Samsung Electronics, công ty dẫn đầu toàn cầu về công nghệ bộ nhớ tiên tiến chính thức công bố phát triển thành công DRAM GDDR7^[1]  24 gigabit (Gb) đầu tiên trong ngành. Ngoài dung lượng lớn nhất, GDDR7 còn sở hữu tốc độ nhanh nhất, trở thành giải pháp tối ưu cho các ứng dụng thế hệ mới.

Với dung lượng cao và hiệu suất mạnh mẽ, GDDR7 24Gb sẽ được sử dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực đòi hỏi các giải pháp bộ nhớ hiệu suất cao như trung tâm dữ liệu và trạm làm việc AI, mở rộng ra khỏi các ứng dụng truyền thống của DRAM đồ họa như trong card đồ họa, các thiết bị chơi game và xe tự lái.

Ông YongCheol Bae, Phó giám đốc điều hành của Bộ phận Lập kế hoạch Sản phẩm Bộ nhớ tại Samsung Electronics, cho biết: “Sau khi phát triển thành công GDDR7 16Gb đầu tiên trong ngành vào năm ngoái, Samsung đã tiếp tục củng cố vị thế dẫn đầu công nghệ trong lĩnh vực DRAM đồ họa với thành tựu mới nhất này, Chúng tôi sẽ tiếp tục dẫn dắt thị trường DRAM đồ họa bằng cách mang đến những sản phẩm thế hệ tiếp theo, đáp ứng với nhu cầu ngày càng tăng của thị trường AI.” GDDR7 24Gb sử dụng công nghệ DRAM 10-nanomet (nm) thế hệ thứ 5, giúp tăng mật độ cell lên đến 50% trong khi vẫn giữ nguyên kích thước so với phiên bản trước.

Ngoài quy trình xử lý tiên tiến, công nghệ điều chế biên độ xung ba mức (PAM3) được sử dụng để đạt tốc độ hàng đầu trong ngành cho DRAM đồ họa, lên đến 40 gigabit mỗi giây (Gbps), cải thiện 25% so với phiên bản tiền nhiệm. Hiệu suất của GDDR7 được nâng cao hơn nữa, có thể tăng đến 42,5Gbps, tùy thuộc vào điều kiện sử dụng.

Hiệu suất năng lượng cũng được cải thiện đáng chú ý nhờ lần đầu tiên áp dụng các công nghệ trước đây chỉ dùng cho sản phẩm di động vào DRAM đồ họa. Bằng cách triển khai các phương pháp như quản lý điều khiển xung^[2] và thiết kế VDD kép^[3], mức tiêu thụ năng lượng không cần thiết được giảm đáng kể, giúp cải thiện hiệu suất năng lượng đến 30%.

Để tăng cường độ ổn định hoạt động trong các hoạt động tốc độ cao, GDDR7 24Gb giảm thiểu rò rỉ dòng điện thông qua các kỹ thuật thiết kế ngắt nguồn (cổng điện).

Quá trình xác nhận cho GDDR7 24Gb trong các hệ thống AI thế hệ mới từ các khách hàng GPU lớn sẽ bắt đầu trong năm nay, với kế hoạch thương mại hóa vào đầu năm sau.

^[1] Graphics Double Data Rate 7 (GDDR7): Tốc độ dữ liệu kép đồ họa 7.

^[2] Quản lý điều khiển xung đề cập đến các phương pháp được sử dụng để điều chỉnh đồng hồ (tín hiệu thời gian) của các chip.

^[3] Thiết kế điện áp đôi (dual VDD) là một kỹ thuật quản lý năng lượng cung cấp các mức điện áp khác nhau trên cùng một chip.

Samsung Electronics, công ty hàng đầu thế giới về công nghệ bộ nhớ, tuyên bố rằng họ đã bắt đầu sản xuất hàng loạt DRAM di động LPDDR5 12-gigabit (Gb) đầu tiên, được tối ưu hóa cho chức năng 5G và AI của smartphone trong tương lai. Bộ nhớ di động mới này xuất hiện chỉ 5 tháng sau khi công bố sản xuất hàng loạt bộ nhớ LPDDR4X 12Gb, điều này tiếp tục củng cố dòng sản phẩm bộ nhớ cao cấp của công ty. Samsung cũng đã lên kế hoạch bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ LPDDR5 12GB vào cuối tháng này, mỗi bộ kết hợp 8 chip 12Gb, đáp ứng các nhu cầu ngày càng cao về hiệu năng và dung lượng điện thoại từ các nhà sản xuất smartphone cao cấp.

“Với việc sản xuất hàng loạt LPDDR5 12Gb dựa trên quy trình lớp 10 nanomet (nm) thế hệ thứ hai mới nhất của Samsung, chúng tôi rất vui mừng vì đã hỗ trợ kịp thời để ra mắt chiếc flagship 5G cho tất cả khách hàng của chúng tôi trên toàn thế giới”, Jung-bae Lee, phó giám đốc điều hành bộ phận DRAM Product & Technology của Samsung Electronics cho biết. “Samsung vẫn sẽ liên tục giới thiệu các công nghệ bộ nhớ di động thế hệ tiếp theo mang lại hiệu năng và dung lượng cao hơn, chúng tôi sẽ tiếp tục thúc đẩy mạnh mẽ sự tăng trưởng của thị trường bộ nhớ cao cấp”.

