Với năng lực chuyên môn toàn diện trải rộng từ DRAM, NAND, giải pháp lưu trữ doanh nghiệp đến các công nghệ bán dẫn tiên tiến liên quan, Samsung đã giới thiệu danh mục bộ nhớ AI và lộ trình công nghệ mới nhất của mình, bao gồm bản xem trước các mô hình ý tưởng zHBM và zNAND-O, lần đầu tiên trong ngành ra mắt V10 BV-NAND với hơn 400 lớp, cùng danh mục giải pháp toàn diện được thiết kế nhằm thúc đẩy sự phát triển của hạ tầng AI trong tương lai. Tại FMS 2026, Samsung cũng mang đến khu trưng bày lấy cảm hứng từ máy chủ đám mây AI, nơi giới thiệu khoảng 30 công nghệ bộ nhớ và lưu trữ tiên tiến.

Trong bài phát biểu khai mạc, ông Jin-Yub Lee, Phó Chủ tịch Điều hành kiêm Giám đốc Bộ phận Sản phẩm & Công nghệ Flash, và ông Kyungryun Kim, Phó Chủ tịch kiêm Trưởng dự án Nhóm Thiết kế DRAM thuộc mảng Kinh doanh Bộ nhớ của Samsung, đã chia sẻ tầm nhìn về các cấu trúc bộ nhớ 3D thế hệ mới cho các giải pháp bộ nhớ tương lai.

Với chủ đề “Driving the Wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture” (tạm dịch: “Dẫn dắt làn sóng cách mạng AI: Đổi mới kiến trúc bộ nhớ và lưu trữ 3D”), bài phát biểu đã trình bày tầm nhìn của Samsung trong việc tối đa hóa hiệu năng và hiệu quả năng lượng của các hệ thống AI, đồng thời đáp ứng nhu cầu ngày càng gia tăng của điện toán hiệu năng cao (HPC) và hạ tầng AI.

Samsung cũng đồng thời công bố V10 BV-NAND, kiến trúc bộ nhớ mới được phát triển dựa trên công nghệ liên kết wafer (wafer bonding), đánh dấu lần đầu tiên công nghệ này được giới thiệu trong ngành.

Ở các phần tiếp theo, mình sẽ tiếp tục thống nhất cách dịch các thuật ngữ như wafer bonding (liên kết wafer), AI accelerator (bộ tăng tốc AI), memory density (mật độ bộ nhớ) và processing-in-memory (PIM) để đảm bảo toàn bộ thông cáo sử dụng thuật ngữ nhất quán với các tài liệu kỹ thuật của Samsung.

Tầm nhìn của Samsung về bộ nhớ 3D thế hệ mới

Tại FMS 2026, Samsung đã giới thiệu các mô hình ý tưởng zHBM và zNAND-O đầu tiên trong ngành, thể hiện tầm nhìn của công ty đối với thế hệ kiến trúc bộ nhớ 3D tiếp theo.

Được thiết kế cho các hệ thống điện toán AI tiên tiến, zHBM mang đến một kiến trúc bộ nhớ hoàn toàn mới, trong đó HBM được xếp chồng theo chiều dọc ngay phía trên bộ tăng tốc AI (AI accelerator), vượt ra ngoài thiết kế truyền thống vốn bố trí HBM nằm cạnh bộ xử lý.

Bằng cách rút ngắn tối đa khoảng cách truyền dữ liệu giữa bộ xử lý AI và bộ nhớ, zHBM được thiết kế để mang lại băng thông cao hơn và hiệu quả năng lượng vượt trội, đáp ứng yêu cầu xử lý dữ liệu siêu tốc cho các tác vụ huấn luyện và suy luận AI quy mô lớn.

