Samsung Electronics, nhà tiên phong về công nghệ bán dẫn tiên tiến, đã giới thiệu cảm biến hình ảnh ISOCELL® cũng như các giải pháp hàng đầu đã được minh chứng tại Triển lãm Thế giới Di động 2017 (MWC) Thượng Hải.

Thương hiệu của Samsung cho bộ cảm biến hình ảnh của hãng được đặt tên theo công nghệ ISOCELL của chính công ty, đây là giải pháp tối ưu cho các thiết bị yêu cầu thiết kế siêu mỏng với máy ảnh chất lượng cao. Được giới thiệu lần đầu vào năm 2013, công nghệ ISOCELL tách từng pixel với một rào cản vật lý làm giảm nhiễu xuyên màu giữa các điểm ảnh. Điều này cho phép độ trung thực màu cao, cho phép chất lượng hình ảnh tuyệt vời ngay cả với các điểm ảnh nhỏ hơn.

Samsung ISOCELL nhấn mạnh vào bốn đặc trưng công nghệ – Bright, Fast, Slim và Dual – đáp ứng nhu cầu thị trường cụ thể:

• Cảm ISOCELL Bright cung cấp hình ảnh sáng và sắc nét với độ trung thực màu cao và giảm tiếng ồn trong môi trường ánh sáng yếu
• Cảm biến ISOCELL Fast cung cấp chức năng tự động lấy nét nhanh trên các vật thể tĩnh hoặc chuyển động ngay cả trong bóng tối
• Cảm biến ISOCELL Slim chấp nhận kích thước pixel nhỏ nhất có sẵn trên thị trường ở mức 0.9-1.0um, nhưng lại tạo ra hình ảnh chất lượng cao cho các thiết bị mỏng nhất
• Cảm biến ISOCELL Dual có thể được kết hợp trong các kết hợp khác nhau trên các thiết bị tiêu dùng để mang lại những tính năng được yêu cầu trong xu hướng máy ảnh kép mới nhất

“Samsung ISOCELL là một thương hiệu thể hiện bản chất của công nghệ pixel hàng đầu của chúng tôi. Chúng tôi hy vọng thương hiệu ISOCELL sẽ giúp người tiêu dùng dễ dàng nhận biết và tin tưởng vào hiệu suất của camera cũng như chất lượng tổng thể của thiết bị “, Ben Hur, Phó chủ tịch tiếp thị hệ thống LSI của Samsung Electronics cho biết. “Với công nghệ cảm biến hình ảnh tiên tiến của chúng tôi, Samsung sẽ tiếp tục mang lại sự đổi mới cho các máy ảnh được sử dụng trong điện thoại thông minh và các ứng dụng khác.”

Tại MWC Thượng Hải, Samsung sẽ có các giải pháp logic tiên tiến, bao gồm dòng Exynos 9 với công nghệ xử lý FinFET 10 nanomet cho nhiều loại nền tảng khác nhau như điện thoại di động, Virtual Reality (VR) và các thiết bị đeo.

Samsung là công ty đầu tiên trong ngành công nghiệp này bắt đầu sản xuất hàng loạt các sản phẩm hệ thống trên các vi mạch (SoCs) trên 10LPE vào tháng 10 năm ngoái. Mẫu điện thoại thông minh mới nhất, Samsung Galaxy S8 cũng được cài đặt hệ thống trên các vi mạch này.

Để đáp ứng nhu cầu dài hạn của quy trình 10nm cho nhiều nguồn khách hàng, Samsung đã bắt đầu lắp đặt thiết bị sản xuất tại tuyến S3 mới nhất ở Hwaseong, Hàn Quốc. Tuyến S3 được dự kiến sẽ sẵn sàng đi vào sản xuất vào quý IV năm nay.

“Với kinh nghiệm sản xuất 10LPE của chúng tôi, chúng tôi đã bắt đầu sản xuất 10LPP để duy trì vị thế tiên phong của chúng tôi trong ngành công nghiệp đúc điện áp cao cấp”, ông Ryan Lee, Phó Chủ tịch Marketing ngành đúc của Samsung Electronics cho biết. “10LPP sẽ là một trong những quy trình chính của chúng tôi cho hiệu suất di động cao, máy tính và các ứng dụng mạng, và Samsung sẽ tiếp tục cung cấp công nghệ xử lý logic tiên tiến nhất.”