Nhờ vào tốc độ và hiệu năng đứng đầu trong ngành, DRAM di động mới của Samsung có thể cho phép các dòng flagship thế hệ tiếp theo khai thác tối đa các khả năng của 5G và AI như quay video có độ phân giải cực kì cao và Máy Học, đồng thời cũng giúp kéo dài thời lượng pin.

Với tốc độ dữ liệu là 5,500 megabits trên giây (Mb/giây), LPDDR5 12Gb nhanh hơn khoảng 1.3 lần so với bộ nhớ di động trước đây trong các dòng smartphone cao cấp hiện nay (LPDDR4X, 4266Mb/giây). Khi gói 12GB được tạo thành, LPDDR5 có thể truyền 44GB dữ liệu hoặc khoảng 12 bộ phim HD (nặng 3.7GB) chỉ trong vòng 1 giây. Con chip mới này cũng sử dụng năng lượng ít hơn 30% so với thế hệ tiền nhiệm bằng cách tích hợp thiết kế mạch mới với tính năng xung nhịp, đảm bảo hiệu suất ổn định ngay cả khi hoạt động với tốc độ cao.

Để khả năng sản xuất linh hoạt hơn, Samsung đang cân nhắc chuyển việc sản xuất LPDDR5 12Gb sang khu Pyeongtaek (Hàn Quốc) bắt đầu vào năm tới tùy vào nhu cầu của khách hàng trên toàn thế giới. Sau khi giới thiệu DRAM di động LPDDR5 12Gb, Samsung cũng đang ấp ủ phát triển LPDDR5 16Gb vào năm tới để củng cố lợi thế của mình trên thị trường bộ nhớ toàn cầu.

[Tham khảo] Lịch trình DRAM di động của Samsung: Sản xuất/Sản xuất hàng loạt

Samsung Electronics, nhà tiên phong về công nghệ bộ nhớ tiên tiến, hôm nay thông báo sẽ tăng sản lượng bộ nhớ băng thông rộng 8 gigabyte (GB) để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng của thị trường thông qua một loạt các ứng dụng bao gồm trí tuệ nhân tạo, HPC (máy tính hiệu năng cao), đồ họa tiên tiến, hệ thống mạng và máy chủ doanh nghiệp.

Ông Jaesoo Han, phó giám đốc bộ phận Bán hàng và Tiếp thị bộ nhớ tại Samsung Electronics cho biết: “Bằng cách tăng sản xuất giải pháp HBM2 8 GB hiện tại, chúng tôi muốn đảm bảo rằng các nhà sản xuất hệ thống CNTT toàn cầu có đủ nguồn cung để phát triển kịp thời và nâng cấp các hệ thống mới. Chúng tôi sẽ tiếp tục cung cấp các dòng sản phẩm HBM2 tiên tiến hơn, đồng thời hợp tác chặt chẽ với các khách hàng IT toàn cầu.”

HBM2 8 GB của Samsung mang lại hiệu năng cao nhất, độ tin cậy và hiệu suất năng lượng cao nhất trong ngành, thể hiện cam kết của công ty đối với việc đổi mới DRAM. Trong số các công nghệ HBM2 và TSV (Through Silicon Via) đã được sử dụng cho giải pháp DRAM mới nhất, hơn 850 sản phẩm đã được đăng ký bằng sáng chế hoặc đã được cấp bằng sáng chế.

HBM2 8 GB bao gồm tám khuôn đúc HBM2 8 gigabit (Gb) và một bộ đệm ở dưới đáy, tất cả đều được kết nối với nhau bằng TSV và microbumps. Với mỗi khuôn đúc chứa trên 5.000 TSV, một gói Samsung 8GB HBM2 có trên 40.000 TSV. Việc sử dụng nhiều TSVs, bao gồm cả phụ tùng nhằm đảm bảo hiệu năng cao bằng cách cho phép các đường dẫn dữ liệu được chuyển sang các TSV khác nhau khi sự chậm trễ trong truyền dữ liệu xảy ra. HBM2 cũng được thiết kế để tránh vượt quá nhiệt độ nhất định để đảm bảo độ tin cậy cao.

Được giới thiệu lần đầu tiên vào tháng 6 năm 2016, HBM2 tự hào có băng thông truyền dữ liệu 256GB / giây, tăng gấp 8 lần so với chip DRAM GDDR5 32GB / s. Với dung lượng gấp đôi dung lượng 4GB HBM2, giải pháp 8GB đóng góp đáng kể vào việc cải thiện hiệu năng hệ thống và tiết kiệm năng lượng, cung cấp các nâng cấp lý tưởng cho các ứng dụng điện toán cao cấp, điện toán song song, và vẽ đồ họa.

Để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng của thị trường, Samsung dự kiến sản lượng HBM2 8GB sẽ chiếm hơn 50% sản lượng HBM2 vào nửa đầu năm sau.