Hệ thống giao tiếp thế hệ mới tích hợp zHBM được kỳ vọng sẽ mang lại hiệu năng cao gấp khoảng tám lần so với HBM5. Nhờ ứng dụng công nghệ liên kết wafer (wafer bonding) thế hệ mới, zHBM có thể đạt mật độ bộ nhớ cao hơn hơn 10 lần so với HBM5, đồng thời nâng cao hiệu quả năng lượng gấp ba lần và giảm hơn một nửa điện trở nhiệt, qua đó tối ưu hóa độ ổn định cũng như hiệu quả sử dụng năng lượng của các hệ thống có dung lượng và băng thông cao.

zHBM cũng hỗ trợ các thiết kế tùy biến theo yêu cầu của khách hàng, cho phép tích hợp IP tùy chỉnh vào lớp trung gian giữa bộ nhớ và bộ tăng tốc AI nhằm mở rộng dung lượng bộ nhớ cũng như nâng cao hiệu năng của bộ tăng tốc. Dựa trên sự hợp tác chặt chẽ với khách hàng, Samsung sẽ tiếp tục tối ưu hóa khả năng tích hợp giữa bộ xử lý AI và bộ nhớ thông qua zHBM để tối đa hóa hiệu năng của các hệ thống AI.

Samsung cũng giới thiệu zNAND-O, giải pháp NAND hiệu năng cao thế hệ mới được phát triển trên nền tảng công nghệ V-NAND của hãng và hiện đang được phát triển với các phiên bản bốn lớp và tám lớp. Kết hợp hiệu quả sử dụng không gian cao, hiệu năng I/O được cải thiện và độ trễ thấp, zNAND-O được tối ưu hóa cho các môi trường AI biên (Edge AI), đáp ứng các ứng dụng AI thời gian thực đòi hỏi xử lý lượng dữ liệu lớn.

V10 BV-NAND đầu tiên trong ngành

Samsung đã ra mắt V10 BV-NAND, tích hợp kiến trúc Bonding V-NAND hoàn toàn mới. Cột mốc này đến đúng 13 năm sau khi Samsung giới thiệu công nghệ V-NAND đầu tiên trên thế giới tại Flash Memory Summit 2013, đánh dấu thêm một bước tiến quan trọng trong hành trình đổi mới công nghệ NAND của công ty.

Với hơn 400 lớp, V10 BV-NAND mang lại hiệu năng và hiệu quả năng lượng vượt trội, đồng thời gia tăng đáng kể mật độ lưu trữ. Nhờ ứng dụng công nghệ liên kết wafer (wafer bonding) để xếp chồng các ô nhớ, Samsung đã nâng mật độ bộ nhớ lên khoảng 58% so với thế hệ trước (V9).

Bên cạnh việc gia tăng số lượng lớp, V10 BV-NAND còn cải thiện hiệu năng đọc, ghi và I/O so với thế hệ tiền nhiệm, đáp ứng nhu cầu về các giải pháp NAND có hiệu năng cao và dung lượng lớn dành cho các hệ thống và ứng dụng AI trong tương lai.

Lộ trình phát triển bộ nhớ AI từ HBM, PIM đến lưu trữ doanh nghiệp

Samsung cũng giới thiệu danh mục bộ nhớ và giải pháp lưu trữ AI mới nhất, bao gồm HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM và PM1763, qua đó khẳng định lộ trình phát triển các giải pháp dành cho điện toán AI thế hệ mới và hạ tầng trung tâm dữ liệu.

Sau khi trở thành doanh nghiệp đầu tiên trong ngành sản xuất hàng loạt HBM4 vào tháng 2 bằng công nghệ DRAM 1c và đế bán dẫn (base die) 4 nanomet (nm), Samsung tiếp tục là hãng đầu tiên bắt đầu cung cấp các mẫu HBM4E cho khách hàng toàn cầu vào tháng 5, củng cố vị thế dẫn đầu trong lĩnh vực HBM thế hệ mới.

Bên cạnh các mẫu HBM4E và mô hình HBM5, Samsung còn trình diễn LPDDR5X-PIM, bộ nhớ LPDDR đầu tiên trên thế giới tích hợp công nghệ Processing-in-Memory (PIM). Giải pháp mới được thiết kế để thực hiện xử lý dữ liệu ngay bên trong bộ nhớ, qua đó nâng cao hiệu quả truyền dữ liệu và tối ưu hiệu quả sử dụng năng lượng.

Triển lãm cũng trưng bày các giải pháp lưu trữ doanh nghiệp mới nhất của Samsung, bao gồm PM1763 và BM1773, được thiết kế nhằm đáp ứng nhu cầu lưu trữ ngày càng gia tăng của các trung tâm dữ liệu AI.

