệu xảy ra. HBM2 cũng được thiết kế để tránh vượt quá nhiệt độ nhất định để đảm bảo độ tin cậy cao.

Được giới thiệu lần đầu tiên vào tháng 6 năm 2016, HBM2 tự hào có băng thông truyền dữ liệu 256GB / giây, tăng gấp 8 lần so với chip DRAM GDDR5 32GB / s. Với dung lượng gấp đôi dung lượng 4GB HBM2, giải pháp 8GB đóng góp đáng kể vào việc cải thiện hiệu năng hệ thống và tiết kiệm năng lượng, cung cấp các nâng cấp lý tưởng cho các ứng dụng điện toán cao cấp, điện toán song song, và vẽ đồ họa.

Để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng của thị trường, Samsung dự kiến sản lượng HBM2 8GB sẽ chiếm hơn 50% sản lượng HBM2 vào nửa đầu năm sau.