Hôm nay, Samsung Electronics, nhà tiên phong trong công nghệ bán dẫn tiên tiến, đã giới thiệu bộ xử lý mạng dựa trên công nghệ quy trình 14LPP (Low-Power Plus) của Samsung hợp tác chặt chẽ với eSilicon và Rambus. Thành tựu này được xây dựng trên quy trình sản xuất tiên tiến của Samsung và thiết kế hạ tầng cho các ứng dụng mạng, khả năng thiết kế ASIC phức tạp và 2.5D của eSilicon với các giải pháp IP và giải pháp SerDes tốc độ cao 28G của Rambus.

Công nghệ xử lý 14LPP của Samsung dựa trên cấu trúc FinFET 3D đã được chứng minh là có hiệu năng cao và có thể được sản xuất hàng loạt. Quá trình tiếp theo của ứng dụng mạng là quá trình 10LPP dựa trên 10LPE (Low-Power Early), chúng đã được sản xuất hàng loạt lần đầu tiên từ năm ngoái. Việc sản xuất hàng loạt của quy trình 10LPP sẽ được bắt đầu vào cuối năm nay.

Ngoài ra, Samsung cũng đã công bố giải pháp “chìa khóa trao tay” 2.5D của mình, dùng để kết nối bộ xử lý logic và bộ nhớ HBM2 bằng bộ giải pháp Interposer tạo thành giải pháp I-CubeTM (Interposer-Cube). Chip xử lý mạng 14LPP này là sản phẩm đầu tiên Samsung áp dụng giải pháp I-CubeTM cùng với bộ nhớ HBM2. Giải pháp I-CubeTM sẽ trở nên cần thiết cho các ứng dụng mạng tín hiệu tốc độ cao và dự kiến sẽ được thông qua cho các ứng dụng khác như máy tính, máy chủ và AI trong tương lai gần.

Ryan Lee, Phó Chủ tịch mảng Tiếp thị công nghệ đúc tại Samsung Electronics, nói: “Tôi rất vui mừng thông báo về bộ xử lý mạng 14nm. Sản phẩm này được kết hợp với khả năng thiết kế của eSilicon trong lĩnh vực mạng và chuyên môn của Rambus trong SerDes và công nghệ xử lý mạnh mẽ của Samsung cùng với giải pháp I-Cube. Mô hình hợp tác này là một giải pháp rất độc đáo, nó có tác động rất lớn đến phân khúc đúc mạng. Samsung sẽ tiếp tục phát triển giải pháp đúc mạng của mình để trở thành nhà cung cấp giải pháp mạng toàn diện có ý nghĩa phù hợp với lộ trình từ 14nm đến 10nm đến 7nm. ”

“Dự án này là sự hợp tác thực sự giữa Samsung, Rambus và eSilicon. ESilicon tự hào mang các kỹ năng thiết kế của FinFET ASIC và interposer cùng với các kỹ năng tích hợp 2.5D của chúng tôi tới dự án “, Patrick Soheili, Phó Giám đốc Quản lý Sản phẩm và Phát triển Công ty tại eSilicon cho biết. “HBM Gen2 PHY,gói thiết kế flip-chip tùy chỉnh và thiết kế bộ nhớ tùy chỉnh cũng giúp tối ưu hóa công suất, hiệu suất và diện tích cho dự án.”

Lucas Seraphin, phó chủ tịch kiêm tổng giám đốc bộ phận Rambus Memory and Interfaces Division nói: “Các nhà sản xuất mạng đang tìm kiếm các nhà cung cấp IP chất lượng cao, có thể mang ra thị trường các seri máy chủ 28G trong các nút quá trình FinFET tiên tiến. “Thành công của chúng tôi với Samsung và eSilicon là một minh chứng rằng những giải pháp hàng đầu trong ngành này có thể đạt được khi bạn đưa các công ty hàng đầu lại với nhau. Đây là sản phẩm đầu tiên trong số nhiều sản phẩm khác mà chúng tôi dự định mang đến cho các mạng lưới và thị trường ASIC doanh nghiệp trên toàn cầu “.

* Tape out (T/O): Bước cuối cùng trong việc thiết kế một con chip mới. Ngay sau khi tape-out,hình dáng của con chip được hoàn tất, và chúng sẽ được gửi đến máy đúc.

Cho đến nay Samsung đã cho xuất xưởng hơn 70.000 tấm silicon LPE 10nm thế hệ đầu tiên. Công ty đã bắt đầu loạt sản xuất đầu tiên của ngành công nghiệp 10LPE vào tháng 10 năm ngoái.

Trở lại năm 2015, Samsung đã giới thiệu công nghệ FinFET LPE 14nm đầu tiên của ngành công nghiệp dành cho các ứng dụng di động dựa trên cấu trúc FinFET 3D. Kể từ đó, Samsung đã thành công trong việc cung cấp thêm các cải tiến về công suất, hiệu năng và khả năng mở rộng cho cả công nghệ Finnfet 14nm và 10nm.