Giải pháp trọn gói toàn diện

Là nhà sản xuất thiết bị tích hợp (Integrated Device Manufacturer – IDM) duy nhất trên thế giới sở hữu năng lực hàng đầu trong cả ba lĩnh vực bộ nhớ, dịch vụ đúc bán dẫn (foundry) và đóng gói tiên tiến (advanced packaging), Samsung đã giới thiệu chiến lược phát triển toàn diện cho hạ tầng AI thế hệ mới. Chiến lược này mang đến cho khách hàng các giải pháp trọn gói (one-stop turnkey solutions), đáp ứng những nhu cầu ngày càng phát triển của kỷ nguyên AI.

Từ khâu thiết kế sản phẩm đến sản xuất hàng loạt, Samsung cung cấp dịch vụ phát triển và sản xuất tích hợp, giúp rút ngắn chu kỳ phát triển, đồng thời tối ưu hiệu năng và hiệu quả sử dụng năng lượng. Qua đó, khách hàng có thể nhanh chóng đưa các giải pháp bán dẫn AI khác biệt ra thị trường.

Samsung Electronics, nhà tiên phong về công nghệ bộ nhớ tiên tiến, hôm nay thông báo sẽ tăng sản lượng bộ nhớ băng thông rộng 8 gigabyte (GB) để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng của thị trường thông qua một loạt các ứng dụng bao gồm trí tuệ nhân tạo, HPC (máy tính hiệu năng cao), đồ họa tiên tiến, hệ thống mạng và máy chủ doanh nghiệp.

Ông Jaesoo Han, phó giám đốc bộ phận Bán hàng và Tiếp thị bộ nhớ tại Samsung Electronics cho biết: “Bằng cách tăng sản xuất giải pháp HBM2 8 GB hiện tại, chúng tôi muốn đảm bảo rằng các nhà sản xuất hệ thống CNTT toàn cầu có đủ nguồn cung để phát triển kịp thời và nâng cấp các hệ thống mới. Chúng tôi sẽ tiếp tục cung cấp các dòng sản phẩm HBM2 tiên tiến hơn, đồng thời hợp tác chặt chẽ với các khách hàng IT toàn cầu.”

HBM2 8 GB của Samsung mang lại hiệu năng cao nhất, độ tin cậy và hiệu suất năng lượng cao nhất trong ngành, thể hiện cam kết của công ty đối với việc đổi mới DRAM. Trong số các công nghệ HBM2 và TSV (Through Silicon Via) đã được sử dụng cho giải pháp DRAM mới nhất, hơn 850 sản phẩm đã được đăng ký bằng sáng chế hoặc đã được cấp bằng sáng chế.

HBM2 8 GB bao gồm tám khuôn đúc HBM2 8 gigabit (Gb) và một bộ đệm ở dưới đáy, tất cả đều được kết nối với nhau bằng TSV và microbumps. Với mỗi khuôn đúc chứa trên 5.000 TSV, một gói Samsung 8GB HBM2 có trên 40.000 TSV. Việc sử dụng nhiều TSVs, bao gồm cả phụ tùng nhằm đảm bảo hiệu năng cao bằng cách cho phép các đường dẫn dữ liệu được chuyển sang các TSV khác nhau khi sự chậm trễ trong truyền dữ liệu xảy ra. HBM2 cũng được thiết kế để tránh vượt quá nhiệt độ nhất định để đảm bảo độ tin cậy cao.

Được giới thiệu lần đầu tiên vào tháng 6 năm 2016, HBM2 tự hào có băng thông truyền dữ liệu 256GB / giây, tăng gấp 8 lần so với chip DRAM GDDR5 32GB / s. Với dung lượng gấp đôi dung lượng 4GB HBM2, giải pháp 8GB đóng góp đáng kể vào việc cải thiện hiệu năng hệ thống và tiết kiệm năng lượng, cung cấp các nâng cấp lý tưởng cho các ứng dụng điện toán cao cấp, điện toán song song, và vẽ đồ họa.

Để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng của thị trường, Samsung dự kiến sản lượng HBM2 8GB sẽ chiếm hơn 50% sản lượng HBM2 vào nửa đầu năm sau.