“LPE 10nm của Samsung là một sản phẩm thay đổi cuộc chơi trong ngành công nghiệp đúc. Nối tiếp phiên bản 10LPE, LPP và LPU 10nm sẽ được sản xuất hàng loạt vào cuối năm nay và cả năm sau”, Jongshik Yoon, Phó chủ tịch điều hành kiêm Giám đốc Kinh doanh Lắp ráp tại Samsung Electronics cho biết. “Chúng tôi sẽ tiếp tục cung cấp công nghệ xử lý cạnh tranh nhất trong ngành”.

Samsung Electronics cũng đã công bố việc bổ sung các công nghệ xủ lý 8nm và 6nm vào tiến trình hiện tại. Các sản phẩm 8nm và 6nm của Samsung sẽ mang lại khả năng mở rộng, hiệu năng và lợi thế năng lượng lớn hơn so với các điểm xử lý hiện tại. 8nm và 6nm sẽ kế thừa tất cả các đổi mới từ công nghệ 10nm và 7nm mới nhất cùng với việc cải tiến cơ sở hạ tầng để đáp ứng được nhiều nhu cầu của khách hàng và mang lại khả năng cạnh tranh về chi phí.

Lộ trình công nghệ đúc của Samsung và các chi tiết kỹ thuật, bao gồm cả 8nm và 6nm mới nhất, lần đầu tiên sẽ được mở cho khách hàng và đối tác tại Diễn đàn kỹ thuật đúc Samsung Mỹ sắp diễn ra vào ngày 24 tháng 5 năm 2017.

Vào tháng 1 năm 2015 sau khi sản xuất thành công hàng loạt bộ vi xử lý ứng dụng di động FinFET đầu tiên của ngành công nghiệp (AP), Samsung mở rộng trong việc cung cấp quy trình công nghệ tiên tiến mới nhất vào thị trường.

Theo ông Jong Shik Yoon, Phó Chủ tịch kiêm Trưởng phò ng mảng kinh doanh điện tử tại Samsung Electronics cho biết : “Việc sản xuất hàng loạt công nghệ 10nm FinFET đã chứng tỏ quá trình công nghệ tiên tiến của chúng tôi. Chúng tôi sẽ tiếp tục nỗ lực để đổi mới công nghệ, mở rộng quy mô và cung cấp giải pháp tổng thể khác biệt cho khách hàng của mình.”

Công nghệ 10nm FinFET của Samsung (10LPE) thông qua một cấu trúc bán dẫn 3D tiên tiến với các cải tiến bổ sung trong quy trình công nghệ và thiết kế so với sản phẩm tiền nhiệm 14nm, tăng 30% hiệu quả ở khu vực có hiệu suất cao hơn 27 % hay 40 % mức tiêu thụ điện năng thấp hơn. Để khắc phục những hạn chế mở rộng quy mô, Samsung đã cắt giảm những kỹ thuật vượt trội như ba khuôn mẫu định tuyến hai chiều được giữ lại thiết kế và định tuyến linh hoạt từ các nút trước.

Sau khi giới thiệu về quy trình công nghệ đầu tiên 10nm (10LPE), quy trình thế hệ thứ hai (10LPP) với hiệu suất tăng là mục tiêu sản xuất hàng loạt trong nửa năm sau trong năm 2017. Công ty có kế hoạch tiếp tục vai trò lãnh với một loạt quá trình phái sinh nhằm đáp ứng nhu cầu của một loạt các ứng dụng.

Thông qua sự hợp tác chặt chẽ với khách hàng và đối tác, Samsung mong muốn chuyên tâm vào công nghệ 10nm mạnh hơn bằng việc tham khảo xác minh, IPs và nghiên cứu.

Bộ dụng cụ sản xuất quá trình thiết kế (PDK) và bộ dụng cụ thiết kế IP hiện đang có sẵn cho việc thiết kế.

Samsung giới thiệu bộ vi xử lý ứng dụng 14nm FinFET (AP) cho ngành công nghiệp vào đầu năm 2015 và đã tiếp tục chỉnh sửa công nghệ để đáp ứng tốt nhất nhu cầu của người tiêu dùng ngày nay.

Từ một Exynos APs to lớn hoạt động mạnh mẽ cho các thiết bị di động cao cấp, nay đã được nâng cấp lên một phiên bản nhỏ gọn hơn được thiết kế đặc biệt cho các bị đeo được, Samsung lần lượt có những tính năng mạnh mẽ điều đó sẽ đem lại những lợi ích của công nghệ tiên tiến cho các thiết bị người sử dụng hàng ngày.